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公开(公告)号：CN105088166B
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201510524327.3
申请日：2015-08-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种相变型氧化钒材料及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：提供氧化钒基材，对所述氧化钒基材进行气体离子注入，得到具有预设相变温度的相变型氧化钒材料。后续可选择性地通过进一步退火来调整氧化钒中注入气泡的形成情况，进一步调整应力应变及相变温度。本发明的相变型氧化钒材料的制备方法步骤简单，工艺重复性好，灵活性强，通过改变气体离子的注入剂量，可以连续调节氧化钒的相变温度。同时，本发明兼容性好，可与其它相变温度方法相结合，实现更大的相变温度调节范围。本发明还可实现区域相变温度调节，为氧化钒器件的制备提供了一个新的方向。
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公开(公告)号：CN106711027A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201710076760.4
申请日：2017-02-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/762 , B81C3/00
CPC classification number: H01L21/02104 , B81C3/001 , H01L21/76251
Abstract: 本发明提供一种晶圆键合方法及异质衬底制备方法，所述晶圆键合方法至少包括：S1：提供第一晶圆及第二晶圆，其中，所述第一晶圆具有第一键合面，所述第二晶圆具有第二键合面；S2：对所述第一晶圆及所述第二晶圆进行键合前预加热处理；S3：将所述第一晶圆的第一键合面与所述第二晶圆的第二键合面进行键合。通过上述方案，本发明对晶圆键合前预加热，可以有效降低异质键合结构在高温后退火中的热应变，进而扩大异质键合的使用范围，提高异质集成材料的可靠性；同时，解决异质键合结构在高温后退火工艺中，因为热应变而发生的解键合以及键合结构碎裂的问题。
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公开(公告)号：CN106653583A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201611005213.9
申请日：2016-11-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: C30B31/22 , C30B33/02 , H01L21/187
Abstract: 本发明提供一种大尺寸III‑V异质衬底的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：S1：提供III‑V外延结构，所述III‑V外延结构具有注入面；S2：于所述注入面进行离子注入，于所述III‑V外延结构的预设深度处形成缺陷层；S3：提供支撑衬底，将所述注入面与所述支撑衬底键合；S4：沿所述缺陷层剥离部分所述III‑V外延结构，使所述III‑V外延结构的一部分转移到所述支撑衬底上，以在所述支撑衬底上形成III‑V薄膜，获得III‑V异质衬底。本发明提供了一种大尺寸III‑V异质衬底的制备方法，用于解决现有技术中制备大尺寸III‑V异质衬底工艺难度大、效率低、成本高的问题。
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公开(公告)号：CN106209003A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610527875.6
申请日：2016-07-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: H03H3/02 , H03H9/02015 , H03H2003/023
Abstract: 本发明提供一种利用薄膜转移技术制备薄膜体声波器件的方法，包括：1）提供氧化物单晶衬底；2）自注入面向所述氧化物单晶衬底内进行离子注入，而后在注入面形成下电极；或在注入面形成下电极，而后自注入面向氧化物单晶衬底内进行离子注入；3）提供支撑衬底，将步骤2）得到的结构与支撑衬底键合；4）沿缺陷层剥离部分氧化物单晶衬底，得到氧化物单晶薄膜，氧化物单晶薄膜及下电极转移至支撑衬底上；5）腐蚀支撑衬底以形成空腔；6）在氧化物单晶薄膜表面形成上电极。本发明提供一种新的方法制备金属电极-单晶氧化物-金属电极的薄膜体声波滤波器核心结构，有效解决金属电极间无法制备单晶氧化物的问题。
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公开(公告)号：CN105895576A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610527885.X
申请日：2016-07-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明提供一种离子注入剥离制备半导体材料厚膜的方法，包括以下步骤：提供衬底，在所述衬底内进行离子注入，离子注入的能量足以使注入离子到达所述衬底内的预设深度，并在所述预设深度处形成缺陷层；沿所述缺陷层剥离部分所述衬底，以得到厚度足以自支撑的厚膜。本发明通过高能量的离子注入，可以形成厚度足以自支撑的厚膜，不需要支撑衬底，可以从一块半导体材料上分离出多片厚膜，从而提高半导体材料的利用率，降低生产成本；同时，本发明制备的厚膜不需要键合工艺，简化了剥离制备工艺，提高了应用的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111834520B
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202010603852.5
申请日：2020-06-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L41/312 , H01L41/33 , H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本发明公开了一种表面均匀性优化的压电单晶薄膜制备方法，利用键合技术将压电单晶晶片其中注入的一面与支撑材料绑定，其键合温度高于后续退火剥离温度，将得到的键合晶圆在低于键合温度的条件下进行退火处理，一段时间后实现压电薄膜的剥离与转移，然后对转移后的压电薄膜进行后处理，得到薄膜均匀性优化后的晶圆级压电薄膜。相对于现有技术，本发明提出的表面均匀性优化的压电单晶薄膜制备方法，利用高温键合工艺使压电衬底与支撑衬底在高温下键合，在低于键合温度的条件下实现衬底间在张应力的条件下实现薄膜的剥离与转移，最终得到薄膜均匀性优化后的晶圆级压电薄膜。
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公开(公告)号：CN111834279B
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202010604763.2
申请日：2020-06-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/683 , H01L37/02
Abstract: 本申请提供一种临时键合方法，包括：提供临时载片，临时载片采用热释电材料制得；将绝缘层的第一表面覆于临时载片上；对绝缘层的第二表面进行平坦化处理，第二表面远离第一表面；对半导体晶圆片与经平坦化处理后的绝缘层的第二表面在第一条件下进行键合，形成第一键合整体；对第一键合整体进行升温处理，使得绝缘层的第二表面与半导体晶圆片完全键合形成第二键合整体；在此基础上，本申请还提供一种解键合方法、载片结构及应用；本申请利用热释电材料实现对半导体晶圆片的临时键合，方法简单无需增加临时键合过渡层或涂敷绝缘胶层，不仅避免了半导体晶圆片的脏污；而且能够极大地提高半导体晶圆片器件工艺的一致性，有利于提高产品良率。
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公开(公告)号：CN113066749A
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202010000922.8
申请日：2020-01-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/683 , H01L21/78 , H01L21/82 , H01L27/02
Abstract: 本发明提供一种多材料共平面的异质集成结构及其制备方法，该方法包括以下步骤：S1：提供一转移基板，对转移基板进行离子注入，以在转移基板的预设深度处形成缺陷层，转移基板位于缺陷层上方的部分作为转移层；S2：图案化转移层及缺陷层；S3：将转移基板与一衬底键合，其中，转移层面向衬底；S4：将转移基板从缺陷层处剥离，以将图案化的转移层转移到衬底表面；S5：重复步骤S1～S4至少一次，以得到位于同一衬底表面的至少两种不同材料的转移层。本发明结合离子束剥离工艺以及对准键合工艺，可以实现晶圆级多材料共平面的高密度异质集成，可以为异质集成技术的发展提供新的发展方向，为将来异质集成标准化生产提供材料平台。
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公开(公告)号：CN111865256B
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202010719045.X
申请日：2020-07-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种声波谐振器及其制备方法，方法包括：提供多孔硅衬底，在多孔硅衬底的上层沉积Ta2O5介质层；对Ta2O5介质层进行平坦化处理，以及在Ta2O5介质层的目标区域注入离子；提供压电层，对压电层和/或Ta2O5介质层进行金属化后键合，形成键合结构；减薄压电层，在第一电极层的上层形成压电薄膜层；加热键合结构，将Ta2O5介质层的目标区域变成空腔；在压电薄膜层的上层沉积第二电极层，完成声波谐振器的制备。本发明提供了一种在压电薄膜下形成空腔的简单方法，用于薄膜体声波谐振器及兰姆波谐振器的制备，且降低了这两种谐振器的制备成本和工艺难度。
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公开(公告)号：CN111883644B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202010719055.3
申请日：2020-07-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L41/04 , H01L41/08 , H01L41/083 , H01L41/253 , H01L41/27 , H01L41/312
Abstract: 本发明涉及一种异质压电薄膜结构及其制备方法，该异质压电薄膜结构包括衬底层；层叠在衬底层上的介质层；层叠在介质层上的过渡层；以及，层叠在过渡层上的压电薄膜层；其中，衬底层的热膨胀系数小于压电薄膜层的热膨胀系数；过渡层与压电薄膜层的组分相同，且过渡层的晶格常数大于压电薄膜层的晶格常数；所述过渡层内具有拉应力，所述异质压电薄膜结构的晶圆bow值小于所述衬底层对应的初始衬底晶圆的晶圆bow值。本发明异质压电薄膜结构中压电薄膜层可以承受更高的退火温度而不致损坏，从而可以使该结构中经过离子注入的薄膜层中离子注入缺陷恢复的更加完全，晶格质量好，进而有利于提升基于薄膜压电材料的相关元器件的性能。
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