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公开(公告)号：CN118772873A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410754086.0
申请日：2024-06-12
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明涉及荧光材料制备技术领域，尤其是涉及一种紫光激发的荧光材料及其制备与应用。本发明的荧光材料的化学表达式为Cs2MnCl4:xEu3+，其中，0.005≤x≤0.08；或，该荧光材料的化学表达式为Cs2Mn1‑yBiyCl4其中0.005≤y≤0.08。本发明的荧光材料具备物理化学性质稳定的优势，同时，该荧光材料可采用水热法制得，具有制备工艺简单、所制备样品纯度高的优点，可作为白光LED芯片或近红外pc‑LED芯片的良好候选材料；所述荧光材料完全可以与现有的紫光芯片进行很好地匹配，满足商业化市场需求。
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公开(公告)号：CN118725854A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410777631.8
申请日：2024-06-17
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明涉及一种宽带发射的绿光发射荧光粉及其制备方法与应用，所述绿光发射荧光粉属于AO‑SiO2‑Si3N4‑EuO体系；其中，A包括Ca、Sr和Ba中的一种或几种；所述绿光发射荧光粉中各物质的质量百分比为：AO 60.36％‑80.86％，SiO218.00％‑38.50％，Si3N4 0.00％‑20.46％，EuO 0.11％‑0.65％。与现有技术相比，本发明制备的宽带发射的绿光发射荧光粉在紫外光激发下的发射出光谱范围涵盖450～800nm，中心波长位于538nm的绿光，拓宽了发射光谱的范围。
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公开(公告)号：CN118507589A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410559343.5
申请日：2024-05-08
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0336 , H01L31/101
Abstract: 本发明公开了一种基于硫代乙酸溶液的In2Se3/GaAs异质结光电薄膜及其制备方法和应用，包括以下步骤：用浓H2SO4和H2O2浸泡GaAs衬底后得到改性衬底；将铟源溶于反应溶剂中进行反应，并加入分散溶剂，搅拌至澄清透明，得到In前驱体溶液；将In前驱体溶液旋涂在改性衬底上，加热退火，重复3～10次旋涂退火后，得到前驱薄膜；将前驱薄膜置于石墨盒中，放入封闭的石英管中，在真空条件下，使用硒源对前驱薄膜进行硒化，得到In2Se3/GaAs异质结光电薄膜。本发明能够制备得到低成本、光电探测性能优良，同时光响应波段由可见光拓展至短波红外波段的In2Se3/GaAs异质结光电薄膜。
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公开(公告)号：CN114133930B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202111452856.9
申请日：2021-12-01
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种暖白光石榴石型荧光玻璃陶瓷及其制备方法。化学式为Y2.94‑xCaxAl2‑2xMg2xAl3‑3xSi3xO12:0.06Ce。将Y2O3、CaCO3、MgO、SiO2、Al2O3、CeO2研磨后烧结；再放入氮氢混合气中还原，得到红移型石榴石荧光粉；将红移型石榴石荧光粉、硼硅锌钠玻璃粉分散在有机浆料中，将其均匀分布在石英玻璃衬底上烧结，得到红移型石榴石PiG荧光薄膜；将红移型石榴石PiG荧光薄膜与蓝光芯片复合得到暖白光LED。本发明通过改变Y3Al5O12结构中A、B、C位置中的离子替换浓度来调节荧光粉的光谱，其中发光中心Ce3+的发生质心移动和能级分裂，使光谱实现红移。
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公开(公告)号：CN114133930A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111452856.9
申请日：2021-12-01
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种暖白光石榴石型荧光玻璃陶瓷及其制备方法。化学式为Y2.94‑xCaxAl2‑2xMg2xAl3‑3xSi3xO12:0.06Ce。将Y2O3、CaCO3、MgO、SiO2、Al2O3、CeO2研磨后烧结；再放入氮氢混合气中还原，得到红移型石榴石荧光粉；将红移型石榴石荧光粉、硼硅锌钠玻璃粉分散在有机浆料中，将其均匀分布在石英玻璃衬底上烧结，得到红移型石榴石PiG荧光薄膜；将红移型石榴石PiG荧光薄膜与蓝光芯片复合得到暖白光LED。本发明通过改变Y3Al5O12结构中A、B、C位置中的离子替换浓度来调节荧光粉的光谱，其中发光中心Ce3+的发生质心移动和能级分裂，使光谱实现红移。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113717721A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202111110607.1
申请日：2021-09-23
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明涉及荧光粉制备技术领域，尤其是涉及一种紫光激发的橙红光荧光粉及其制备方法与应用；该荧光粉属于BaO‑Sc2O3‑Ce2O3体系，其中各个氧化物的质量百分比为：51.93％≤BaO≤52.37％，46.95％≤Sc2O3≤47.34％，0.28％≤Ce2O3≤1.12％。制备时首先称取BaCO3，Sc2O3，和CeO2原料粉体置于球磨机或研钵中研磨，然后放入氧化铝坩埚中，并将其埋入大氧化铝坩埚的碳粉中煅烧，最后在室温下冷却后得到最终产物。使用荧光光谱仪测试其发光性能，该荧光粉能够在紫光激发下，发射出光谱范围涵盖500～750nm的可见光。与现有技术相比，本发明制备的荧光粉实现了紫光激发下的橙红色发射，表明该体系荧光粉具有与紫光芯片搭配组装LED器件的价值。
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公开(公告)号：CN113388860A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110613059.8
申请日：2021-06-02
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: C25B11/095 , C25B1/04
Abstract: 本发明公开了一种三氧化二铁/CuCo‑MOF/碳布析氧复合电催化薄膜的制备方法。本发明的制备方法包括：(1)将碳布基体进行亲水性预处理，备用；(2)将步骤(1)所得基体浸没于Fe3+的前驱体溶液中，通过水热反应得FeOOH薄膜，然后进行恒温煅烧得到Fe2O3薄膜；(3)将Fe2O3薄膜浸没于铜盐、钴盐和二甲基咪唑的混合溶液中，进行水热反应，反应结束后水洗干燥得到三氧化二铁/CuCo‑MOF/碳布析氧复合电催化薄膜。本发明的制备方法成本低廉、制备工艺简单，可适用于大规模生产，制备出的复合电催化薄膜具有稳定性高，催化活性好等优点，可应用于电催化领域。
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公开(公告)号：CN110373188B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201910624943.4
申请日：2019-07-11
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明涉及一种紫外激发的Eu单掺杂单相白光发射荧光粉及其制备方法，包括以下步骤：称取CaCO3、Eu2O3、K2CO3和(NH4)H2PO4原料粉体、研磨使原料粉体混合均匀；将得到的混合物置于坩埚中，在500～700℃条件下预烧2.5～3.5小时，将预烧后的样品冷却、研磨均匀；将得到的样品在1000～1200℃下烧结8～12h得到前驱体；称取金属粉末和前驱体，分别置于两个坩埚舟中，并将坩埚舟置于真空管式炉中，抽真空，在低于1000℃的条件下还原烧结处理2～8小时。与现有技术相比，本发明具有能够在紫外光激发下，发射出光谱范围涵盖410‑750nm的可见光，具有荧光粉整体量子效率高、制备方法简单等优点。
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公开(公告)号：CN107746076B
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201710985676.4
申请日：2017-10-20
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: C01G30/00
Abstract: 本发明提供了一种制备四硫化锑三铜纳米晶材料的方法，先将反应物前驱体锑硫化合物、硫源、氧化铜或可溶性铜盐、强碱、去离子水加入到反应釜中，所述强碱选自氢氧化钠或氢氧化钾中任意一种；在室温下搅拌至反应物溶解，然后将反应釜密封放入到180‑240℃的真空烘箱中加热反应1‑5天，最后离心、干燥即得Cu3SbS4半导体纳米晶材料。本发明采用的原料来源广泛，使用过程中对环境无污染，制备工艺简单、重复性好、制备的产物化学性质稳定。
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公开(公告)号：CN106746687B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201710055819.1
申请日：2017-01-25
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 一种采用丝网印刷法制备LED封装用荧光玻璃片的方法，按照摩尔百分比称量B2O3、SiO2、Na2O、ZnO和TiO2，然后混合；将研磨好的混合料放入坩埚中熔制，将得到的熔体倒入蒸馏水中进行水淬，并干燥、球磨至玻璃粉待用；制备含有荧光粉的玻璃浆料，所述的玻璃浆料由荧光粉、粘合剂为、分散剂组成；将混合的荧光粉的玻璃浆料搅拌，形成混合均匀的可涂覆浆料；将所制备的可涂覆浆料采用丝网印刷涂覆在超白玻璃衬底的一侧表面上，之后在空气气氛下对涂覆有可涂覆浆料的超白玻璃进行整体热处理，最后制成所述的LED封装用荧光玻璃。本发明的荧光玻璃片作为白光LED的荧光转换材料具有散热性能良好、节能、耐湿等优势。
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