-
公开(公告)号：CN115863384A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202210713979.1
申请日：2022-06-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 提供了半导体器件结构。半导体器件结构包括在垂直方向上堆叠在衬底上方的多个第一纳米结构。半导体器件结构包括围绕第一纳米结构的栅极结构，以及与栅极结构相邻的S/D结构。半导体器件结构还包括形成在栅极结构和S/D结构之间的内部间隔件层，以及形成在内部间隔件层上方的硬掩模层。硬掩模层位于栅极结构和S/D结构之间，并且与内部间隔件层直接接触。本发明的实施例还提供了形成半导体器件结构的方法。
-
公开(公告)号：CN115763537A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202210638956.9
申请日：2022-06-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/10 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明的实施例提供了半导体结构及其制造方法。半导体结构包括衬底和形成在衬底上方的第一沟道结构和第二沟道结构。半导体结构还包括形成在第一沟道结构和第二沟道结构之间的介电鳍结构。此外，介电鳍结构包括核心部分和连接至核心部分的第一连接部分。该半导体结构还包括栅极结构，栅极结构包括第一部分。此外，栅极结构的第一部分形成在第一沟道结构周围并且覆盖介电鳍结构的第一连接部分。
-
公开(公告)号：CN111106059B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN201911015432.9
申请日：2019-10-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/528 , H01L23/48
Abstract: 方法包括蚀刻半导体衬底以形成两个半导体带。两个半导体带均位于半导体衬底的主体部分上方。该方法还包括蚀刻主体部分以在半导体衬底的主体部分中形成沟槽，形成内衬沟槽的衬垫介电层，在沟槽中形成掩埋接触件，在掩埋接触件上方形成连接至掩埋接触件的掩埋电源轨，其中，掩埋电源轨位于两个半导体带之间，以及在两个半导体带的相对侧上形成隔离区域。掩埋电源轨位于隔离区域的部分下面。本发明的实施例还涉及集成电路结构和形成集成电路结构的方法。
-
公开(公告)号：CN114512482A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210001586.8
申请日：2022-01-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 本公开提出半导体结构及其制造方法。一示例性的半导体结构包括第一基座部分和第二基座部分，设置在前述第一基座部分和前述第二基座部分之间的一隔离部件，位于前述的隔离部件上方的一中心介电鳍片，位于前述的第一基座部分上方的一第一抗穿通部件，位于前述的第二基座部分上方的一第二抗穿通部件，位于前述第一抗穿通部件上方的第一通道构件堆叠，以及位于前述第一基座部分上方的第二通道构件堆叠。前述的中心介电鳍片设置在前述第一通道构件堆叠和前述第二通道构件堆叠之间，并且设置在前述第一抗穿通部件和前述第二抗穿通部件之间。
-
公开(公告)号：CN114078847A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110544551.4
申请日：2021-05-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 公开了半导体结构及其制造方法。根据本发明的示例性半导体结构包括具有p型阱或n型阱的衬底、位于p型阱上方的第一基部、位于n型阱上方的第二基部、位于第一基部上方的第一多个沟道构件、位于第二基部上方的第二多个沟道构件、设置在第一基部和第二基部之间的隔离部件以及设置在隔离部件的下面的衬底中的深隔离结构。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113658954A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110473778.4
申请日：2021-04-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 一种半导体装置结构和其形成方法，半导体装置结构包括半导体鳍片，半导体鳍片包括第一表面、与第一表面相对的第二表面、连接第一表面与第二表面的第三表面及与第三表面相对的第四表面。半导体装置结构包括邻近半导体鳍片的第一表面、第三表面及第四表面设置的栅极电极层、接触半导体鳍片的第一源极/漏极磊晶特征及设置在第一源极/漏极磊晶特征与栅极电极层之间的第一内部间隔物。第一内部间隔物接触第一源极/漏极磊晶特征，且第一内部间隔物包括第一材料。半导体装置结构包括接触第一内部间隔物的第一间隔物，且第一间隔物包括不同于第一材料的第二材料。
-
公开(公告)号：CN113571517A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110789772.8
申请日：2021-07-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L27/092 , H01L21/8234 , H01L21/8238
Abstract: 一种器件和方法，第一栅极结构环绕设置在衬底上方的沟道层，第二栅极结构环绕设置在衬底上方的另一个沟道层，以及介电鳍结构形成在浅沟槽隔离部件上方以及第一栅极结构和第二栅极结构之间。至少一个金属化层形成在第一栅极结构、介电鳍状结构和第二栅极结构上，并从第一栅极结构连续延伸至第二栅极结构。本发明的实施例还涉及多栅极器件及其形成方法。
-
公开(公告)号：CN113555421A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202110357043.5
申请日：2021-04-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本公开实施例提供一种半导体结构。半导体结构包括第一全绕式栅极场效晶体管及第二全绕式栅极场效晶体管，第一全绕式栅极晶体管与第二全绕式栅极晶体管可形成于基板上。第一全绕式栅极晶体管包括至少一硅板、第一栅极结构、第一源极区与第一漏极区。第二全绕式栅极晶体管包括至少一硅锗板、第二栅极结构、第二源极区与第二漏极区。第一全绕式栅极晶体管可为n型场效晶体管，而第二全绕式栅极晶体管可为p型场效晶体管。第一栅极结构与第二栅极结构的栅极可包含相同导电材料。每一硅板与每一硅锗板可为单晶，且对于米勒指数可具有相同的结晶取向。
-
公开(公告)号：CN113555359A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202011352184.X
申请日：2020-11-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088
Abstract: 此揭露描述一种半导体装置结构。结构包含第一鳍、相邻第一鳍的第二鳍、相邻第二鳍的第三鳍。结构还包含合并的第二源极/漏极磊晶特征部与第一源极/漏极磊晶特征部。结构还包含第三源极/漏极磊晶特征部与衬垫层，衬垫层相距由第一鳍的第一侧壁定义的第一平面有第一距离且相距由第二鳍的第二侧壁定义的第二平面有第二距离。第一距离与第二距离实质相同，且合并的第一源极/漏极磊晶特征部与第二源极/漏极磊晶特征部置于第一衬垫层上。结构还包含介电质特征部，置于第二源极/漏极磊晶特征部与第三源极/漏极磊晶特征部之间。
-
公开(公告)号：CN112750891A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202010685457.6
申请日：2020-07-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/336 , B82Y40/00
Abstract: 提供半导体装置结构及其形成方法。半导体装置结构包含位于基底上方的多个半导体纳米结构以及位于基底上方的两个外延结构。半导体纳米结构的每一者在外延结构之间，且外延结构为p型掺杂。半导体装置结构也包含环绕半导体纳米结构的栅极堆叠物。半导体装置结构还包含位于栅极堆叠物与基底之间的介电应力结构，外延结构延伸超出介电应力结构的顶表面。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
123
records
(took 0.04 seconds)
