公开(公告)号：CN1458697A

公开(公告)日：2003-11-26

申请号：CN03141000.6

申请日：2003-05-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 中村理 ,  桑原秀明 ,  柴田典子

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84

CPC classification number: G02F1/136286 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76895 ,  H01L27/124 ,  H01L29/78621

Abstract: 在制作一半导体器件时，提供了一种能够减少其制作步骤的方法，以及用于实现这种方法的结构，从而可提高产量，降低制作成本。分别在一元件衬底上以行方向和列方向形成的布线(源极布线、漏极布线等)由同一种导电膜形成。在此情况下，行方向和列方向上的各布线中的一条布线就会在布线相互交叉的部分不连续地形成，而且在布线上形成绝缘膜。因此，用于连接不连续布线的连接布线是由与形成设置在绝缘膜上的电极相同的膜形成的。从而形成连续的布线。

公开(公告)号：CN1437761A

公开(公告)日：2003-08-20

申请号：CN00819227.8

申请日：2000-12-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 中村理 ,  胜村学 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/3226 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78627

Abstract: 本发明涉及一种吸杂效率优异的半导体器件制造方法。当借助于将磷加入到多晶硅膜中，该膜通过加入金属已被结晶，然后热处理得到的多晶硅膜而进行吸杂时，它在用于注入磷的多晶硅膜上提供了新颖设计的小岛状绝缘膜形状。由此，加入了磷的区域与未加入磷的区域之间的边界表面的面积被增大，从而提高了吸杂效率。