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公开(公告)号：CN113192820B
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202110272273.1
申请日：2021-03-12
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种硅衬底氮化铝薄膜的制备方法，它是在高温下向反应室通入NH3和TMIn，对硅衬底表面进行预处理，可有效地降低AlN中的位错密度，减小AlN表面粗糙度，然后进行铺铝，最后生长AlN层，获得表面平整、无孔洞高质量的AlN薄膜。本发明的制备方法易于实现，便于大规模生产，可广泛应用于制造硅衬底III族氮化物LED以及电力电子器件等半导体器件领域。
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公开(公告)号：CN115692552A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211141166.6
申请日：2022-09-20
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种清洗InGaN基LED V型坑侧壁In的方法，该LED由衬底、N层、准备层、量子阱InGaN/GaN发光层、P层组成，量子阱InGaN/GaN发光层分为量子阱InGaN层、GaN盖层、量子垒GaN，GaN盖层包括平台区域和V型坑区域，GaN盖层分为两个生长阶段，即：第一生长阶段通入不含H2的气体生长GaN盖层，第二生长阶段通入含H2的气体进行清洗。这种生长方法达到清洗了量子阱InGaN层V型坑侧壁的中的In同时又保护量子阱InGaN层平台区域的In，清洗量子阱InGaN层V型坑侧壁的中的In后V型坑侧壁的禁带宽度增大，减少了电子向V型坑泄露，提高了LED发光效率。
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公开(公告)号：CN114388663A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202111519076.1
申请日：2021-12-14
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种Si衬底无孔洞AlN薄膜的制备方法，包括步骤：在硅衬底先进行表面改性处理：将做改性处理的所述表面先进行铺Al，得到铺Al层，在所述铺Al层表面上在700‑900度下生长一层低温AlN层，然后升温到1100‑1350度生长高温AlN层。本发明对Si衬底表面改性后先生长低温AlN层再生长高温AlN层，使得AlN薄膜表面无孔洞，同时AlN薄膜中的螺位错明显降低，有利于制备高性能的AlN及AlGaN基器件。
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公开(公告)号：CN111180562B
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202010026871.6
申请日：2020-01-10
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于沉积铟镓氮量子阱的有锥形坑且含铝成分的薄层，其结构特点是：在氮化镓基二极管中，位于氮化镓与铟镓氮量子阱之间，所述氮化镓在先，所述铟镓氮量子阱在后，所述锥形坑位于所述薄层的表层，所述铝元素无需连续均匀分布，可离散或随机分布于所属薄层的任意位置。本发明的优点是：（1）使在铟镓氮基二极管的制造中，沉积的铟镓氮量子阱晶体质量提高；（2）减少铟镓氮基二极管制造过程中使用的含铟原料，节约铟镓氮基二极管的制造成本；（3）减少铟镓氮基二极管的制造时间，提高铟镓氮基二极管的生产速率；（4）减少铟镓氮基二极管中位错处的漏电，提高铟镓氮基二极管的电、光学性能。
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公开(公告)号：CN112466795A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011243161.5
申请日：2020-11-10
Applicant: 南昌大学
IPC: H01L21/677 , H01L33/00 , H01L25/16 , H01L25/00
Abstract: 本发明公开了一种Micro LED巨量转移方法及转移衬底，包括：S1在硅基InxGayAl1‑x‑yN外延片通过刻蚀除去部分外延层，制备周期性Micro LED发光单元的阵列；S2蓝宝石衬底通过刻蚀去部分衬底，制备与Micro LED发光单元同周期性的微坑阵列，获得转移衬底；S3在转移衬底的微坑中填涂热塑性弱连接材料；S4采用化学浸蚀方式去除部分热塑性弱连接材料；S5将S1获得的Micro LED发光单元，一次性对应地转移到在S4获得的转移衬底，去除硅基衬底后实现Micro LED发光单元的弱连接；S6采用转印的方式将弱连接Micro LED发光单元按需要进行巨量转移到驱动电路。本发明在转移衬底上通过刻蚀，微坑填入热塑性层形成弱连接结构，实现温控选择性Micro LED巨量转移及转移衬底制备。本发明具有结构稳定、易于操作等特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111769103A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN202010601783.4
申请日：2020-06-29
Applicant: 南昌大学
IPC: H01L25/00 , H01L25/075 , H01L33/00 , H01L21/677
Abstract: 本发明公开了一种多色Micro LED模组制备方法，包括：S1在不同发光颜色的硅基InxGayAl1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1)外延片上定义发光像素单元阵列，刻蚀除去每个像素单元中部分InxGayAl1-x-yN外延层直至暴露衬底，使留在衬底上的外延层面积不超过转移次数分之一，并将每个像素区域剩余的发光层制成Micro LED发光单元；S2将第一种颜色的Micro LED发光单元阵列一次性键合到驱动电路基板，并去除硅衬底，以实现Micro LED发光单元阵列从外延基板到驱动电路的整体转移；S3重复S2，将其他颜色的Micro LED发光单元阵列转移到驱动电路基板。本发明基于目前现有的外延生长、刻蚀、分选和组合键合技术，在发光结构之间形成金属连接层，将不同颜色发光结构连接在一起，实现多色Micro LED的制备，具有结构稳定、易于操作等特点。
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公开(公告)号：CN111200045A
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN202010222574.9
申请日：2020-03-26
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种反射镜和P电极相互独立的AlGaInP LED芯片及制备方法，所述芯片从下至上依次包括：基板、键合金属层、P电极金属层、反射金属层、低折射率介质层、P型掺杂层、发光层、具有粗化表面的粗化层、N型掺杂层、N电极，所述反射金属层与所述低折射率介质层构成全方位反射镜，反射金属层与低折射率介质层上设有若干P电极孔，P电极金属层通过P电极孔与P型掺杂层接触；N电极由焊盘和若干扩展电极线组成，P电极孔位于相邻的扩展电极线之间。本发明提出的反射镜和P电极相互独立的AlGaInP LED芯片，可以同时兼顾高光反射率和低欧姆接触，最终可以提高AlGaInP LED芯片的电光转换效率。
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公开(公告)号：CN111081691A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911336674.8
申请日：2019-12-23
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: H01L25/075 , H01L33/48 , H01L33/54 , H01L33/58
Abstract: 本发明公开了一种实现多基色LED光源的混光及光提取目的的模组结构，包括若干颗LED灯珠、第二热界面层、二次光学透镜、第二基板层和密封圈，其中LED灯珠包括若干颗主波长不同的LED芯片、引线、一次光学透镜、第一热界面层、第一基板层，不同主波长芯片之间交错排布，一次光学透镜将若干颗LED芯片密封在第一基板层上；若干颗LED灯珠分别通过第二热界面层材料层固定在第二基板层上，二次光学透镜安装在第二基板层上；若干颗LED灯珠在第二基板层上的贴片角度是不完全相同的；在一次光学透镜和二次光学透镜之间包含第三层封装胶体层。本发明通过该模组结构解决了多基色LED光源出光空间颜色均匀性差的问题，同时提高其光提取效率。
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公开(公告)号：CN108470807B
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201810106850.8
申请日：2018-02-02
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: H01L33/14
Abstract: 本发明提供了一种半导体发光二极管的外延装置，该装置包括依次接触的N电极、N型半导体接触层、N型半导体导电层、发光层、P型半导体导电层、P型半导体接触层和P电极；所述N电极与N型半导体接触层之间的界面接触电阻，通过N型半导体接触层的掺杂浓度进行调节；或P电极与P型半导体接触层之间的界面接触电阻，通过P型半导体接触层的掺杂浓度进行调节。本发明在半导体的表面与金属电极接触的界面改善电流扩展，由于金属与半导体的接触非常敏感，界面的电导性易于调控，外延中仅需很薄的一层，就可以实现电流扩展的显著改善，且器件电压的升高幅度较小。
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公开(公告)号：CN106811736B
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201611222834.2
申请日：2016-12-27
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种化学气相沉积装置，包括位于反应腔顶部的喷淋头和带侧壁吹扫的反应腔。喷淋头中单圈排列的金属有机气体进气导管设在氢化物进气导管中，使氢化物气体环绕金属有机气体向下输运，氢化物气体或载气从喷淋头内部和外部的进气导管进入反应腔。反应腔的侧壁上设有进气导管，将氢化物或载气输运进入反应腔，起到吹扫作用。在喷淋头中心设置了尾气导管，反应气体沿径向从外侧向中心流动，最终经尾气导管从下向上抽出。使用本发明装置，可在反应腔内形成由外侧向中心的水平层流，相比长距离输运喷淋头，可大幅提升金属有机气体利用率，相比短距离输运喷淋头，将大幅减少反应腔侧壁的反应物沉积，可以满足生产型MOCVD的要求。
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