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公开(公告)号：CN102128953B
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201010583972.X
申请日：2010-12-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01P15/125 , B81B3/00
Abstract: 本发明涉及一种对称倾斜折叠梁结构电容式微加速度传感器。所述的加速度传感器由一个对称的中心质量块、外部支撑框架、中心质量块与外部支撑框架相连接的八根对称倾斜折叠梁结构以及上、下盖板组成。对称的中心质量块由顶端质量块和底端质量块键合组成，每根倾斜折叠梁的内脚连接在中心质量块侧面的顶端或底端，外脚连接在外部支撑框架内侧面，整个结构上下对称。本加速度传感器的特点是弹性梁采用对称倾斜折叠梁结构，同时具有一定的对称性，有效的抑制了传感器的交叉轴灵敏度。微加速度传感器采用微电子机械系统技术制作，使器件能够形成更大尺寸的敏感质量块，使器件具有高的分辨率和灵敏度。
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公开(公告)号：CN101955151B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201010292178.X
申请日：2010-09-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于硅塑性变形原理的二维梳齿静电驱动器及其制作方法。其特征在于所述的静电驱动器的中央可动平台通过四根直梁连接到内部支撑框架上，内部支撑框架通过四根折叠梁连接到四个固定锚点上。依靠水平驱动梳齿与垂直驱动梳齿分别产生水平静电力及垂直静电力，同时实现中央可动平台的水平及垂直方向运动。所述的静电驱动器是采用微电子机械系统技术制作，利用硅硅高温键合技术、湿法腐蚀及干法刻蚀的方法制作固定梳齿与可动梳齿，利用硅在高温下产生塑性变形的原理使垂直驱动固定梳齿与水平梳齿在垂直方向上产生位错，代替传统工艺采用昂贵的SOI硅片和多步干法刻蚀的方法，降低了工艺难度和成本，是制作水平及垂直方向运动的二维静电驱动器的经济可靠的方法。
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公开(公告)号：CN102420733A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201110403094.3
申请日：2011-12-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H04L12/28
CPC classification number: Y02D50/30
Abstract: 本发明涉及一种传感网中实现群体聚集编队的方法，包括下列步骤：每个传感器节点获取自身所在区域的局部节点分布密度信息；在传感器高密度分布区域选取节点，开启中高速工作模式；每个传感器节点向自身有效通信区域内的其它传感器节点发出汇聚信息，将自身的位置告知它们，并要求它们向自己靠近；每个传感器可以收到多个有效通信范围能够覆盖到自己的其它传感器的汇聚消息和速度矢量，各矢量作向量求和后得到自己下一步运动的速度矢量；根据得到的速度矢量，各个传感器节点演化运动，最终实现传感器节点系统的整体聚集。本发明能够高效地控制实现传感器节点的聚集编队行为，且显著减少长距离通信及聚集时的能耗。
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公开(公告)号：CN101955151A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN201010292178.X
申请日：2010-09-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于硅塑性变形原理的二维梳齿静电驱动器及其制作方法。其特征在于所述的静电驱动器的中央可动平台通过四根直梁连接到内部支撑框架上，内部支撑框架通过四根折叠梁连接到四个固定锚点上。依靠水平驱动梳齿与垂直驱动梳齿分别产生水平静电力及垂直静电力，同时实现中央可动平台的水平及垂直方向运动。所述的静电驱动器是采用微电子机械系统技术制作，利用硅硅高温键合技术、湿法腐蚀及干法刻蚀的方法制作固定梳齿与可动梳齿，利用硅在高温下产生塑性变形的原理使垂直驱动固定梳齿与水平梳齿在垂直方向上产生位错，代替传统工艺采用昂贵的SOI硅片和多步干法刻蚀的方法，降低了工艺难度和成本，是制作水平及垂直方向运动的二维静电驱动器的经济可靠的方法。
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公开(公告)号：CN119916519A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510187525.9
申请日：2025-02-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种偏振光学器件，包括基底，所述基底上周期性排布有不同尺寸的硅柱，每个硅柱根据其尺寸大小对入射光中不同波长及不同偏振态角度的入射光分量施加不同的相移，以使所述不同波长及不同偏振态角度的入射光分量汇聚于不同焦点。本发明利用独立相位调控和消色差原理，实现了宽频偏振透镜功能，有助于偏振光学器件的小型化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119246018A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411412043.0
申请日：2024-10-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01M11/02
Abstract: 本发明涉及一种同焦面多焦点透镜焦距测量装置和方法，其中，测量装置包括光源装置、滑动装置、组合透镜装置和探测装置；探测装置包括相互连接的CCD和计算机；滑动装置上设置有待测多焦点透镜，光源装置用于输出单波长的发散光线，发散光线依次经过待测多焦点透镜和组合透镜装置汇聚至探测装置的CCD上；计算机与滑动装置相连，用于控制滑动装置移动以调整待测多焦点透镜与组合透镜装置之间的距离，并根据CCD上出现的最小光斑尺寸时对应的距离计算待测多焦点透镜的后焦距值；光源装置与待测多焦点透镜之间的距离为待测多焦点透镜的后焦距值的100倍以上。本发明能够准确测量待测多焦点透镜的焦距值。
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公开(公告)号：CN112408316B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202011314162.4
申请日：2020-11-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种双面超表面结构的制备方法，包括：提供呈镜像关系标记的第一光刻板及第二光刻板，且标记具有正反对准、正反偏移误差测量及下一工艺步骤对准的功能；提供衬底，并将呈镜像关系标记的图形分别转移至衬底两面，得到第一衬底样品；筛选出偏移误差在需求范围内的第一衬底样品，得到合格的第一衬底样品；将合格的第一衬底样品放入下一步骤所用光刻设备中，识别合格的第一衬底样品上具有下一工艺步骤对准功能的标记，并将双面超表面结构图形版图分别转移至合格的第一衬底样品的正反两面，得到第二衬底样品并刻蚀得到双面超表面结构。采用本方法能够成功制作出高精度对准的双面超表面结构，从而提高双面超表面结构的性能。
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公开(公告)号：CN114865802A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210601544.8
申请日：2022-05-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种非闭合式磁芯的感应取电装置，包括非闭合式的可抽动磁芯线圈组件和与之相连的电能管理模块，所述可抽动磁芯线圈组件包括多个细柱型磁芯以及套设在所有的细柱型磁芯的外侧的一磁芯线圈，细柱型磁芯的至少一部分相对于磁芯线圈可抽动。本发明的非闭合式磁芯的感应取电装置采用非闭合式磁芯，解决了感应取电装置不同电压等级和电缆直径适配兼容的问题，同时，本发明将将传统整块磁芯等效替换成几个有效磁导率更高的细磁芯，磁芯可抽动以改变磁芯内磁路长度，使得整体磁芯的输出功率和功率密度可以得到提升。
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公开(公告)号：CN114865760A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210603564.9
申请日：2022-05-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于非闭合式磁芯的感应取电电源，包括磁能采集模块和电能管理电路模块，磁能采集模块包括非闭合式磁芯线圈组件和谐振电容，电能管理电路模块包括依次连接的过流过压保护电路、电荷泵倍压电路、稳压电路、超级电容充电电路、超级电容和超级电容放电电路，充电电路与稳压电路连接，放电电路通过其开关管与电荷泵倍压电路连接；稳压电路和放电电路分别通过放电二极管与负载连接。本发明的取电电源采用基于非闭合式磁芯的磁能采集模块，可适用于不同电压等级、不同尺寸的电缆，易安装和拆卸，并且通过电荷泵电路和超级电容储能来降低供电死区，减少电能管理电路的设计难度，可以在载流量宽范围波动的情况下为负载稳定供电。
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公开(公告)号：CN114336067A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202011050175.5
申请日：2020-09-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种适应强电磁环境的MEMS无线传感装置，所述MEMS无线传感装置包括频率选择超构表面，所述频率选择超构表面包括多个呈阵列周期性排列的单元胞。本发明的MEMS无线传感装置利用人工超构表面灵活的电磁场操控能力，可以实现正常透过无线通信信号，并阻断稳态电磁干扰、瞬态电磁干扰，突破了传统电子设备抑制电磁干扰技术的瓶颈，同时解决强电磁环境下MEMS无线传感装置的可靠性和无线通信的问题。适应超强电磁环境的超构表面集成MEMS无线传感技术可极大地推动电子器件设备的信息化、智能化发展，对我国能源安全、经济社会乃至国家安全都具有重要的意义。
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