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公开(公告)号：CN102779072B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201210199953.6
申请日：2012-06-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F9/48
Abstract: 本发明提供一种嵌入式系统及其应用进程的休眠与唤醒方法，该嵌入式系统由传统的非易失主存及DRAM内存构成存储架构，非易失主存又由引导程序存储区、内核存储区、文件系统存储区、以及进程镜像备份区组成，其中，进程镜像备份区划分有镜像索引区和镜像数据保存区，可实现应用进程挂起到非易失存储器。本发明可实现系统级以及单进程的休眠，使进程休眠、唤醒管理更加灵活、方便，可降低传统嵌入式系统休眠唤醒的数据备份及恢复的工作量以及系统休眠时数据备份所占用的大量存储空间，从而提高嵌入式系统运行效率。
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公开(公告)号：CN101661992B
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN200810042218.8
申请日：2008-08-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种相变存储单元器件结构。其特点在于：1.相变存储单元下方有一个面积较小的加热电极和一个或多个面积较大的引流电极；2.可逆相变区域被严格控制在较小的电极周围；3.可逆相变区域外的相变材料处于结晶与稳定状态，呈现稳定和较高的电导率；4.整个相变存储单元的相变材料除电极外被高密度的SiO2等介质材料包覆。优势在于：减小相变存储单元的热扩散，提高加热效率，降低操作电流，减小功耗；防止原子扩散，保证相变材料成分稳定；提高可逆相变区域材料的成核生长速率，提高存储速度，提高其与小电极接触的有效性与可重复性；解决相变材料与顶层金属粘附性差的问题；简化工艺步骤，提高工艺的可集成性。
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公开(公告)号：CN103019955A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201110300660.8
申请日：2011-09-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F12/08
Abstract: 本发明提供一种基于PCRAM主存应用的内存管理方法，应用在由CPU、内存以及外存构建的系统中，该内存管理方法是：将DRAM缓存作为PCRAM主存的缓存，系统将DRAM缓存中的闲置页以循环均衡方式置换到PCRAM主存；于CPU执行写数据的操作时，CPU检测DRAM缓存中是否存在要写的数据页，存在则将数据写入DRAM缓存，否则将要写的数据页由PCRAM主存读入到DRAM缓存之后再进行写操作，实现了CPU写操作时对PCRAM主存所需求的擦写次数及写速度、疲劳特性等性能的需求；于CPU执行读数据的操作时，CPU首先访问DRAM缓存，并在DRAM缓存中未读取到要访问的数据页时，CPU访问PCRAM主存进行读取，实现CPU可直接读取DRAM缓存及PCRAM主存内的数据，大大节省了系统读操作时的工作量。
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公开(公告)号：CN102866896A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201110186989.6
申请日：2011-07-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F9/445
Abstract: 本发明提供一种基于单存储器的嵌入式设备的启动系统，其至少包括：中央处理器，系统总线，外围总线设备，以及一单类型存储器，其中，所述单类型存储器通过所述系统总线与所述中央处理器连接，所述单类型存储器划分有启动程序存储区、内核存储区、文件系统存储区、以及系统RAM区，以使所述嵌入式设备在常规和XIP的两种启动模式下执行启动作业，进而可实现存储空间的共享，根据需求可以调整各个存储区的大小，便于实现软件升级及嵌入式设备的高效运行；同时可简化CPU接口，节约I/O引脚数量，在一些应用中甚至可以使用不带DRAM控制器的CPU以达到节约成本的目的。
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公开(公告)号：CN102750985A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201110100806.4
申请日：2011-04-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供的一种电可编程开关电路，包括：具有第一连接端及接地端的相变单元。本发明提供的另一种电可编程开关电路，包括：具有第一连接端及第二连接端的第一相变单元，且所述第一连接端及第二连接端都非接地端；以及与所述第一连接端连接以便能与所述相变单元构成电流通路的环路器件。由前所述，通过控制流入相变单元的电流可实现对电可编程开关电路的多次可逆编程。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102231597A
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN201110190021.0
申请日：2011-07-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H02M3/07
Abstract: 本发明提供一种电荷泵及其工作方法，包括：包括多个第一受控开关、第二受控开关、及至少两个电荷转移电容的电荷转移电路；连接在所述电荷转移电路输出端的稳压电容；用于根据输入的模式信号输出相应的参考电压的参考电压发生电路；用于比较参考电压与一个电荷转移电容的端电压，以输出控制第二受控开关开闭的控制信号的比较电路；以及控制信号产生电路，用于根据输入的模式信号提供相应多个分别用于控制一个第一受控开关开闭的控制信号，以使包括与比较电路连接的电荷转移电容在内的至少一电荷转移电容在不同模式下通过第一受控开关与第二受控开关的开闭来重复工作在充电与向所述稳压电容转移电荷的工作状态，从而使所述稳压电容输出期望电压。
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公开(公告)号：CN101552603B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200910050914.8
申请日：2009-05-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03K19/0175 , G11C11/4063 , G11C11/413 , G11C13/00 , G11C16/06
Abstract: 一种相变存储单元的读写驱动电路，其包括：用于提供待读写的相变存储单元所需电流的电流源电路；用于将电流源电路所提供的电流转换为多路镜像电流的镜像电路；与多个脉冲信号输入端相连接且用于根据待读写的相变存储单元当前所要进行的操作选择相应输入的脉冲信号的脉冲选择电路；用于根据所选择的脉冲信号选取所述镜像电路输出的一路镜像电流，并将其输出至待读写的相变存储单元的电流控制电路；与写信号输入端相连接且用于监视写入的数据是否正确的写监视电路；用于根据待读写的相变存储单元的电流确定所述待读写的相变存储单元的电压降，进而确定所述待读写的相变存储单元所存储的数据的读数据电路，由此实现对相变存储单元的读写驱动。
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公开(公告)号：CN101777389A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN201010101396.0
申请日：2010-01-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种获得相变存储器单元相变区半径的系统及方法，该方法包括以下步骤：步骤一，根据相变存储器单元的结构建立电压、电流、温度、时间和相变存储器单元相变区半径的关系模型；步骤二，对相变存储器单元进行Set操作，获取Set操作的电压-电流曲线；步骤三，通过所述Set操作的电压-电流曲线获取所述关系模型的中间参数，得出相变存储器单元相变区半径。本发明通过对相变区半径的获得确定相变的范围，为相变存储器单元的疲劳特性研究提供支持，同时也为相变存储器单元的保持特性研究提供一种手段。
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公开(公告)号：CN101329894A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200810040948.4
申请日：2008-07-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C7/10
Abstract: 本发明涉及一种新型存储系统，它充分发挥相变存储器的优点，结合当今与未来擦、写速度更快与循环次数更高的存储器来实现低压、低功耗、高速与长寿命的功效。这种新型存储系统，对相变存储块进行实时的探测，以读写频率为依据，对不同的相变存储块采用不同的读写方式，通过设定读写操作频率的参考值以及主体存储器部分与副体存储器部分的容量比例来调节整个存储系统的读写次数、速度和功耗。它的另一个优点是仅仅只需修改少量的参数便可以设计出完全不同的相变存储芯片，同时也使不同应用领域的相变存储器设计纳入到一个体系中。
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公开(公告)号：CN119536438A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411590368.8
申请日：2024-11-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明涉及一种电流绝对值产生电路，包括：电流比较电路，用于根据基尔霍夫定律产生等于第二电流源和第一电流源的差值的第一电流；翻转电流比较电路，用于根据基尔霍夫定律产生等于第一电流源和第二电流源的差值的第二电流，电流绝对值输出电路，用于输出所述第一电流或所述第二电流的绝对值。本发明能够将实时测量的目标图像像素与训练目标像素之间差别转换成电流的差值。
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