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公开(公告)号：CN1305086C
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200410009961.5
申请日：2004-12-03
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种利用表面活化剂抑制界面反应的方法，涉及磁性多层膜的制备方法。本方法是在清洗干净的玻璃基片上依次沉积钽Ta(50～120)/氧化镍NiO(60～100)/铋Bi(或Pb、In等)(2～30)/镍铁NiFe(30～100)/钽Ta(50～90)。本发明由于采用表面活化剂Bi(或Pb、In等)插入自旋阀巨磁电阻多层膜或隧道结中的反铁磁NiO/铁磁NiFe薄膜界面，NiO与NiFe间的界面反应被抑制，其交换耦合场Hex比不插表面活化剂Bi(或Pb、In等)的交换耦合场Hex提高最大可达80%，具有制备方便、不需要磁场热处理、成本低、交换耦合场Hex提高明显等优点。
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公开(公告)号：CN1297953C
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200410101847.5
申请日：2004-12-28
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种制备双垂直自旋阀的方法及其结构，采用玻璃或单晶硅基片，通过等离子体溅射、磁控溅射或者分子束外延生长手段制备而成的一种金属多层膜结构，然后通过照相平版印刷或电子束印刷、离子刻蚀的手段分别在金属多层膜的顶层和底层膜面制作出两个电极，使该自旋阀在工作时，信号电流的流动方向垂直于金属多层膜膜面。本发明的优点在于将电流垂直薄膜平面与磁各向异性易轴垂直薄膜面两个特征完美结合在一起大幅度的提高自旋阀的磁电阻效应；有效的改善了自旋阀的磁均匀性，使这种自旋阀材料加工到纳米级时，仍可保持单磁畴结构。
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公开(公告)号：CN1641750A
公开(公告)日：2005-07-20
申请号：CN200410101847.5
申请日：2004-12-28
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种制备双垂直自旋阀的方法及其结构，采用玻璃或单晶硅基片，通过等离子体溅射、磁控溅射或者分子束外延生长手段制备而成的一种金属多层膜结构，然后通过照相平版印刷或电子束印刷、离子刻蚀的手段分别在金属多层膜的顶层和底层膜面制作出两个电极，使该自旋阀在工作时，信号电流的流动方向垂直于金属多层膜膜面。本发明的优点在于将电流垂直薄膜平面与磁各向异性易轴垂直薄膜面两个特征完美结合在一起大幅度的提高自旋阀的磁电阻效应；有效的改善了自旋阀的磁均匀性，使这种自旋阀材料加工到纳米级时，仍可保持单磁畴结构。
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公开(公告)号：CN1614416A
公开(公告)日：2005-05-11
申请号：CN200410009962.X
申请日：2004-12-03
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种测量薄膜沉积速率的方法。将20～50氧化物薄膜或不易氧化金属薄膜沉积到玻璃基片或单晶硅基片上，利用角分辨X射线光电子能谱测定它们的厚度，这个厚度除以所用沉积时间，就是该薄膜材料的沉积速率。具体步骤为：将沉积到玻璃基片或单晶硅基片上的20～50氧化物薄膜或不易氧化金属薄膜送进超高真空的X射线光电子能谱仪中；实验时，通过改变α角度，收集Si 2p XPS谱图，当刚刚出现Si 2p峰时，停止数据收集，记下α值，由公式d＝3λsin α来算出薄膜材料厚度；该厚度除以所用薄膜沉积时间，就是该薄膜材料的溅射速率。本发明的优点在于：简化了测量方法，并实现了测量数据准确。
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公开(公告)号：CN1572727A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410042714.5
申请日：2002-05-14
Applicant: 中国科学院过程工程研究所 , 北京科技大学
Abstract: 本发明涉及的球形Zr(OH)4微颗粒的真空反应负压输送连续化制备装置，包括雾化发生器、真空反应器、颗粒收集器和抽真空装置，雾化发生器上端通过乳胶管和位于真空反应器顶部的雾滴导流管与真空反应器相连通，真空反应器底部通过位于其底部向上弯曲的氨气导流管和乳胶管与氨气瓶相连通，真空反应器上部通过乳胶管与颗粒收集器相连通；抽真空装置与颗粒收集器上部相连通；所述雾化发生器内顶部设有圆形细孔筛板；所述雾滴导流管伸至真空反应器的中部。该装置结构简单，使用方便工艺操作方便，适用于球形Zr(OH)4微颗粒的规模化、连续化生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114965155B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202210404058.7
申请日：2022-04-18
Applicant: 北京科技大学
IPC: G01N9/00
Abstract: 本发明提供一种基于排气法测定粉末材料表观密度的装置及测试方法，属于材料密度测定技术领域。该装置包括气体过滤与导向系统、气体温度稳定与测量系统、上端盖密封紧固系统、气路腔室集成模块、下端盖密封紧固系统、绝对压力传感器和样品杯；上端盖密封紧固系统、气路腔室集成模块、下端盖密封紧固系统和气体过滤与导向系统组成无管路气体密封体系。应用时，首先采用两个已知体积且体积不同的密实固体块校准气路腔室集成模块中的样品腔体积和参考腔体积，再通过压力传感器和温度传感器分别测定各步骤气体的绝对压力和温度，根据质量守恒定律计算粉末材料的体积，最后依据粉末材料质量计算其表观密度。该装置能够实现测试过程完全自动化。
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公开(公告)号：CN117738742A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202410122018.2
申请日：2024-01-29
Applicant: 北京科技大学
IPC: E21F17/18
Abstract: 本发明涉及煤矿安全设备技术领域，且公开了一种煤矿安全生产用监测装置，包括外护罩、内护罩、摄像头、框体和多个矿用瓦斯传感器，框体内套接有圆板，外护罩的边缘处通过螺栓与圆板的下端固定连接，外护罩的一侧开设有窗口，外护罩内侧固定连接有环形板，内护罩套接在环形板内并与外护罩形成一个空腔，空腔内设置有配气机构，配气机构由第一弯管、第二弯管、弯板和第三弯管组成，配气机构将空腔分割成多个腔室，使气流在多个腔室内流动时对内护罩的表面进行清洁处理。该煤矿安全生产用监测方法及装置，可以使监控设备高效的工作获取开采现场的画面，且可以实现自动清洁工作，同时还可以循环检测井下的空气质量和异常振动。
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公开(公告)号：CN117309672B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311598649.3
申请日：2023-11-28
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供一种脉动精准控制气体吸附与解吸的集成模块及控制方法，属于气体吸附测量技术领域。该集成模块包括主体模块、样品管模块、压力测量模块、气路密封模块和阀门模块，压力测量模块安装在主体模块上部，样品管模块安装在主体模块下部，该集成模块减少了漏气点，通过端面密封和径向密封减少了漏气率。针对大压差气源条件，采用脉冲定容与过滤渗透方式控制进气吸附过程；通过低阻直通与脉冲定容方式控制抽气解吸过程。本发明解决了气体吸附与解吸过程中由于压差过大导致进气速度过快而无法阶梯式定点控制吸附与解吸容量的问题。
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公开(公告)号：CN117309672A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311598649.3
申请日：2023-11-28
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供一种脉动精准控制气体吸附与解吸的集成模块及控制方法，属于气体吸附测量技术领域。该集成模块包括主体模块、样品管模块、压力测量模块、气路密封模块和阀门模块，压力测量模块安装在主体模块上部，样品管模块安装在主体模块下部，该集成模块减少了漏气点，通过端面密封和径向密封减少了漏气率。针对大压差气源条件，采用脉冲定容与过滤渗透方式控制进气吸附过程；通过低阻直通与脉冲定容方式控制抽气解吸过程。本发明解决了气体吸附与解吸过程中由于压差过大导致进气速度过快而无法阶梯式定点控制吸附与解吸容量的问题。
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公开(公告)号：CN116430916B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310674984.0
申请日：2023-06-08
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供一种基于渗透法精确控制小腔体气体压强集成装置及测试方法，属于密封小腔体气体压强精确控制技术领域。该装置包括气体测控与气路集成模块、气体渗透模块、座装电磁阀组模块、试管及试管安装模块。气体渗透模块安装在气体测控与气路集成模块前侧，座装电磁阀组模块安装在气体测控与气路集成模块后侧，试管及试管安装模块安装在气体测控与气路集成模块下侧。该装置通过气体渗透模块减小气体进入与抽出密封小腔体的速率，通过座装电磁阀组模块控制进入与抽出密封小腔体气体的通断，从而实现对气体测控与气路集成模块内密封小腔体压强的精确控制。该装置能实现对进入与抽出密封小腔体的气体速率的阶梯式控制，避免漏气现象。
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