公开(公告)号：CN108069416B

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201611019880.2

申请日：2016-11-14

申请人： 北京大学

发明人： 刘忠范 ,  彭海琳 ,  林立 ,  张金灿

IPC分类号： C01B32/186

摘要： 本发明公开了一种超洁净石墨烯及其制备方法。本发明提供的制备超洁净石墨烯的方法，包括如下步骤：将泡沫铜置于铜基底上方并贴靠后，通入碳源气体和氢气进行化学气相沉积，沉积完毕即在所述铜基底与所述泡沫铜接触的一面得到所述超洁净石墨烯。该制备方法简单，可大规模生产，连续洁净面积达到亚厘米级，能适用于电子学、光学等方面的应用。

公开(公告)号：CN110407197A

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201910665275.X

申请日：2019-07-23

申请人： 北京大学

发明人： 段小洁 ,  孟雪娟 ,  刘忠范 ,  刘开辉

IPC分类号： C01B32/186 ,  C01B32/194 ,  C03C17/22 ,  C23C16/26 ,  B05D1/02 ,  B05D7/24 ,  B05D5/00 ,  A61L31/08

摘要： 本发明公开了一种利用石墨烯包覆层改善与血液相接触的生物材料及器械血液相容性方法。本发明要求保护石墨烯或石墨烯包覆层在提高生物材料和/或器械的血液相容性中的应用。本发明还要求保护一种提高生物材料和/或器械的血液相容性的方法，该方法包括：在所述生物材料和/或器械的表面制备石墨烯包覆层。由于石墨烯具有很好的柔性，因此石墨烯可以有效全部覆盖生物材料或器械表面，可以改善原本生物材料或器械的血液相容性，因此不会对生物组织造成额外负担。由于石墨烯的高度不渗透性和化学惰性，同时石墨烯还具有较好的机械性能可以有效提高生物材料或器械的生物安全性和相容性。

公开(公告)号：CN107354506B

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201710522321.1

申请日：2017-06-30

申请人： 北京大学

发明人： 彭海琳 ,  邓兵 ,  刘忠范

IPC分类号： C30B23/02 ,  C30B29/02 ,  C23C14/18 ,  C23C14/35

摘要： 本发明公开了一种制备超平整铜单晶薄膜的方法。本发明提供的制备铜单晶薄膜的方法，包括如下步骤：以蓝宝石单晶作为生长基底，磁控溅射铜靶，退火，得到所述铜单晶薄膜。本发明采用蓝宝石作为铜的外延生长基底，采用磁控溅射的方法，在c面蓝宝石基底表面沉积了取向一致的铜薄膜，并且在随后的退火过程中，取向一致的铜熟化长大成为取向一致的无面内孪晶的单晶铜(111)薄膜。这种方法制备得到的单晶铜(111)薄膜，表面及其平整，直径可控，重复性高，在通讯、电子、石墨烯制备等领域具有非常广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN107190315B

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201710523050.1

申请日：2017-06-30

申请人： 北京大学

发明人： 彭海琳 ,  邓兵 ,  刘忠范

IPC分类号： C30B29/02 ,  C30B29/64 ,  C30B25/18

摘要： 本发明公开了一种制备超平整无褶皱石墨烯单晶的方法。该方法包括：将铜(111)单晶薄膜/蓝宝石对叠，使蓝宝石面在外，铜(111)单晶薄膜面在内，先退火再进行常压化学气相沉积，沉积完毕即在所述铜(111)单晶薄膜表面得到所述石墨烯单晶薄膜。本发明采用超平整铜(111)单晶以及合适的化学反应窗口制备了超平整石墨烯单晶。超平整石墨烯单晶的平整度达到0.5nm，表面无褶皱，远优于普通铜箔上生长的石墨烯。超平石墨烯具有远优于粗糙石墨烯的性能，包括抗氧化性能和导电性能。

公开(公告)号：CN106629685B

公开(公告)日：2019-03-12

申请号：CN201611232796.9

申请日：2016-12-28

申请人： 北京大学

发明人： 刘忠范 ,  彭海琳 ,  任华英 ,  汤淼

IPC分类号： C01B32/186 ,  C01B32/194

摘要： 本发明公开了一种具有多级结构的三维石墨烯泡沫及其制备方法。所述多级结构的三维石墨烯泡沫是泡沫金属骨架的三维石墨烯基体表面生长有石墨烯纳米片；去除金属骨架后得自支撑的具有多级结构的三维石墨烯泡沫，在三维石墨烯基体表面生长有石墨烯纳米片；所述石墨烯纳米片的长度为50nm‑500nm，密度为1012‑1014个/m2。本发明还提供多级结构的三维石墨烯泡沫的制备方法，可用于大规模生产，制得多级结构的三维石墨烯泡沫的尺寸可达300平方厘米，该石墨烯泡沫质量高，吸光率高，比表面积大，适用于储能与太阳能转化的应用。

公开(公告)号：CN109338511A

公开(公告)日：2019-02-15

申请号：CN201811457014.0

申请日：2018-11-30

申请人： 北京石墨烯研究院 ,  北京大学

发明人： 刘忠范 ,  崔光 ,  程熠

IPC分类号： D01F8/18

摘要： 本发明提供一种石墨烯复合纤维的连续生产装置及制备方法，包括：炉体；炉膛，位于所述炉体内并贯穿所述炉体；双侧密封舱室，分别位于所述炉体的左右两侧，并各自设有与所述炉膛相通的传送口，所述双侧密封舱室中的一个设有进气端，另一个设有出气端；送丝转轮，位于设有所述出气端一侧的密封舱室内；收丝转轮，位于设有所述进气端一侧的密封舱室内。该装置可实现石墨烯复合纤维的连续化生产，生产效率高、操作简便。采用本发明的方法制备的石墨烯复合纤维具有导热性能好、稳定性高的特点，具有更加广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN109244226A

公开(公告)日：2019-01-18

申请号：CN201811094802.8

申请日：2018-09-19

申请人： 北京石墨烯研究院 ,  北京大学

发明人： 刘忠范 ,  慈海娜 ,  高鹏

IPC分类号： H01L33/64

摘要： 本发明一实施方式提供了一种复合膜、半导体器件及半导体，该复合膜包括垂直结构石墨烯层和第三代半导体材料层，第三代半导体材料层设置于所述垂直结构石墨烯层上。本发明一实施方式的复合膜，可用于LED器件。

公开(公告)号：CN108950683A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201710372584.9

申请日：2017-05-24

申请人： 北京大学

发明人： 刘忠范 ,  彭海琳 ,  林立 ,  孙禄钊 ,  张金灿

IPC分类号： C30B29/02 ,  C30B29/64 ,  C30B25/00 ,  C23C16/26 ,  C23C16/02

摘要： 本发明公开了一种高迁移率氮掺杂大单晶石墨烯薄膜及其制备方法。氮掺杂大单晶石墨烯薄膜中氮原子以石墨型氮掺杂于石墨烯晶格中；氮原子的掺杂形式为簇状掺杂；至少3个氮原子与碳原子形成簇状结构镶嵌于石墨烯薄膜中。氮掺杂大单晶石墨烯薄膜的制备方法包括如下步骤：采用还原性气体和含氮碳源气体作为生长气氛，利用化学气相沉积法在生长基底上生长单晶石墨烯岛；在氧化性气氛中对单晶石墨烯岛进行钝化处理；钝化处理结束后，利用化学气相沉积法进行石墨烯再生长即得。本发明氮掺杂大单晶石墨烯薄膜可用于透明导电薄膜、透明电极、高频电子器件、发光器件、光伏器件、光电探测器件、电光调制器件、散热器件或疏水性器件封装中。

公开(公告)号：CN108565495A

公开(公告)日：2018-09-21

申请号：CN201810383193.1

申请日：2018-04-26

申请人： 北京石墨烯研究院 ,  北京大学

发明人： 彭海琳 ,  王铭展 ,  单婧媛 ,  王可心 ,  刘忠范

IPC分类号： H01M10/0566 ,  H01M10/0525 ,  H01M4/66

CPC分类号： H01M10/0525 ,  H01M4/663 ,  H01M10/0566

摘要： 提供一种高压锂离子电池，包括电解液、正极和负极，所述正极包括集流体、正极活性材料、导电添加剂和粘结剂，所述集流体是由碳材料制成，所述电解液包括酰亚胺类化合物和/或三氟甲基磺酸锂。本发明高压锂离子电池采用碳材料作正极集流体，具有高耐电化学腐蚀性，可以有效解决现有使用低浓度酰亚胺类和/或三氟甲基磺酸锂的电解液的高压锂离子电池中铝箔被腐蚀的问题。

公开(公告)号：CN108447773A

公开(公告)日：2018-08-24

申请号：CN201810253431.7

申请日：2018-03-26

申请人： 北京石墨烯研究院 ,  北京大学

发明人： 彭海琳 ,  刘忠范 ,  邓兵 ,  唐际琳

IPC分类号： H01L21/02

摘要： 提供一种石墨烯单晶薄膜的制备方法，包括下述步骤：S1，在蓝宝石单晶基底上形成Cu(111)单晶薄膜；S2，在所述Cu(111)单晶薄膜上形成镍薄膜；S3，将镍/铜(111)/蓝宝石进行高温退火处理得到铜镍单晶合金层；以及S4，采用常压化学气相沉积在所述铜镍单晶合金层上生长所述石墨烯单晶薄膜。本方法可以制备4英寸尺寸的石墨烯单晶，有望为石墨烯电子器件的应用提供材料基础。