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公开(公告)号：CN103956552A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410156412.4
申请日：2014-04-18
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01P5/12
Abstract: 本发明公开了一种微波功率分配器，包括相互连通成一体的耦合腔和矩形波导腔，以及耦接于耦合腔的偶数个耦合器，耦合腔外形呈正四棱柱形状，该正四棱柱的一侧面的中央部分在矩形波导腔终端短路面处与矩形波导腔相接并连通，在该侧面的相对侧面开有偶数个窗口，每个窗口中耦接一个用于耦合微波信号的耦合器；矩形波导腔为该微波功率分配器的主路端口，偶数个耦合器为该微波功率分配器的支路端口，且所有支路端口为等分端口。本发明提供的微波功率分配器合成效率高，插入损耗小，能够获得良好的输入输出驻波和宽频带特性，并且加工简单、装配方便，能够在实现波导到微带过渡的同时完成功率分配，或者在微带到波导过渡的同时完成功率合成。
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公开(公告)号：CN103928301A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410156492.3
申请日：2014-04-18
Applicant: 中国科学院微电子研究所
CPC classification number: H01L28/60
Abstract: 本发明公开了一种金属-介质-金属结构电容的制作方法，包括：在基板上涂光刻胶，并对光刻胶进行光刻、显影，在基板上形成下极板图形；在形成下极板图形的基板上蒸发多层金属，形成金属-介质-金属电容的下极板；在形成下极板的基板上淀积介质层；在淀积有介质层的基片上全片匀光刻胶，对光刻胶进行光刻、显影，在光刻胶上形成开孔；然后刻蚀去除开孔处的介质层，并将基片放入丙酮溶液中，去除光刻胶；在基片上全片匀光刻胶，对光刻胶进行光刻、显影，在光刻胶上形成上极板图形，然后在基片表面溅射起镀层；对溅射起镀层的基片整片涂覆光刻胶，对光刻胶进行光刻、显影，形成上极板图形以及压点图形；然后将基片放入电镀液中进行电镀，并将电镀完成的基片放入丙酮溶液中剥离，形成空气桥图形、电容上极板以及压点。
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公开(公告)号：CN102542077B
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201010589028.5
申请日：2010-12-15
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明涉及一种AlGaN/GaN HEMT小信号模型的参数提取方法，属于集成电路技术领域。所述参数提取方法是在传统的参数提取方法基础上进行的改进，采取开路去嵌图形进行外围寄生参数的提取，引入栅端肖特基电阻提取寄生电阻和电感，引入漏端延时因子提取内部本征参数，保证所提取的参数都是正值，并且都有物理意义，从而改善了小信号参数的S参数中S11和S22，在参数提取的过程中和两项经常容易出现负值，和的引入基本上消除它们出现负值的可能性，这些改进使得提取的参数精确度有了很大提高。
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公开(公告)号：CN102736011B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201210238641.1
申请日：2012-07-10
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G01N21/63
Abstract: 本发明公开了一种确定AlGaN/GaN基异质结沟道载流子寿命的方法，属于GaN基异质结构沟道量子阱中载流子驰豫物理机制技术领域。该方法根据“载流子峰值浓度—时间”平滑线散点图确定AlGaN/GaN基异质结沟道载流子的发光衰减时间，之后，在假定电子和空穴寿命相同的条件下，根据所述发光衰减时间确定AlGaN/GaN基异质结沟道载流子寿命。该方法能够对器件的物理机制进行深入的认识和对器件可靠性进行评价。
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公开(公告)号：CN103715077A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201410005105.6
申请日：2014-01-06
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/28 , H01L21/335
CPC classification number: H01L21/28008 , H01L21/28114 , H01L21/31058 , H01L21/31116
Abstract: 本发明公开了一种深亚微米U型栅槽的制作方法，该方法包括：在半导体外延材料表面生长栅介质；在栅介质上匀胶；对电子束光刻胶进行曝光及显影；对电子束光刻胶进行回流烘胶，固化胶截面形成刻蚀窗口；采用ICP刻蚀工艺对栅介质进行刻蚀；以及去胶形成U型栅槽。利用本发明，能够得到栅角圆滑的U型栅槽，有效降低了器件源漏间，尤其是栅漏间的峰值电场，提高了器件的击穿电压，减少了器件漏电，提高了器件效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103593581A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310629759.1
申请日：2013-11-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 杭州士兰微电子股份有限公司
IPC: G06F19/00
Abstract: 本发明公开了一种通过瞬态电流谱提取缺陷时间常数的方法，该方法包括：步骤a：测量GaN HEMT漏极电流的瞬态响应；步骤b：对所测瞬态电流进行非线性拟合；步骤c：建立缺陷时间常数与相对密度的关系，并根据相对密度确定缺陷时间常数。本发明是针对目前短栅长器件缺陷时间常数提取方法的设备依赖度高，调试难度大而提出的简化方案，也可以用于长栅长器件的缺陷时间常数提取。
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公开(公告)号：CN102118133B
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN200910312949.4
申请日：2009-12-31
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H03F1/56
Abstract: 本发明涉及一种具有适用于高频大功率器件的稳定网络的匹配电路，属于半导体器件和混合微波集成电路的技术领域。所述稳定网络50Ω系统、并联RC稳定网络、输入匹配电路和GaN高电子迁移率晶体管的管芯，输入匹配电路的输出端和GaN高电子迁移率晶体管的管芯相连，并联RC稳定网络的输入端与50Ω系统相串联，其输出端和输入匹配电路的输入端相串联。本发明具有适用于高频大功率器件的稳定网络的匹配电路在保证电路稳定性的同时，减少了稳定网络对内匹配功率器件的损耗，从而提高了器件的功率增益和输出功率。
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公开(公告)号：CN103236451A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310123551.2
申请日：2013-04-10
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L31/0236 , H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种结合氧化锌纳米线的硅超小绒面太阳电池及其制备方法，该硅超小绒面太阳电池包括：表面具有纳米柱结构的硅衬底；腐蚀该硅衬底的纳米柱结构形成的纳米超小绒面结构；对该具有纳米超小绒面结构的硅衬底进行扩散、清洗和刻边形成的PN结；在该硅衬底具有纳米超小绒面结构的表面形成的钝化层；在该钝化层上形成的叠层钝化层；在该叠层钝化层形成的氧化锌纳米线阵列；以及前电极和背电极。本发明将氧化锌纳米线阵列生长在硅纳米超小绒面上，利用硅纳米超小绒面的减反和陷光能力，提高电池对入射光的吸收和利用，并利用氧化锌纳米线的压电效应和导电性，克服了超小绒面电池存在的表面复合较大，电极接触不良等缺陷。
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公开(公告)号：CN103227242A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201310123564.X
申请日：2013-04-10
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种具有背面电极点接触结构的太阳能电池的制备方法，该方法包括：对n或p型太阳能电池片进行清洗制绒；对制绒后的电池片进行扩散制结；对扩散制结后的电池片进行前后表面的钝化；对钝化后的电池片进行退火处理；对电池片的背面进行激光烧蚀；对电池片的背面进行丝印铝浆并烘干；对电池片的前表面进行丝印银电极并烘干；以及对烘干后的电池片进行烧结处理。本发明能与现有电池制备工艺结合，相比传统的铝浆丝印接触方式来说，本发明制得的背面点接触电极，能更好的和硅表面有良好的接触，降低欧姆接触。此外，本方法制备工艺简单，具有较好的工艺稳定性。
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公开(公告)号：CN102237339B
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201010162251.1
申请日：2010-04-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓微波单片集成电路中的背面金属起镀层结构及其制备方法。所述金属起镀层结构淀积在芯片背面经过盲孔刻蚀后的SiC衬底层或Al2O3衬底层之上，与芯片正面需要接地的金属PAD(通常由钛/金金属构成)连通，或者与其他元件进行电气通路的连接，起镀层采用磁控溅射台溅射得到。本发明所采用的背面金属起镀层具有很好的稳定性和可靠性，与正面金属的连通性极高，可以极好地弥补盲孔刻蚀过程所引起的芯片背面的不平整性，为溅射背面起镀层的后续工艺——电镀软金传导层打下良好的基础，并且由此种背面金属起镀层所产生的附加串联电阻较小，对提高电路整体性能起到很大的作用。
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