一种用于金属面爬壁机器人的磁吸附提升系统

    公开(公告)号:CN107336760B

    公开(公告)日:2019-06-18

    申请号:CN201710493175.4

    申请日:2017-06-23

    Applicant: 东南大学

    Inventor: 王兴松 李杰

    Abstract: 本发明公开了一种用于金属面爬壁机器人的磁吸附提升系统,包括四组提升子机构,两组提升子机构位于机器人对称两侧,每个提升子机构包括两个支撑架、通过轴承与所述两个支撑架底端连接的磁铁旋转架、固定在所述磁铁旋转架上的旋转架固定座、安装在所述磁铁旋转架上的磁铁、与旋转架固定座轴承连接的提升杆、与所述提升杆连接的H型中间杆和连架杆、与所述H型中间杆连接的主动杆。该提升装置可以满足金属面爬壁机器人的磁吸附稳定性,保证了连杆之间的旋转平稳性和快速性,实现了金属面爬壁机器人的磁吸附状态和磁力脱离状态的快速切换,在吸附状态时实现了吸附的稳定性,在释放状态时实现了磁吸附的消除。

    一种分形网状相变储能装置

    公开(公告)号:CN108302969A

    公开(公告)日:2018-07-20

    申请号:CN201810115040.9

    申请日:2018-02-05

    Applicant: 东南大学

    CPC classification number: Y02E60/145 F28D20/021

    Abstract: 本发明公开了一种分形网状相变储能装置,由储能单元体和载冷剂通组成,载冷剂通道位于储能单元体内外体外,储能单元体由壳体、传热肋片及相变材料构成,传热肋片为分形网状结构并配置在壳体内,壳体内非传热肋片区域填充相变材料;传热肋片为分形网状结构,其级数为m级,m≥2且m为整数,每级传热肋片发散系数N=4,即每个第j级的传热肋片生成4个j+1级传热肋片,第j+1级传热肋片的中心位于第j级传热肋片的四个顶角。该发明利用分形网状结构的特征,增加了储能装置的有效换热面积,减少罐体内的换热死区,同时增大了传热肋片与相变材料之间的有效导热系数,实现热量从点(面)到面(点)的快速传递,进而提高储能装置的效率,减少能量损失。

    一种高速高精度的CMOS锁存比较器

    公开(公告)号:CN106067822A

    公开(公告)日:2016-11-02

    申请号:CN201610394755.3

    申请日:2016-06-06

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 一种高速高精度的CMOS锁存比较器,包括前置放大级、锁存比较级和推挽输出级,前置放大级将输入信号放大后输出给锁存比较级进行比较后输出给推挽输出级,将锁存比较级的输出转换为逻辑信号输出。前置放大级采用有源电流镜为负载的差动对电路结构,锁存比较级采用差分输入电路结构,推挽输出级是输出缓冲区,将锁存比较级的输出转换为逻辑信号输出。

    一种防止基于功耗分析的DES算法攻击的方法及测试电路

    公开(公告)号:CN103067155A

    公开(公告)日:2013-04-24

    申请号:CN201210578754.6

    申请日:2012-12-27

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种防止基于功耗分析的DES算法攻击的方法及测试电路,在首个子密钥K1未对数据进行操作之前,算法流程保持和原始DES流程相同,在第一轮子密钥K1对明文进行异或后引入掩码X;随后的第2至第15轮的加密过程,操作方式类似,仅异或的随机数数值不相同,旨在保持算法中间处理过程功能的正确性;最后在第16轮输出前异或上掩码X,经过IP逆置换(FP)并加上掩码X4还原真实的密文信息。由于DES的首轮和末轮添加的掩码值及位置均异于其他轮,即非对掩加密,使得对其采用汉明距离模型时无法消去掩码的作用,从而达到对DES算法的功耗攻击的防护,保证DES密钥安全的目的。

    一种亚阈值存储单元阵列容量和密度的增强电路

    公开(公告)号:CN101635168B

    公开(公告)日:2012-01-04

    申请号:CN200910183606.2

    申请日:2009-08-12

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 一种亚阈值存储单元阵列容量和密度的增强电路,由第一、第二增强晶体管、第一、第二屏蔽传输门,以及第一、第二逻辑存储电容组成,第一增强晶体管的源端与第二增强晶体管的源端连接并接电源电压,第一增强晶体管的漏端与第一屏蔽传输门的输入/输出端连接并作为位线端,第二增强晶体管的漏端与第二屏蔽传输门的输入/输出端连接并作为位线的非端,第一增强晶体管的体端与栅端相连,第一增强晶体管的栅端与第一逻辑存储电容的一端连接并与第一屏蔽传输门的输出/输入端连接,另一端接地,增强晶体管的体端与栅端相连,第二增强晶体管的栅端与第二逻辑存储电容的一端连接并与第二屏蔽传输门的输出/输入端连接,第二逻辑存储电容的另一端接地。

    一种在芯片层实现应用程序安全升级的方法

    公开(公告)号:CN101620545A

    公开(公告)日:2010-01-06

    申请号:CN200910184433.6

    申请日:2009-08-14

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明提出了一种在芯片层实现应用程序安全升级的方法,使用该方法的芯片支持指纹识别等安全认证算法,ROM(只读存储器)区存储引导程序,OTP(一次性编程)区存储指纹模板,只有ROM区的程序可以访问OTP区,FLASH中存储用户程序和用户数据。因此该芯片建立了一套终端应用程序下载的身份认证体系,消除了恶意应用程序攻击的安全隐患,有效提高了终端的安全级别。

    锂电池容量的测量装置及确定方法

    公开(公告)号:CN101216538A

    公开(公告)日:2008-07-09

    申请号:CN200810019338.6

    申请日:2008-01-04

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 锂电池容量的测量装置及确定方法是一种根据测量装置得到的电池常数电流和电池寿命计算锂电池容量的装置及方法,该装置包括锂电池(2)、模数转换器(3)、LCD(4)和微处理器(5),其中恒流负载由稳压芯片(1)和负载电阻(RL)组成,它与锂电池(2)、采样电阻(Rtest)串联成一个回路,实现锂电池(2)以常数电流放电;采样电阻(Rtest)的两端分别接模数转换器(3)的第一采样端(AD_In1)和第二采样端(AD_In2),模数转换器(3)的数字端口(A/DC I/O)接微处理器(5)的第一输入/输出口(I/O 1);锂电池(2)并联下拉电阻(Rdown)后接微处理器(5)的第二输入/输出口(I/O 2);微处理器(5)的第三输入/输出口(I/O 3)接LCD(4)的数字端口(LCD I/O)。

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