一种硫掺杂硅纳米颗粒的制备方法

    公开(公告)号:CN102976326A

    公开(公告)日:2013-03-20

    申请号:CN201210543892.0

    申请日:2012-12-17

    Applicant: 南开大学

    Abstract: 本发明公开了一种硫掺杂硅纳米颗粒的制备方法。将选取的并清洗干净的硅片置于加工腔内,经过飞秒激光在六氟化硫(SF6)气体中辐照硅片制备硫掺杂硅样品和飞秒激光辐照硫掺杂硅样品制备硫掺杂硅纳米颗粒两大步骤,制备出球形粒径范围为1-500nm的硫掺杂硅纳米颗粒,掺杂浓度为1×1019/cm3~1×1021/cm3。本发明能够快速的制备硫掺杂硅纳米颗粒,掺杂浓度高,而且能够通过控制入射激光能量和辐照时间的方法,控制颗粒的粒径和颗粒量。解决了通常制造硅纳米颗粒速度慢、工艺过程复杂、成本高的问题。

    一种近化学计量比钽酸锂晶体的制备方法

    公开(公告)号:CN102689928A

    公开(公告)日:2012-09-26

    申请号:CN201210203315.7

    申请日:2012-06-19

    Applicant: 南开大学

    Abstract: 一种近化学计量比钽酸锂晶体的制备方法,包括:将碳酸锂质量含量为15.8%~20.1%的碳酸锂和五氧化二钽混合物经升温、熔化、降温结晶、粉碎,得到富锂多晶粉末A,将A装入耐高温的坩埚下部;把待扩散的缺锂钽酸锂晶体放置在A上,晶体周围裸露的A用铂金片覆盖;再用碳酸锂质量含量为10.0%~13.5%的碳酸锂和五氧化二钽混合物经升温、熔化、降温结晶、粉碎,得到贫锂多晶粉末B,将B装入坩埚上部;然后将坩埚在高温炉中进行扩散处理,扩散温度为1300~1500℃,扩散时间根据扩散温度和晶体的厚度确定,扩散温度越高、晶体厚度越小扩散时间越短,反之越长。经过扩散处理后,可以获得高质量的近化学计量比钽酸锂晶体。

    基于掺铒铌酸锂多孔材料的上转换绿光随机激光器

    公开(公告)号:CN102157898B

    公开(公告)日:2012-05-23

    申请号:CN201110064153.9

    申请日:2011-03-17

    Applicant: 南开大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于掺铒铌酸锂多孔材料的上转换绿光随机激光器。其特征在于其结构包括有:泵浦光源、准直透镜、聚焦透镜、斩波器、激光增益介质,其泵浦光源为波长980nm的红外激光器;其激光增益介质为掺铒铌酸锂多孔材料,利用其上转换特性及光子局域化特性可将980nm的激发光转化为绿光随机激光输出。本发明克服了现有光泵浦随机激光器发光波长无法覆盖至绿光波段以及使用成本偏高的问题,具有能够发射上转换绿光随机激光、使用成本低的优点。

    基于掺铒铌酸锂多孔材料的上转换绿光随机激光器

    公开(公告)号:CN102157898A

    公开(公告)日:2011-08-17

    申请号:CN201110064153.9

    申请日:2011-03-17

    Applicant: 南开大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于掺铒铌酸锂多孔材料的上转换绿光随机激光器。其特征在于其结构包括有:泵浦光源、准直透镜、聚焦透镜、斩波器、激光增益介质,其泵浦光源为波长980nm的红外激光器;其激光增益介质为掺铒铌酸锂多孔材料,利用其上转换特性及光子局域化特性可将980nm的激发光转化为绿光随机激光输出。本发明克服了现有光泵浦随机激光器发光波长无法覆盖至绿光波段以及使用成本偏高的问题,具有能够发射上转换绿光随机激光、使用成本低的优点。

    超声驱动光纤绕组滤波器
    85.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101846817A

    公开(公告)日:2010-09-29

    申请号:CN201010171812.4

    申请日:2010-05-14

    Applicant: 南开大学

    Abstract: 一种超声驱动光纤绕组滤波器。解决现有超声光纤窄带滤波器占用空间大,超声驱动角锥只能驱动单一光纤的问题。本发明滤波器包括一个楔形超声聚能器,粘接于楔形聚能器底部的压电驱动器(超声换能器),粘接于压电驱动器底部的吸声材料,以及粘接于楔形角锥刃口处的光纤绕组。本发明对于特定波长在光纤中传播的光波实现滤波,解决了原有超声驱动光纤滤波器容易折断破损,超声驱动角锥不易加工的缺点,同时保持了一般的超声驱动光纤滤波器的基本特性,即滤波位置可调,滤波强度可调,可以直接应用于光纤通路的优点。

    掺锡铌酸锂晶体
    86.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101550598A

    公开(公告)日:2009-10-07

    申请号:CN200910068819.0

    申请日:2009-05-13

    Applicant: 南开大学

    Abstract: 本发明公开了一种掺锡铌酸锂晶体,在铌酸锂晶体中掺入有锡离子Sn4+,所述锡离子Sn4+的掺入量为0.1~6.0mol%(摩尔百分比),且铌酸锂晶体中含有比例为(0.93~1.41)∶1的锂离子Li1+与铌离子Nb3+。本发明公开的掺锡铌酸锂晶体具有掺杂阈值低,抗光折变能力较强,且易于生长等优点。本发明的掺锡铌酸锂晶体的抗光折变能力比同成份铌酸锂晶体提高了4个量级,比同成分掺镁铌酸锂晶体提高了1个量级,因此其作为一种掺杂阈值低、抗光折变能力强、且易于生长的光学材料,可以完全取代高掺镁铌酸锂晶体的应用,具有巨大的市场前景和重大的生产实践意义。

    铌酸锂pn结及其制备方法
    87.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100510204C

    公开(公告)日:2009-07-08

    申请号:CN200710058844.1

    申请日:2007-08-16

    Applicant: 南开大学

    Abstract: 一种铌酸锂pn结及其制备方法。铌酸锂pn结是将两种不同载流子类型的铌酸锂晶体结合在一起,其结晶化学式可表示为:p:LiNbO3/n:LiNbO3,其中,p是镁、铟、锌、铪、锆等抗光折变掺杂元素中的一种或几种的组合,n是铁、铜、锰、铈等光折变掺杂元素中的一种或几种的组合。制备方法是,用提拉法生长p:LiNbO3晶体,切成p:LiNbO3晶片,作为液相外延的衬底;配制n:LiNbO3粉料,先升温熔融,再降至熔点;将第一步中的衬底焙烧,放入熔体中外延生长,将外延晶片抽离熔体,降至室温;外延晶片单面抛光,可得铌酸锂pn结。本发明铌酸锂pn结具备有正向导通、反向截至的整流特性。它将铌酸锂优良的电光性能与pn结有机地结合起来,可作为集成光电子学的平台,具有突破性的意义及巨大的市场前景。

    制备化学计量比铌酸锂或钽酸锂晶片的方法

    公开(公告)号:CN101275275A

    公开(公告)日:2008-10-01

    申请号:CN200710151176.7

    申请日:2007-12-21

    Applicant: 南开大学

    Abstract: 一种制备化学计量比铌酸锂或钽酸锂晶片的方法。该方法可以制备化学计量比铌酸锂或钽酸锂晶片。其具体过程是,将铌酸锂或钽酸锂晶片和含锂化合物放置在密闭容器中,将密闭容器内部抽真空,使真空度小于0.5帕,并将容器内部保持一定的高温,用高纯氩气调节内部气氛中各种组分的分压,以防止晶片表面出现龟裂。经过长60小时~120小时的处理,获得化学计量比铌酸锂或钽酸锂晶片。本发明与传统VTE方法(申请专利号:01144332.4)比较,用含锂化合物代替多晶料,第一可以反复使用,大大降低成本;第二可以提高气氛中的锂含量,从而提高扩散速度,减少扩散时间;第三可以通过氩气来调节气氛中的锂含量,从而可以使用不同蒸气压的含锂化合物。

    双掺铌酸锂晶体
    89.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101169569A

    公开(公告)日:2008-04-30

    申请号:CN200710150590.6

    申请日:2007-11-30

    Applicant: 南开大学

    Abstract: 一种双掺铌酸锂晶体,本发明属非线性光学晶体领域。其化学式可表示为:LiNbO3∶Fe,Zr,其中Fe2O3的掺杂范围是:0.01~0.05wt%,ZrO2的掺杂范围是0.4~6.0mol%。本发明将抗光折变掺杂离子Zr4+和光折变离子Fe3+共同掺入铌酸锂晶体中,具有掺杂阈值低,易于生长出高品质晶体的特点,且晶体具有优异的光折变性能,其光折变响应时间比掺铁铌酸锂晶体缩短两个量级,比镁铁双掺铌酸锂晶体减少近1个量级,比铪铁双掺铌酸锂晶体缩短了五倍;光折变灵敏度比铪铁双掺铌酸锂晶体提高了2~3倍。本发明之锆铁铌酸锂晶体,具有优于其它双掺(如镁铁、铟铁、锌铁、铪铁等)铌酸锂晶体光折变性能的特点,因此在三维体全息存储的应用上具有巨大的市场前景。

    熔体注入法生长近化学比铌酸锂晶体系统及其工艺

    公开(公告)号:CN1330798C

    公开(公告)日:2007-08-08

    申请号:CN200410019454.X

    申请日:2004-05-31

    Applicant: 南开大学

    Abstract: 本发明涉及一种近化学比铌酸锂晶体的生长,特别是用熔体注入法生长的系统及其工艺。由于铌酸锂晶体不是同成分共熔,结晶出来的固体成分与熔体成分不一致,难以得到成分均匀的晶体。本发明提供一种采用熔体注入法,系统包括晶体生长炉、供料炉、回路调节器、中频电源、工控计算机和配套软件等7大部分:在晶体生长中,判断晶体生长量和供料炉注入熔融原料量之间的平衡,使注入生长坩埚的熔融原料量与晶体的生长量保持平衡,从而使晶体生长坩埚中原料的成分保持恒定;本发明的有益效果:具有加料连续性好、晶体成分波动小,光学均匀性好以及自动化程度高等优点,设备比较简单,有利于产业化生产,也可以用来进行其它类似非同成分共熔晶体的生长。

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