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公开(公告)号：CN116057010A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202180054018.8
申请日：2021-08-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C01B25/45
Abstract: 提供一种高纯度化的正极活性物质的制造方法。或者，提供一种即便反复进行充放电结晶结构也不易崩坏的正极活性物质的制造方法。一种包含锂和过渡金属的正极活性物质的制造方法，包括如下步骤：准备锂化合物、磷化合物和水的第一步骤；混合锂化合物、磷化合物及水形成第一混合物的第二步骤；对第一混合液加入第一水溶液调整pH形成第二混合液的第三步骤；对第二混合液混合铁(II)化合物形成第三混合液的第四步骤；加热第三混合液形成第四混合液的第五步骤；以及对第四混合液进行过滤、洗涤及干燥而获得复合氧化物的第六步骤。锂化合物、磷化合物、水及铁(II)化合物使用高纯度材料。
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公开(公告)号：CN110383522B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN201880013498.1
申请日：2018-02-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种新颖的发光元件用材料。此外，提供一种能够简化用来制造发光元件的工序的发光元件用材料。此外，提供一种能够降低用来制造发光元件的成本的发光元件用材料。此外，提供一种能够实现高发光效率的发光元件的发光元件用材料。提供一种发光元件用材料，该发光元件用材料包括在一个分子内含有具有载流子传输性的第一骨架及具有发光性的第二骨架且分子量为3000以下的有机化合物。
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公开(公告)号：CN115997276A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202180052289.X
申请日：2021-08-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336
Abstract: 提供一种晶体管特性不均匀少的半导体装置。该半导体装置包括第一器件层至第n(n为2以上的自然数)器件层，该器件层分别包括第一阻挡绝缘膜、第二阻挡绝缘膜、第三阻挡绝缘膜、氧化物半导体器件、第一导电体及第二导电体，第一器件层至第n器件层中，在第一阻挡绝缘膜上配置氧化物半导体器件，以覆盖氧化物半导体器件的方式配置第二阻挡绝缘膜，通过在第二阻挡绝缘膜形成的开口以与氧化物半导体器件电连接的方式配置第一导电体，在第一导电体上配置第二导电体，在第二导电体及第二阻挡绝缘膜上配置第三阻挡绝缘膜，第一阻挡绝缘膜至第三阻挡绝缘膜具有抑制氢的扩散的功能。
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公开(公告)号：CN110100203B
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN201780079434.7
申请日：2017-12-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L29/786
Abstract: 实现一种适合于大型化的显示装置，并且提供高分辨率的显示装置。在显示装置中，对相邻的三个以上的栅极线供应相同的选择信号。在列方向上相邻的三个以上的像素连接于不同的源极线。在各像素中，配置包括半导体层的晶体管。另外，以与被用作像素电极的导电层重叠的方式设置三个以上的源极线中的位于内侧的源极线。在位于外侧的源极线和与该外侧的源极线相邻的源极线之间设置有晶体管的半导体层的一部分。
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公开(公告)号：CN115954389A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202310067813.1
申请日：2017-02-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/24 , H01L29/04 , H01L27/12
Abstract: 提高包括氧化物半导体膜的半导体装置的场效应迁移率及可靠性。本发明的一个实施方式是一种包括氧化物半导体膜的半导体装置。氧化物半导体膜包括第一氧化物半导体膜、第一氧化物半导体膜上的第二氧化物半导体膜以及第二氧化物半导体膜上的第三氧化物半导体膜。第一氧化物半导体膜包含铟、镓、锡及锌中的至少一个。第二氧化物半导体膜是复合氧化物半导体。复合氧化物半导体包括第一区域和第二区域。第一区域包含InaMbZncOd(a、b、c和d分别表示任意数)，第二区域包含InxZnyOz(x、y和z分别表示任意数)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115916705A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202180050608.3
申请日：2021-08-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C01G51/00
Abstract: 提供一种高纯度化的正极活性物质的制造方法。或者，提供一种即使反复进行充放电晶体结构也不容易崩塌的正极活性物质的制造方法。本发明是一种包含锂及过渡金属的正极活性物质的制造方法，包括如下步骤：准备锂源及过渡金属源的第一步骤；以及对锂源及过渡金属源进行研碎以及混合而形成复合材料的第二步骤，在第一步骤中，作为锂源准备99.99％以上的纯度的材料，作为过渡金属源准备99.9％以上的纯度的材料，在第二步骤中使用脱水丙酮进行研碎以及混合。
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公开(公告)号：CN115885395A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202180051157.5
申请日：2021-08-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/1391
Abstract: 提供一种劣化少的活性物质粒子。另外，提供一种劣化少的正极活性物质粒子。本发明是一种包括第一粒子群、第二粒子群以及第三粒子群的电极，其中第一粒子群的中值粒径大于第三粒子群，第二粒子群的中值粒径具有第一粒子群的中值粒径与第三粒子群的中值粒径之间的大小，该电极通过如下工序制造：制造第一混合物的第一工序，该第一混合物包括第一粒子群、第二粒子群、第三粒子群以及溶剂；将第一混合物涂敷在集流体上的第二工序；以及进行加热来使溶剂挥发的第三工序。
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公开(公告)号：CN115867968A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202180047447.2
申请日：2021-07-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G11C11/56
Abstract: 提供一种能够长期间保持数据的半导体装置。该半导体装置包括设置有电容、第一晶体管以及第二晶体管的单元，电容包括第一电极、第二电极及铁电层，铁电层设置在第一电极与第二电极之间，通过施加第一饱和极化电压或其极性与第一饱和极化电压不同的第二饱和极化电压发生极化转换，第一电极、第一晶体管的源极和漏极中的一个及第二晶体管的栅极彼此电连接。在第一期间，对铁电层施加第一饱和极化电压。在第二期间，对铁电层施加第一饱和极化电压与第二饱和极化电压之间的值的电压作为数据电压。
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公开(公告)号：CN115803910A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202180048953.3
申请日：2021-07-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/38
Abstract: 提供一种劣化少的电极或劣化少的二次电池。本发明的一个方式是一种电极，包括：第一区域；以及第二区域，其中，第一区域包括含有硅的粒子，第二区域包括含有硅的粒子及石墨烯化合物，并且，第二区域覆盖第一区域的至少一部分并与其接触。另外，该电极包括多个含有硅的粒子及石墨烯化合物，多个含有硅的粒子的每一个在表面的至少一部分具有含有氧及碳的官能团、含有氧的官能团或氟原子，石墨烯化合物在石墨烯化合物的面上包含被氢终结的碳和被氟终结的碳中的至少一个，石墨烯化合物以密切缠绕多个含有硅的粒子的方式接触于多个含有硅的粒子。含有硅的粒子优选包含非晶硅或多晶硅。
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公开(公告)号：CN115605865A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202180035013.0
申请日：2021-06-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所(JP)
Abstract: 提供一种具有安全级别高的识别方法的电子设备。本发明的一个方式是一种电子设备，包括：像素部；传感器部；识别部；以及框体。像素部包括显示元件及受光元件。像素部具有使显示元件发光的功能。像素部具有使用受光元件拍摄接触于像素部的对象物而取得识别信息的功能。传感器部具有检测电子设备戴在生物或物体上还是从生物或物体拆卸的功能。识别部具有使用识别信息进行识别处理的功能。框体具有第一面以及与第一面相对的第二面。像素部位于第一面上，传感器部位于第二面上。
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