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公开(公告)号:CN103708817B
公开(公告)日:2015-07-29
申请号:CN201310701728.2
申请日:2013-12-19
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01G7/06 , C04B35/26 , C04B35/468
Abstract: 本发明公开了一种高耐压无铅高温铁电陶瓷陶瓷及其制备方法,成分以通式(1-x)BiFeO3-xBaTiO3+[5%Bi2O3+1%MnO2+0.5%ZnO+1%Nb2O5],其中x表示摩尔分数,0
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公开(公告)号:CN103880415A
公开(公告)日:2014-06-25
申请号:CN201410064074.1
申请日:2014-02-25
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/47 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种低损耗高介电微波陶瓷,其组成通式为:Sr1-x-y(Ca0.6M0.8/3)y(Na0.5E0.5)xTiO3,其中:0≤x≤0.1,0.6≤y≤0.7,符号M和E均为La,Sm,Nd,Dy,Gd稀土元素中的一种。实现方法为先合成Sr1-x-y(Ca0.6M0.8/3)y(Na0.5E0.5)xTiO3粉体,把所得粉体加入聚乙烯醇混合均匀并压制成圆柱状坯体,然后在1350~1500℃保温4小时进行高温烧结成瓷,即可得到低损耗高介电Sr1-x-y(Ca0.6M0.8/3)y(Na0.5E0.5)xTiO3微波陶瓷。相对于CaTiO3微波陶瓷,该微波陶瓷介电常数高、谐振频率温度系数更小、损耗更低,性能测试表明能够获得较好的微波介电性能:介电常数εr介于150~180,谐振频率温度系数τf介于300~450ppm/℃,品质因子与谐振频率的乘积Qf介于6500~12000GHz。
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公开(公告)号:CN103803966A
公开(公告)日:2014-05-21
申请号:CN201310701726.3
申请日:2013-12-19
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种具有近零温度系数的高温无铅压电陶瓷及其制备方法,成分以通式(1-x)Bi2FeMnO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5或(1-x)Bi2FeNiO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5或(1-x)Bi2FeCrO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5或(1-x)Bi2FeCoO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5来表示,其中x表示摩尔分数,0
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公开(公告)号:CN102674829B
公开(公告)日:2013-11-06
申请号:CN201210151028.6
申请日:2012-05-16
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01B3/12 , C04B35/465 , C03C12/00 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种低温共烧锂镁钛微波介质陶瓷材料及其制备方法,该材料包括主要粉料Li2MgTi3O8和低熔点LMB玻璃粉,玻璃粉以粉末形式加入到Li2MgTi3O8粉体中,然后在球磨机中混匀、干燥、造粒、烧结制成。材料的配比是以Li2MgTi3O8粉体为基准,按照玻璃粉占Li2MgTi3O8质量的0.5~3wt%进行配料。通过传统固相反应合成法,即可得到本发明材料。本发明制备的低温共烧微波介质陶瓷,其烧结温度低(875℃左右),微波介电性能优异:介电常数(εr)大,品质因数(Q×f)高,谐振频率温度系数τf近于零,与Ag电极共烧良好,可以采用高导电率、低成本的纯银作为电极材料,可极大地降低器件的制造成本,可用于低温共烧陶瓷(LTCC)系统、多层介质谐振器、微波天线、滤波器等微波器件的制造。
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公开(公告)号:CN103345997A
公开(公告)日:2013-10-09
申请号:CN201310262113.4
申请日:2013-06-27
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01C17/30 , H01C7/12 , C04B35/453 , C04B35/22 , C04B41/88
Abstract: 本发明公开了一种高电位梯度ZnO基压敏瓷料及其制备方法,该瓷料组分包括ZnO、Bi2O3、Co2O3、MnO2、Sb2O3、Cr2O3和Dy2O3。压敏瓷的化学式为:aZnO.bBi2O3.cSb2O3.dCo2O3.eMnO2.fCr2O3.gDy2O3,其中;a+b+c+d+e+f+g=1,各组分的摩尔比分别是:0.95≤a≤0.97,b=0.007,c=0.01,d=0.008,e=f=0.005,0.004≤g≤0.008。按照化学式称量配料,然后在球磨机中混匀、干燥、压片、烧结而成。本发明的高电位梯度ZnO压敏陶瓷有望应用于超高压电力系统的避雷器及电力系统的过压保护中。
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公开(公告)号:CN102285793B
公开(公告)日:2013-06-05
申请号:CN201110162423.X
申请日:2011-06-16
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/01 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了B位复合Ba(Li1/4Me3/4)O3基无铅压电陶瓷及其制备方法,成分以通式(1-x)Ba(Li1/4Me3/4)O3-x(Na1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb;(1-x)Ba(Li1/4Me3/4)O3-x(K1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb;(1-x-y)Ba(Li1/4Me3/4)O3-xBaTiO3-y(Na1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb;(1-x-y)Bi(Li1/3Me2/3)O3–xBaTiO3-y(K1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb;(1-x-y-u)Ba(Li1/4Me3/4)O3-xBaTiO3-y(Na1/2Bi1/2)TiO3-u(K1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb或(1-x-y-u-v)Ba(Li1/4Me3/4)O3-xBaTiO3-y(Na1/2Bi1/2)TiO3-u(K1/2Bi1/2)TiO3-v(Li1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb来表示,其中x、y、u、v和z表示摩尔分数,0
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公开(公告)号:CN102964119A
公开(公告)日:2013-03-13
申请号:CN201210470746.X
申请日:2012-11-20
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种可低温烧结BiFeO3基高性能负温度系数热敏陶瓷材料及其制备方法,它是先合成(1-x)BiFeO3-xMeMO3粉体,再不掺入或掺入少量SiO2,经压制成型、烧结制成掺SiO2的(1-x)BiFeO3-xMeMO3热敏陶瓷材料。本发明制备的可低温烧结BiFeO3基高性能负温度系数热敏陶瓷材料,烧结温度低于950℃且性能稳定,性能测试表明能够获得较好的综合热敏性能:热敏常数β25/85大于5000K,室温电阻率ρ25小于106Ω·cm,老化率η低于5%。制备过程采用传统的陶瓷固相烧结制备工艺,采用工艺相对简单、稳定,因而具有较高的实用性和推广应用前景。
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公开(公告)号:CN102249678A
公开(公告)日:2011-11-23
申请号:CN201110162420.6
申请日:2011-06-16
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了无铅无铋压电陶瓷,成分以通式(1-x)Ba(Cu1/4Me3/4)O3-x(Na1/2K1/2)NbO3+zMaOb、(1-x)Ba(Cu1/4Me3/4)O3-x(Na1/2Li1/2)NbO3+zMaOb、(1-x-y)Ba(Cu1/4Me3/4)O3-x(Na1/2K1/2)NbO3-yLiTaO3+zMaOb或(1-x-y-u-v)BaCu1/4Me3/4)O3-xBaTiO3-y(Na1/2K1/2)NbO3-u(Na1/2Li1/2)NbO3-vLi(Nb,Sb)O3+zMaOb来表示,其中x、y、u、v和z表示摩尔分数,0
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公开(公告)号:CN101826377B
公开(公告)日:2011-05-04
申请号:CN201010137147.7
申请日:2010-03-31
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及负温度系数热敏电阻材料技术领域,具体涉及以铋酸钡基材料为功能相的厚膜热敏电阻浆料、其制备方法以及用该厚膜热敏电阻浆料制备的厚膜热敏电阻。所述电阻浆料由功能相和有机载体溶剂组成,功能相和有机载体溶剂的重量比为60~80∶20~40,其中功能相是化学通式为(Ba1-xAx)BiO3的化合物,式中0≤x<0.01,A为稀土金属元素,选自Y、La、Nd、Sm、Dy和Er元素中的一种。其制备方法为:1)制备功能相;2)制备有机载体;3)制备浆料。与现有技术相比,本发明所述厚膜热敏电阻浆料具有不需加入粘结剂,可实现低温烧结厚膜电阻,电阻性能优异,制备工艺简单的优点。
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