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公开(公告)号：CN113308740A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202110618255.4
申请日：2021-06-03
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 一种半绝缘磷化铟的制备方法，属于晶体制备领域，使用半绝缘磷化铟的制备装置完成，所述制备装置包括密闭的炉体及炉体内的坩埚，包括以下步骤：步骤A、加热铟，形成铟熔体；步骤B、炉体内充入0.02‑0.3MPa的氢气，保压1‑5小时；将液态氧化硼覆盖在熔体表面；步骤C、炉体内充入6‑15MPa的惰性气体；步骤D、向铟熔体内注入磷气体；步骤E、晶体生长；步骤F、原位退火，完成半绝缘磷化铟的制备。采用本发明提出的方法，可以完成晶体的生长，并且在合适的空间内实现晶体的原位退火，尤其是需要在磷气氛下退火时，保证磷气体不凝结，维持退火空间内的压力，建立良好的退火环境，保证半绝缘磷化铟晶体质量。
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公开(公告)号：CN113249778A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110376836.1
申请日：2021-04-08
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 一种大尺寸化合物半导体单晶制备方法，属于单晶制备领域，具体涉及晶体制备方法，特别涉及大尺寸尤其是超长长度化合物半导体单晶的制备方法，使用大尺寸单晶生长系统实现；大尺寸单晶生长系统包括晶体生长空间的控制装置和炉体内的原料注入装置。在原料合成和晶体生长过程中注入原料，并根据单晶的长度调节生长空间。由于存在多次缩颈处理，可以降低晶体本身的热应力，防止长得太长而断裂，同时大幅降低多次生长过程中缺陷的产生及原有缺陷的延伸；这种结构可以不受高压制备设备尺寸的限制。原料承载注入系统可以实现对承载注入系统的冷却，实现连续合成，或者间歇合成。
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公开(公告)号：CN113174630A
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202110376840.8
申请日：2021-04-08
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 一种大尺寸半导体单晶生长系统，属于单晶制备领域，具体涉及晶体生长装置，特别涉及大尺寸尤其是超长长度晶体的生长系统。系统包括2个或2个以上的主体立柱，设置在主体立柱之间的主炉体，主炉体为开放的圆筒，系统还包括与主炉体配合的晶体生长空间的控制装置以及设置在隔板上的原料注入装置。采用本装置，炉体随着晶体的长大而伸长，减小热场对流对晶体质量的影响；原料注入装置可以实现对承载注入系统的冷却，可以在较小的坩埚内通过原料注入实现连续合成进行晶体生长，节约能源和相关的耗材。
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公开(公告)号：CN112429708A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202011327308.9
申请日：2020-11-24
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所 , 中国电子科技南湖研究院
摘要： 一种非金属半导体材料的提纯方法，涉及高纯材料的制备领域，尤其适用于高纯非金属材料的制备，特别是通过金属熔体对易挥发性非金属材料进行提纯的设备及方法。基于提纯设备完成，设备包括炉体、平衡压力阀门，设置在炉体下部中间位置的坩埚、坩埚的加热和支撑结构、设置在坩埚正上方的可升降注入机构及设置在可升降注入机构旁边的可升降和旋转的回收机构；方法包括：将气化的非金属材料在高压环境下注入到金属熔体中；降低环境压力，收集从金属熔体中挥发出的气泡，得到提纯后的非金属材料。采用本发明提出的技术方案，可以有效去除非金属材料中的杂质，尤其是去除性质相近的元素，设备集成化程度高、易于控制、方法简单。
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公开(公告)号：CN112408345A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011325625.7
申请日：2020-11-24
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所 , 中国电子科技南湖研究院
摘要： 一种非金属材料的提纯方法，涉及高纯材料的制备领域，特别是通过金属熔体对易挥发性非金属材料进行提纯的方法。包括以下步骤：将气化的非金属材料在高压环境下注入到金属熔体中；降低环境压力，收集从金属熔体中挥发出的气泡，得到提纯后的非金属材料。采用本发明提出的技术方案，可以有效去除非金属材料中的杂质，尤其是去除性质相近的元素，方法简单；可以采用本方法对非金属材料多次提纯，逐步提高材料纯度。
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公开(公告)号：CN111082641A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911303661.0
申请日：2019-12-17
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明提供了一种电源箱，属于电气设备技术领域，包括箱体、多条翅片、连接部、多个壳体和注胶孔。箱体用于安装功率半导体，箱体下端面一体成型有多条翅片，箱体下端面的两侧设有用于连接无人机机身的连接部；多个壳体，间隔安装于箱体内腔的底面，壳体用于安装电源组件，壳体的上端面开设有注胶孔，壳体通过注胶孔向其内部的电源组件注入导热绝缘胶。本发明还包括一种无人机电源的装配方法。本发明提供的电源箱，导热绝缘胶填充壳体内的剩余空间，导热绝缘胶包裹在电源组件上。一体成型的多个翅片，减薄了箱体底板的厚度，不但翅片能够提高箱体的散热，而且较薄的底板也能提升箱体的散热效果。无需停机降温，工作效率高，提高电源使用寿命。
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公开(公告)号：CN215251334U
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202121521943.0
申请日：2021-07-06
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 一种磷浸入式磷化物合成及生长装置，属于半导体材料制备领域，特别是采用磷浸入金属熔体的方式进行半导体磷化物合成及生长的装置。包括主炉体、主炉体内的坩埚、坩埚外围的加热器和保温层，所述合成及生长装置还包括连接驱动装置的注入合成系统，注入合成系统承载红磷，在驱动装置的作用下，沉入坩埚。采用本装置，红磷以固体的形式沉入熔体，气化后从坩埚底部上浮，克服了采用磷泡产生的倒吸等问题，使合成过程更加平稳、迅速。
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公开(公告)号：CN210956441U
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201922272075.6
申请日：2019-12-17
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01F41/06 , H01F41/094 , H01F41/098 , H01F41/12 , H01F27/22 , B05C3/12 , B05C13/02
摘要： 本实用新型提供了一种利兹线涂胶缠绕装置，属于电气零部件技术领域，包括涂胶筒、进丝孔、出丝孔、支架、绕线辊和夹线组件。涂胶筒内部盛装有导热绝缘胶，涂胶筒相对的侧壁上分别开设有进丝孔和出丝孔；支架设于涂胶筒开设出丝孔的一侧，支架上转动设有绕线辊；夹线组件设于涂胶筒的外壁上，且位于进丝孔的一侧，夹线组件用于夹持待进入进丝孔的利兹线。本实用新型提供的利兹线涂胶缠绕装置，利兹线先通过夹线组件，使其保持张紧状态，利兹线自进线孔进入涂胶筒，自出线孔穿出涂胶筒，使得利兹线的表面沾满导热绝缘胶。再通过支架上转动绕线辊将利兹线绕制在绕线辊上，从而绕制成利兹线圈。利兹线圈间隙通过导热绝缘胶填充，提高了散热效果。
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公开(公告)号：CN218404489U
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202222056074.X
申请日：2022-08-05
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 一种离心力驱动下熔体迁移制备化合物晶体的装置，涉及半导体制备领域，包括离心旋转电机、连接离心旋转电机的离心主轴、连接离心主轴水平设置的连接杆以及连接在连接杆上的晶体生长设备。所述晶体生长设备水平方向放置，包括炉侧盘、与炉侧盘连接的炉筒，组合坩埚及组合坩埚周边的加热丝，在组合坩埚两端分别有外顶块和内垫块。采用本实用新型提出的设备，可以在低于化合物半导体熔点快速生长单晶，提高生长界面临界剪切应力，降低位错密度。同时，降低熔点的同时也能降低熔体的饱和蒸气压，降低压力设备的要求和生长条件，并使得原本不能够利用熔体法制备的晶体实现熔体法的高效生长。
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公开(公告)号：CN213505992U
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202022733499.0
申请日：2020-11-24
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所 , 中国电子科技南湖研究院
IPC分类号： C01B25/04 , C01B17/027 , C22B30/04
摘要： 一种半导体原材料的提纯设备，涉及高纯材料的制备领域，尤其是高纯半导体原材料的提纯设备，包括密封的炉体、平衡压力阀门、设置在炉体下部中间位置的坩埚、坩埚的加热和支撑结构、设置在坩埚正上方的可升降注入机构及设置在可升降注入机构旁边的回收机构。将被提纯的材料气化后注入坩埚的金属熔体中，通过降低炉体的压力，使被提纯的物质挥发出来；通过回收机构收集挥发的气泡，得到提纯后的材料。采用本实用新型提供的设备，可以实现半导体原材料的提纯工艺，设备的一体化程度高，控制简单。
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