公开(公告)号：CN102760633A

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN201210243672.6

申请日：2009-06-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 平山昌树 ,  大见忠弘

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/3244 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32449

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置及等离子体处理方法，能够增大主气体流路与多个支气体流路的气体流导之比。等离子体处理装置（100），其激发气体来对被处理体进行等离子体处理，并具备：处理容器（100）；供给预期的气体的气体供给源（905）；分流从气体供给源（905）供给的气体的主气体流路（330）；与主气体流路（330）的下游侧连接的多个支气体流路（螺钉325）；设置于多个支气体流路上用于缩窄支气体流路的多个节流部（细管335）；以及在每个支气体流路上设置的1个或2个以上的气体释放孔（345），其用于将经过多个支气体流路上所设置的多个节流部后的气体释放到处理容器（100）的内部。

公开(公告)号：CN101632329B

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN200880007837.1

申请日：2008-06-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 平山昌树 ,  大见忠弘 ,  堀口贵弘

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/511 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/511 ,  B05C13/00 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32266 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明提供一种可以尽可能地减少电介质体的使用量的等离子体处理装置。本发明是如下的等离子体处理装置，即，具备收纳进行等离子体处理的基板(G)的金属制的处理容器(4)、向处理容器(4)内供给为了激发等离子体(P)而必需的电磁波的电磁波源(34)，在处理容器(4)的盖体(3)下面具备1个或2个以上的电介质体(25)，该电介质体(25)的一部分在处理容器(4)的内部露出，用于使由电磁波源(34)供给的电磁波透过到达处理容器4的内部，并且该等离子体处理装置与电介质体(25)相邻地设有表面波传播部(51)，其沿着在处理容器(4)的内部露出的金属面传播电磁波。

公开(公告)号：CN101970713B

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN200980107381.0

申请日：2009-03-02

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  后藤哲也 ,  松冈孝明

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/34 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C14/35 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3447 ,  H01J37/3455 ,  H01J37/3497

Abstract: 本发明提供一种旋转磁铁溅射装置。该旋转磁铁溅射装置具备等离子体遮蔽构件和被接地了的外壁，在等离子体遮蔽构件与外壁之间，具有串联谐振电路及并联谐振电路。串联谐振电路仅在谐振频率下具有非常低的阻抗，并联谐振电路仅在谐振频率下具有非常高的阻抗。通过制成此种结构，基板RF电力与等离子体遮蔽构件之间的阻抗就变得非常高，可以抑制在被处理基板(10)与等离子体遮蔽构件之间的等离子体的产生。另外，由于靶子与地之间设有串联谐振电路，因此仅在被处理基板穿过靶子下方的区域有效地供给RF电力，产生自偏压。

公开(公告)号：CN102293063A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN200980155351.7

申请日：2009-11-02

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 平山昌树 ,  大见忠弘

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/32238 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4622

Abstract: 微波等离子体处理装置(10)具有：处理容器(100)，其用于利用微波激励气体而对基板G进行等离子体处理；输出微波的微波源(900)；传输从微波源(900)输出的微波的传输线路；设置于处理容器(100)的内表面、并向处理容器(100)内放出微波的多个电介质板(305)与多个电介质板(305)邻接并将微波传输至多个电介质板(305)的多个第一同轴管(610)；以及将在传输线路传输的微波分配并传输至多个第一同轴管(610)的同轴管分配器(600)。同轴管分配器(600)包括具有输入部(In)的第二同轴管(620)、以及与多个第一同轴管(610)连结的具有不同构成的分岔构造(B1、B2)。

公开(公告)号：CN102057761A

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN200980121284.7

申请日：2009-06-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 平山昌树 ,  大见忠弘

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/265 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32238

Abstract: 一种进一步提高对基板处理的均匀性的等离子体处理装置。具备：容纳应进行等离子体处理的基板(G)的金属制的处理容器(4)；和向处理容器(4)内供给激发等离子体所需的电磁波的电磁波源(85)，在处理容器(4)的盖体(3)下表面设置有多个介电体(25)，该多个介电体用于将由电磁波源(85)供给的电磁波透过到处理容器(85)的内部，且该介电体的一部分露出到处理容器(4)的内部，在介电体(25)的下表面设置有金属电极(27)，对于金属电极(27)和在盖体(3)下表面之间露出的介电体(25)的部分，在从处理容器(4)的内部看时，实质呈现多边形的轮郭，多个介电体(25)以使多边形的轮郭的顶角彼此相邻的方式进行配置，在处理容器(4)的内部露出的盖体(3)下表面与金属电极(27)下表面设置有用于传播电磁波的表面波传播部。

公开(公告)号：CN102057465A

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN200980121462.6

申请日：2009-06-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 平山昌树 ,  大见忠弘

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/455 ,  C23C16/511 ,  H01L21/265 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/3244 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32449

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置及等离子体处理方法，能够增大主气体流路与多个支气体流路的气体流导之比。等离子体处理装置(100)，其激发气体来对被处理体进行等离子体处理，并具备：处理容器(100)；供给预期的气体的气体供给源(905)；分流从气体供给源(905)供给的气体的主气体流路(330)；与主气体流路(330)的下游侧连接的多个支气体流路(螺钉325)；设置于多个支气体流路上用于缩窄支气体流路的多个节流部(细管335)；以及在每个支气体流路上设置的1个或2个以上的气体释放孔(345)，其用于将经过多个支气体流路上所设置的多个节流部后的气体释放到处理容器(100)的内部。

公开(公告)号：CN101960613A

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN200980107659.4

申请日：2009-03-02

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  后藤哲也 ,  田中宏治 ,  佐野雄一

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/075 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/028 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/07 ,  H01L31/105 ,  H01L31/1055 ,  H01L31/108 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548

Abstract: 本发明的课题在于通过降低接触电阻来改善光电转换元件结构的转换效率。本发明的p i n结构的光电转换元件结构，通过选择p型半导体的电荷带的上限的能级或n型半导体层的电子亲和力、与该半导体接触的金属层的功函数，与使用Al、Ag等作为电极时相比，使接触电阻降低。选择的金属层可以设置在由Al、Ag等形成的电极和半导体之间，也可以与n或p型半导体替换。

公开(公告)号：CN101681817A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200880017388.9

申请日：2008-05-02

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  罗姆股份有限公司 ,  东京毅力科创株式会社 ,  宇部兴产株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  浅原浩和 ,  井口敦智 ,  绵贯耕平

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/511 ,  H01L21/336 ,  H01L21/365 ,  H01L29/786 ,  H01L31/04 ,  H01L33/00

CPC classification number: C23C16/511 ,  C23C16/18 ,  C23C16/45565 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/7869 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1828 ,  H01L31/184 ,  H01L31/1884 ,  H01L31/206 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/0087 ,  H01L33/02 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/543 ,  Y02E10/544 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明通过向由微波激发的低电子温度高密度等离子体中供给有机金属系材料气体，在作为成膜对象物的基板上形成化合物的薄膜。此时，有机金属系材料气体的供给系统利用有机金属系材料气体的蒸气压和温度的关系进行温度控制。

公开(公告)号：CN101641458A

公开(公告)日：2010-02-03

申请号：CN200880009416.2

申请日：2008-03-28

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  后藤哲也 ,  松冈孝明

IPC: C23C14/35

Abstract: 在旋转磁铁溅射装置中，为了减少因靶的消耗而引起靶表面发生变化，导致成膜率经时变化的情况，对靶的消耗变位量进行测定，根据测定结果，调整旋转磁铁组与靶之间的距离，从而长时间实现均匀的成膜率。作为测定靶的消耗变位量的机构，可以使用超声波传感器，也可以使用激光发送接收装置。

公开(公告)号：CN101622699A

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：CN200880006449.1

申请日：2008-02-22

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  东京毅力科创株式会社 ,  日本瑞翁株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  安田圣治 ,  井口敦智 ,  松冈孝明 ,  川村刚平 ,  中村昌洋

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/3127 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/312 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T156/10 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的层叠绝缘膜，层叠含有Si原子的碳氢层和含有N原子的碳氟层而构成，且上述碳氢层以H原子数与C原子数的比(H/C)为0.8～1.2的比例含有H原子和C原子。该层间绝缘膜在泄漏电流的产生、由热退火引起的膜的缩小受到抑制的同时，具有低介电常数且稳定。