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公开(公告)号：CN101207009A
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200710161139.4
申请日：2007-12-18
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/265 , H01L21/336 , H01L21/762 , H01L21/84
CPC classification number: H01L21/76254
Abstract: 一种SOI基板的制造方法，包括：离子注入工艺，此工艺是在硅基板的主面侧，形成氢离子注入层；表面处理工艺，此工艺是对绝缘性基板和上述硅基板的至少其中一方的主面，施行活性化处理；贴合工艺，此工艺是贴合上述绝缘性基板的主面和上述硅基板的主面；以及剥离工艺，此工艺是从上述贴合基板的上述硅基板，机械性地剥离硅薄膜，而在上述绝缘性基板的主面上，形成硅膜；上述离子注入工艺中的上述硅基板的温度，保持在400℃以下。本发明的方法可抑制剥离后的SOI膜的表面粗糙度，确保SOI基板的全部表面有均匀的SOI膜的厚度。由于全部是低温工艺，又可抑制转印缺陷或滑移错位等的发生，而得到高品质的SOI晶片。
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公开(公告)号：CN101179014A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200710186310.7
申请日：2007-11-12
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/265 , H01L21/324 , H01L21/02 , H01L21/762 , H01L21/84
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L27/1266 , H01L29/78603
Abstract: 本发明提供一种将高品质的硅薄膜转印在低熔点物质的衬底上而成的半导体衬底。本发明的方法为：以1.5×1017atoms/cm2以上的掺杂量，将氢离子注入单结晶硅衬底(10)的表面(主面)，形成氢离子注入层(离子注入损伤层)(11)。通过此氢离子注入，形成氢离子注入界面(12)。贴合此单结晶硅衬底(10)和低熔点玻璃衬底(20)。以120℃以上250℃以下(但是，不超过支持衬底的熔点温度)的比较低的温度，加热贴合状态的衬底，进而利用赋予外部冲击，将热处理后的贴合衬底，沿着单结晶硅衬底(10)的氢离子注入界面(12)，剥离Si结晶膜。然后，对所得到的硅薄膜(13)的表面进行研磨等，除去损伤，而得到半导体衬底。
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公开(公告)号：CN101174659A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200710185124.1
申请日：2007-10-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/068
CPC classification number: H01L31/1804 , H01L31/1896 , Y02B10/10 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 一种单晶硅太阳能电池的制造方法，包含：将氢离子或稀有气体离子注入单晶硅基板的工序；形成透明导电性膜于透明绝缘性基板的表面的工序；于该单晶硅基板的离子注入面及/或该透明绝缘性基板上的该透明导电性膜的表面，进行表面活化处理的工序；贴合该单晶硅基板的离子注入面与该透明绝缘性基板上的该透明导电性膜表面的工序；对该离子注入层施予冲击，机械性剥离该单晶硅基板，形成单晶硅层的工序；以及于该单晶硅层形成pn结的工序。由此，提供一种单晶硅太阳能电池，于硅太阳能电池中，为了有效活用其原料(硅)而将光变换层制成薄膜，且变换特性优异，并且因光照射产生的劣化少，所以可使用作为住宅等的采光窗材料的透视型太阳能电池。
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公开(公告)号：CN118891404A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202380027724.2
申请日：2023-02-02
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C30B25/18 , C30B29/38 , H01L21/205
Abstract: 本发明的目的在于，获得结晶缺陷少、高品质且廉价的AlN、AlxGa1‑xN(0 单晶的层。
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公开(公告)号：CN114901876B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202080092360.2
申请日：2020-12-03
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C30B29/38 , C23C16/34 , C30B25/20 , H01L21/205
Abstract: 本发明的III族氮化物基板的制造方法包括以下工序：在基板的两面形成表面为III族元素面的III族氮化物膜，制作III族氮化物膜担载体；对III族氮化物膜担载体的III族氮化物膜进行离子注入，在III族氮化物膜上形成离子注入区；将已进行离子注入的III族氮化物膜与主要成分为III族氮化物的多晶基底基板贴合，将III族氮化物膜担载体接合于基底基板；使III族氮化物膜担载体从基底基板上分离，将离子注入区转印至基底基板，在基底基板上形成表面为N面的III族氮化物膜；以及利用THVPE法在基底基板的表面为N面的III族氮化物膜上形成III族氮化物膜，制作III族氮化物膜的厚膜。本发明的III族氮化物基板是利用本发明的III族氮化物基板的制造方法制造的。根据本发明，可提供：可制造大口径和高品质的III族氮化物基板的III族氮化物基板的制造方法；以及利用该制造方法制造的III族氮化物基板。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118489086A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202280086771.X
申请日：2022-10-31
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供一种防尘薄膜组件框架及使用所述防尘薄膜组件框架的防尘薄膜组件，能够防止在制作框架的加工时残存于框架上的灰尘、异物的排出、生成，并且也能够抑制在移动时、保管时、使用时等新形成的灰尘、异物的产生，另外，即使在灰尘、异物附着于框架的情况下，也能够容易地将其洗掉等。本发明提供一种防尘薄膜组件框架以及具有所述防尘薄膜组件框架的防尘薄膜组件，所述防尘薄膜组件框架具有：框架母材，包含Ti或Ti合金；以及金属层，层叠于所述框架母材的表面，且所述防尘薄膜组件框架中，所述金属层包含一层或多层，所述防尘薄膜组件框架的表面具有所述金属层的最表面层，当根据JIS B0601，使用激光显微镜以1200倍的倍率对所述最表面层的表面进行测定时，至少在内侧面具有算术平均表面粗糙度Ra为0.10μm以下的区域。
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公开(公告)号：CN118140178A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202280071247.5
申请日：2022-08-23
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/62
Abstract: [问题]为了应对特别是在EUV曝光中所要求的严苛的使用条件，而实现与贯通防护膜框架而设置的通气口贴靠的过滤器的高性能化。[解决方案]本发明的防护膜包括：防护膜框架；极薄的防护膜片，设置于所述防护膜框架的上端面；通气口，设置于所述防护膜框架；以及过滤器，堵塞所述通气口，所述过滤器包含片材以及支撑体，所述片材的一部分或全部包含纳米纤维或碳纳米管中的至少一者，所述支撑体具有支撑所述片材的开口部。
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公开(公告)号：CN112585305B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN201980052719.0
申请日：2019-08-01
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C30B29/38 , C23C16/02 , C23C16/34 , C30B33/06 , H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/265 , H01L27/12
Abstract: 将偏角0.5～5度的C面蓝宝石薄膜(1t)转印至由800K下的热膨胀率比硅大、比C面蓝宝石小的陶瓷材料构成的操作基板上，从而制作GaN外延生长用基板(11)；进行GaN外延生长用基板(11)的高温氮化处理而将C面蓝宝石薄膜(1t)表面用由AlN构成的表面处理层(11a)被覆；使GaN在该表面处理层(11a)上外延生长，制作表面由N极性面构成的GaN膜负载体；对GaN膜(13)进行离子注入；将经离子注入的GaN膜负载体的GaN膜侧表面与支撑基板(12)贴合以接合；在GaN膜(13)中的离子注入区域(13ion)进行剥离而将GaN薄膜(13a)转印至支撑基板(12)上，得到在支撑基板(12)上具有表面由Ga极性面构成的结晶性和平坦性良好的GaN薄膜(13a)的GaN层叠基板(10)。
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公开(公告)号：CN115461502A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202180034073.0
申请日：2021-05-07
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明的III‑V族化合物晶体用基底基板(1)具备：陶瓷芯层(2)、封入陶瓷芯层(2)的杂质封入层(3)、杂质封入层上的接合层(4)和接合层上的加工层(5)，杂质封入层(3)是以SiOxNy(这里，x=0～2、y=0～1.5、x+y>0)的组成式表示的组合物的层，接合层(4)是以SiOx’Ny’(这里，x’=1～2、y’=0～2)的组成式表示的组合物的层，加工层(5)是籽晶层。根据本发明，可提供用于得到大口径和高品质的III‑V族化合物晶体的III‑V族化合物晶体用基底基板及其制造方法。
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公开(公告)号：CN108140540B
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN201680049584.9
申请日：2016-09-07
Applicant: 信越化学工业株式会社 , CUSIC股份有限公司
Abstract: 本发明提供SiC复合基板的制造方法，其为在多晶SiC基板11上具有单晶SiC层12的SiC复合基板10的制造方法，其中，在由Si构成的保持基板21的单面设置单晶SiC层12而制作了单晶SiC层负载体14后，在该单晶SiC层12上采用物理的或化学的手段沉积多晶SiC，制作在保持基板21上将单晶SiC层12和多晶SiC基板11层叠的SiC层叠体15，然后以物理方式和/或化学方式将上述保持基板21除去。根据本发明，采用简便的制造方法得到具有结晶性良好的单晶SiC层的SiC复合基板。
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