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公开(公告)号：CN112271249B
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202011145590.9
申请日：2020-10-23
Applicant: 中北大学
IPC: H10N30/853 , H10N30/072 , H10N30/093
Abstract: 本申请公开了硅基/铁电单晶材料低温晶圆键合及薄膜化加工方法，包括：化学机械抛光原始基板与目标基板；第一次清洗后在原始基板磁控溅射Ti/Pt/Ti电极层；在原始基板上利用等离子体增强化学气相沉积法沉积氧化层；化学机械抛光原始基板表面氧化层；第二次清洗后在原始基板和目标基板上进行第一次等离子体活化；第三次清洗后在原始基板和目标基板上进行第二次等离子体活化；采用甲醇浸泡原始基板与目标基板；预键合、施压并低温退火后完成键合；对键合晶圆进行减薄、抛光、退火及清洗处理。本申请在低温条件下完成了硅基/铁电单晶直接键合，实现了高品质、大面积、低应力铁电单晶薄膜的制备，键合界面无空洞，键合强度、薄膜质量满足器件制作要求。
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公开(公告)号：CN116143062B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310429155.6
申请日：2023-04-21
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明属于半导体器件加工制造技术领域，涉及压电振动传感器，具体为一种“H”型单晶薄膜压电振动传感器及其制备方法，通过在低温环境下实现LiNbO3晶片和双抛Si片的异质集成，利用电极掩膜版图案刻蚀LiNbO3形成沟道结构，随后通过光刻、显影、磁控溅射和剥离工艺完成电极制备，此后在键合片正面完成“H”型悬臂梁和质量块刻蚀，最后在键合片背面完成空腔刻蚀和器件释放。本发明在理论与计算的基础上，设计传感器固有频率为10888Hz和15328Hz，并通过仿真对振动传感器的可行性进行了验证，“H”型结构减小了器件振动过程的横向效应，提高了单轴振动的输出电荷信号精度，同时较高的固有频率拓宽了传感器的可用频段。
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公开(公告)号：CN116177483A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310444369.0
申请日：2023-04-24
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，涉及MEMS材料制备，具体为一种基于铌酸锂单晶薄膜外场调控纳米级逻辑门的方法，LN/SiO2/Cr/LN的铌酸锂键合片上，在Single Frequency PFM模式下将针尖输出电压调整为交流电压，利用两次交流极化调控成约90°夹角畴结构，制备“钩型”电畴结构，并基于此设计逻辑“非门”、“或非门”、“与非门”。本发明基于交流电畴调控中出现的两种不同倾角的特性，制备倾角约为90°的“钩型”畴结构，利用纳米级带电畴壁高开关比特性，有效解决了传统的逻辑器件尺寸大、功耗高等问题，制得产物不惧各种恶劣环境，功耗低、开关比高、重复性强，具有稳定性、低能耗、可重复等优点。
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公开(公告)号：CN116143062A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310429155.6
申请日：2023-04-21
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明属于半导体器件加工制造技术领域，涉及压电振动传感器，具体为一种“H”型单晶薄膜压电振动传感器及其制备方法，通过在低温环境下实现LiNbO3晶片和双抛Si片的异质集成，利用电极掩膜版图案刻蚀LiNbO3形成沟道结构，随后通过光刻、显影、磁控溅射和剥离工艺完成电极制备，此后在键合片正面完成“H”型悬臂梁和质量块刻蚀，最后在键合片背面完成空腔刻蚀和器件释放。本发明在理论与计算的基础上，设计传感器固有频率为10888Hz和15328Hz，并通过仿真对振动传感器的可行性进行了验证，“H”型结构减小了器件振动过程的横向效应，提高了单轴振动的输出电荷信号精度，同时较高的固有频率拓宽了传感器的可用频段。
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公开(公告)号：CN116121067A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310248903.0
申请日：2023-03-15
Applicant: 中北大学
Abstract: 本申请提供了一种基于声流控的微粒细胞连续分离装置及其制备方法，通过在微流道层设置鞘液流道和溶液流道，其中第一鞘液入口、第二鞘液入口与第一溶液出口之间设有第一液体汇集口，第三鞘液入口和第二溶液出口之间设有第二液体汇集口，并在基底上于第一液体汇集口处设有第一声表面波谐振器件，用于生物微粒溶液的初分选，基底上于第二液体汇集口处设有第二声表面波谐振器件，用于生物微粒溶液的精分选。本申请基于声流控的微粒细胞连续分离装置可实现一次性连续分离和高精度分选，有助于解决生物分子的低成本、可控制、高纯度的分选难题，为实现多种不同粒径混合粒子的连续精准分离提供一种新的解决方案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115963603A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202211557284.5
申请日：2022-12-06
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明涉及窄带宽滤波器，由于掺铒光纤的增益带宽有限，光纤等延时器件影响传输函数在频率内的周期，受限于材料的布里渊频移量，传统光纤环形谐振腔的结构限制了受激布里渊散射增益的压窄阈值，本发明提供一种一种可切换布里渊频移光纤激光高频窄带微波光子滤波器，通过使用可切换布里渊频移光纤激光器产生的激光与调制光耦合后，对其拍频后，即可实现窄带宽微波光子布里渊滤波器的窄带宽激光滤波；可切换布里渊频移光纤激光器中将布里渊频移间隔选择结构接入光路，进而达到布里渊频率间隔选择目的。本发明利用可切换布里渊频移光纤激光器，通过布里渊频移间隔选择窄线宽激光输出的工作频率，进而实现单通带高频窄带宽激光滤波。
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公开(公告)号：CN115857287A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202310133630.5
申请日：2023-02-20
Applicant: 中北大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明涉及石墨烯技术领域，特别涉及石墨烯微结构技术领域，具体为一种石墨烯微结构的制备方法。其为了解决传统的石墨烯微结构的制备方法过程复杂且耗时长的问题，故提供了一种新的石墨烯微结构的制备方法，该制备方法依次包括如下步骤：使用匀胶机在硅片表面旋涂SU‑8光刻胶、使用光刻工艺制备得到图案化的SU‑8光刻胶微结构、采用电子束辐照工艺对图案化的SU‑8光刻胶微结构进行辐照。本发明中的石墨烯微结构的制备方法采用光刻工艺和电子束辐照工艺相结合，该制备方法简单易行，既避免了转移过程中易会对石墨烯造成污染，也解决了转移过程复杂且耗时长的问题，从而有效提高了石墨烯微结构的生产效率。
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公开(公告)号：CN115276364A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202211033432.3
申请日：2022-08-26
Applicant: 中北大学
IPC: H02K35/04
Abstract: 本发明属于电磁式振动发电技术领域，具体为一种叠层式柔性伸缩电磁振动能量采集器，解决了背景技术中的技术问题，其包括顶盖、模块化拾振结构和底盖；模块化拾振结构包括多个螺纹连接的非磁性可折叠单元，非磁性可折叠单元包括两个大小相等的圆台壳体，两个圆台壳体的大径端相连形成柔性空腔结构，柔性空腔结构中安装有柔性发电线圈，两个圆台壳体的小径端分别连接有硬质内螺纹环和硬质外螺纹柱，硬质外螺纹柱上开有通孔，硬质内螺纹环的内壁上沿环向开有用于安装固定磁铁的环形凹槽，相邻固定磁铁同极相对放置。“波浪管”式外观的结构加上同极相对摆放的固定磁铁，外界环境中一个微弱的振动就会产生比较持久有效的电流输出。
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公开(公告)号：CN115236803A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210875160.5
申请日：2022-07-25
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明公开了一种基于布里渊光纤激光器的窄带单通微波光子滤波器，涉及建筑工程领域，窄线宽连续波光纤激光器的输出端与分光耦合器Ⅰ的a端口连接，分光耦合器Ⅰ的c端口与双环结构布里渊光纤激光器的a端口连接，分光耦合器Ⅰ的b端口与相位调制器的a端口连接，相位调制器的c端口与双环结构布里渊光纤激光器的b端口连接，双环结构布里渊光纤激光器的c端口与分光耦合器Ⅱ的a端口连接，分光耦合器Ⅱ的b端口与光谱仪的输入端口连接，分光耦合器Ⅱ的c端口与光电探测器的输入端口连接，光电探测器的输出端与矢量网络测试仪的输入端连接，矢量网络测试仪的输出端与相位调制器的b端口连接。实现了微波光子滤波器的亚千赫兹级窄带宽单通滤波。
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公开(公告)号：CN109768154B
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN201811549571.5
申请日：2018-12-18
Applicant: 中北大学
IPC: H01L41/331 , H01L41/16 , B81B7/02 , B81C1/00
Abstract: 本申请公开了一种蓝宝石基可控剥离柔性PZT薄膜制备方法，包括：基片的准备；配制PZT前驱体溶液；PZT薄膜的制备：将前驱体胶体旋涂在基片上，并对薄膜进行热处理和退火处理，重复上述步骤，最终可制备出PZT薄膜；电镀液的配制：将六水合氯化镍和硼酸依次溶解在去离子水中并不断加热搅拌直到充分溶解；Ni应力层的沉积：电镀前预先在PZT薄膜上溅射的金属种子层，然后在金属种子层表面电镀Ni应力层；裂缝的产生：随着电镀时间的增加，PZT薄膜沿着裂缝方向与基片逐渐分离直至完全分开；PZT薄膜的转移：清洗后将其与柔性PET基底粘在一起；柔性PZT薄膜制备完成。本申请通过可控剥离技术制备的柔性PZT薄膜依然保持良好的铁电性能，而且具有良好的机械性能。
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