公开(公告)号：CN112271249A

公开(公告)日：2021-01-26

申请号：CN202011145590.9

申请日：2020-10-23

Applicant: 中北大学

Inventor： 耿文平 ,  丑修建 ,  杨翔宇 ,  毕开西 ,  何锦龙 ,  薛刚 ,  李雅青 ,  郑东宛

IPC: H01L41/187 ,  H01L41/312 ,  H01L41/39

Abstract: 本申请公开了硅基/铁电单晶材料低温晶圆键合及薄膜化加工方法，包括：化学机械抛光原始基板与目标基板；第一次清洗后在原始基板磁控溅射Ti/Pt/Ti电极层；在原始基板上利用等离子体增强化学气相沉积法沉积氧化层；化学机械抛光原始基板表面氧化层；第二次清洗后在原始基板和目标基板上进行第一次等离子体活化；第三次清洗后在原始基板和目标基板上进行第二次等离子体活化；采用甲醇浸泡原始基板与目标基板；预键合、施压并低温退火后完成键合；对键合晶圆进行减薄、抛光、退火及清洗处理。本申请在低温条件下完成了硅基/铁电单晶直接键合，实现了高品质、大面积、低应力铁电单晶薄膜的制备，键合界面无空洞，键合强度、薄膜质量满足器件制作要求。

公开(公告)号：CN112271249B

公开(公告)日：2023-09-15

申请号：CN202011145590.9

申请日：2020-10-23

Applicant: 中北大学

Inventor： 耿文平 ,  丑修建 ,  杨翔宇 ,  毕开西 ,  何锦龙 ,  薛刚 ,  李雅青 ,  郑东宛

IPC: H10N30/853 ,  H10N30/072 ,  H10N30/093

Abstract: 本申请公开了硅基/铁电单晶材料低温晶圆键合及薄膜化加工方法，包括：化学机械抛光原始基板与目标基板；第一次清洗后在原始基板磁控溅射Ti/Pt/Ti电极层；在原始基板上利用等离子体增强化学气相沉积法沉积氧化层；化学机械抛光原始基板表面氧化层；第二次清洗后在原始基板和目标基板上进行第一次等离子体活化；第三次清洗后在原始基板和目标基板上进行第二次等离子体活化；采用甲醇浸泡原始基板与目标基板；预键合、施压并低温退火后完成键合；对键合晶圆进行减薄、抛光、退火及清洗处理。本申请在低温条件下完成了硅基/铁电单晶直接键合，实现了高品质、大面积、低应力铁电单晶薄膜的制备，键合界面无空洞，键合强度、薄膜质量满足器件制作要求。

公开(公告)号：CN112125276A

公开(公告)日：2020-12-25

申请号：CN202010962862.8

申请日：2020-09-14

Applicant: 中北大学

Inventor： 丑修建 ,  毕开西 ,  薛刚 ,  耿文平 ,  张乐 ,  杨翔宇

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  H01L41/332

Abstract: 本申请公开了一种力学传感器用铌酸锂单晶薄膜图形化刻蚀方法，包括：制作铌酸锂薄膜；清洗上述铌酸锂薄膜；在上述铌酸锂薄膜表面涂覆光刻胶或溅射金属薄膜，使用紫外光刻技术得到刻蚀用掩膜层；使用丙酮浸泡铌酸锂薄膜，剥离薄膜表面光刻胶；使用离子束刻蚀机对铌酸锂薄膜刻蚀；将刻蚀后薄膜进行标准清洗清除表面光刻胶残留获得铌酸锂薄膜图形化结构。本申请实现了离子束刻蚀的方法完成了铌酸锂单晶图形化刻蚀，获得了低粗糙度、高深宽比、高可靠性的铌酸锂图形化结构，通过不同的工艺流程优化，实现了铌酸锂的高质量长时间连续刻蚀，进而极大地提高了样品的成品率，为力学传感器的后继工艺提供了理论技术支持。