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公开(公告)号：CN107925381A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680045951.8
申请日：2016-09-30
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H02S30/10 , H01L31/054 , H02S20/10 , H02S20/32
Abstract: 根据本公开的用于聚光型光伏装置的外壳包括具有上端、下端、内表面和外表面的侧壁，该侧壁由树脂构成，侧壁设置有贯穿侧壁的内表面和外表面的通气孔，通气孔从侧壁的内表面到侧壁的外表面在从侧壁的上端朝向侧壁的下端的方向上倾斜。根据本公开，可进一步提高光伏模块的发电效率，并且可抑制光伏模块由于诸如灰尘、水滴和异物的不希望的物质进入到壳体的内部而在性能上降低。
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公开(公告)号：CN107852129A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680040201.1
申请日：2016-06-14
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H02S30/10 , H02S20/10 , H02S20/30 , H02S20/32 , H01L31/054
Abstract: 一种用于聚光型光伏模块1M的壳体11安装结构，所述安装结构具有：底板15，底板15包括导电体，在导电体上布置多个电池12c；树脂侧壁框架16，树脂侧壁框架16沿着底板15的外边缘以竖立方式设置，并且保持面对底板15的聚光部13；一对框架8(支撑构件)，一对框架8是抵接底板15并且支撑模块1M的接地的导电体；以及用作紧固构件的螺栓25和螺母26，所述紧固构件是将一对框架8和底板15彼此紧固的导电体，螺栓25和螺母26将模块1M固定至一对框架8，并且形成从底板15至一对框架8的电连接路径。
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公开(公告)号：CN104584236B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201480002218.9
申请日：2014-03-12
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L31/054
CPC classification number: H01L31/0201 , H01L31/02008 , H01L31/0203 , H01L31/048 , H01L31/0504 , H01L31/0508 , H01L31/0512 , H01L31/0543 , H02S40/22 , Y02E10/52
Abstract: 一种聚光光伏模块(1M)，设有：由金属构成的器皿形壳体(11)；和柔性印刷线路板(12)，其设置为与壳体(11)的内表面接触。柔性印刷线路板(12)具有绝缘层(124)、绝缘基板(121a)、图案(121b)、多个发电元件(122)和绝缘层(126)。绝缘层(124)与壳体(11)的底面(11a)接触。绝缘基板(121a)设置在绝缘层(124)上，并且具有挠性。图案(121b)由导体构成，并且设置在所述绝缘基板(121a)上。多个发电元件(122)安装在图案(121b)上。绝缘层(126)设置为覆盖图案(121b)的除安装有发电元件(122)的部分以外的整个表面。
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公开(公告)号：CN105381990A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510523450.3
申请日：2015-08-24
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: B08B7/02
Abstract: 本发明涉及一种光伏系统和面板清洗方法。该光伏系统包括：支撑部；光伏面板，其由支撑部支撑以便能采取方位角和仰角的每一个中的任一角度的定向；驱动设备，其被配置成改变光伏面板的定向；以及控制设备，其被配置成在发电期间，使驱动设备驱动光伏面板，使得太阳光击中光伏面板，当执行清洗模式时，控制设备被配置成控制驱动设备，使得光伏面板采取便于通过使用包括雨、风、结露和重力的自然现象的至少一种，去除光伏面板的受光面的附着物的定向。
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公开(公告)号：CN102292833B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201080005491.9
申请日：2010-07-21
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L31/10
CPC classification number: H01L31/035209 , H01L21/02392 , H01L21/02458 , H01L21/02461 , H01L21/02463 , H01L21/02466 , H01L21/02507 , H01L21/02546 , H01L31/03042 , H01L31/03046 , H01L31/035236 , H01L31/109 , H01L31/184 , Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种III-V族化合物半导体受光元件，其具有含Sb作为V族构成元素的III-V化合物半导体层的受光层及n型InP窗层，且可减少暗电流。由于受光层(21)的GaAsSb层成长时所供给的锑的记忆效应，所以成长在受光层(21)上的InP层(23)中含有锑作为杂质。在III-V族化合物半导体受光元件(11)中，InP层(23)含有锑作为杂质，并且在InP层(23)中添加有硅作为n型掺杂剂。虽然InP层(23)中的锑杂质以生成空穴的方式作用，但添加至InP层(23)中的硅补偿该生成载体，从而InP层(23)的第二部分(23d)表现充分的n导电性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102265138B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN200980152617.2
申请日：2009-07-30
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: G01N21/3504 , G01N21/359 , G01J1/02 , G01J5/28 , H01L31/10
CPC classification number: G01J5/602 , G01J5/0044 , G01J2005/0077 , G01N21/3504 , G01N21/359 , G01N2021/3531 , G01N2201/0833 , G01N2201/0846 , H01L31/035209 , H01L31/1035 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 公开了一种气体监测装置，所述气体监测装置能够在没有冷却机构的情况下减小暗电流并且能够使用具有的光接收敏感性扩展到不小于1.8μm波长的InP基光电二极管以以高敏感性来监测气体。该气体监测装置的特征在于，该气体监测装置包括光接收层（3），其具有由III-V族半导体的多量子阱结构；pn结（15），其通过在光接收层中选择性地扩散杂质元素来形成，该光接收层中的杂质浓度不大于5×1016/cm3，以及该气体监测装置接收具有不大于3μm的至少一个波长的光以检测气体中所包含的气体成分等。
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公开(公告)号：CN102265411B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN200980152161.X
申请日：2009-07-24
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L31/10 , H01L21/203 , H01L21/205
CPC classification number: H01L31/035236 , B82Y20/00 , H01L21/02392 , H01L21/02461 , H01L21/02546 , H01L21/02549 , H01L21/02631 , H01L31/105 , H01L31/184 , Y02E10/544
Abstract: 本发明提供一种受光元件，其在近红外区域中具有灵敏度且其中易于获得良好的晶体品质，可在高准确度下容易地形成受光元件的一维或二维阵列，并能够降低暗电流；受光元件阵列；及其制造方法。所述受光元件包含III-V族化合物半导体层叠结构，所述层叠结构包含内部具有pn结15的吸收层3，其中所述吸收层具有由III-V族化合物半导体构成的多量子阱结构，所述pn结15通过将杂质元素选择性扩散到所述吸收层中而形成，将由III-V族半导体构成的扩散浓度分布控制层设置成和所述吸收层的一侧相接触，所述吸收层的所述一侧和所述吸收层的与所述III-V族化合物半导体衬底相邻的一侧相反，所述扩散浓度分布控制层的带隙能量比所述III-V族化合物半导体衬底的带隙能量小，选择性扩散到所述扩散浓度分布控制层中的所述杂质元素的浓度随着朝向所述吸收层而降低至5×1016/cm3以下。
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公开(公告)号：CN102959736A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201180032436.3
申请日：2011-06-15
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L31/10
CPC classification number: H01L31/035236 , B82Y20/00 , H01L31/03046 , H01L31/18 , H01L31/1844 , Y02E10/544
Abstract: 本发明提供了一种光电检测器及其制造方法，其中在从包括1.3μm的短波长侧到长波长侧的近红外区域上抑制灵敏度变化。该光电检测器包括在III-V族半导体衬底上包括GaAsSb层与InGaAs层的重复结构的II型多量子阱结构的吸收层，并在包括1.3μm和2.0μm波长的近红外区域中具有灵敏度。在1.3μm波长处的灵敏度与在2.0μm波长处的灵敏度的比率不小于0.5但不大于1.6。
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公开(公告)号：CN1855564B
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN200610077311.3
申请日：2006-04-26
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L2224/32245 , H01L2224/32257 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/10157 , H01L2924/3011 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种发光装置，包括：GaN衬底1；布置在GaN衬底1的第一主表面侧面上的n-型氮化物半导体衬底层(n-型AlxGa1-xN层3)；与n-型氮化物半导体衬底层相比更远离GaN衬底1布置的p-型氮化物衬底层(p-型AlxGa1-xN层5)；以及位于n-型氮化物半导体层和p-型氮化物半导体层之间的发光层(多量子阱(MQW)4)。p-型氮化物半导体层侧面被向下安装。此外，光从第二主表面1a发出，该第二主表面1a是与GaN衬底1的第一主表面相对的主表面。在GaN衬底的第二主表面上形成沟槽80。沟槽80的内周边表面包括其上执行表面处理以使该内周边表面光滑的部分(曲面部分)。
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公开(公告)号：CN100411208C
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200510133870.7
申请日：2005-12-19
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/025 , H01L33/22 , H01L2224/45015 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/00011 , H01L2924/10155 , H01L2924/10253 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/20752 , H01L2924/2076 , H01L2924/01049 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005
Abstract: 发光装置是包括：作为氮化物半导体基板的GaN基板(1)；在氮化物半导体基板的第(1)主表面一侧的n型AlxGa1-xN层(3)；从氮化物半导体基板看，远离n型AlxGa1-xN层(3)的p型AlxGa1-xN层(5)；位于n型AlxGa1-xN层(3)以及p型AlxGa1-xN层(5)之间的量子井(4)的发光装置。在此发光装置中，氮化物半导体基板的比电阻为0.5Ω·cm以下，向下安装p型AlxGa1-xN层(5)的一侧，从作为和氮化物半导体基板的第(1)主表面相反的一侧的主表面的第(2)主表面(1a)发射光。在氮化物半导体基板的第(2)主表面(1a)上形成槽(80)。由于构造简单，所以能够得到制造容易、在长时间能够安定地得到大的发光效率的发光装置。
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