公开(公告)号：CN104239612A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410428585.7

申请日：2014-08-27

申请人： 上海华力微电子有限公司

发明人： 邱裕明 ,  肖天金 ,  曹坚

IPC分类号： G06F17/50

摘要： 本发明公开了一种改善有源区退火热分布的方法，包括：在芯片版图的有源区图层中定义出冗余图形的填充区域和禁止填充区域，在填充区域中填充冗余图形；在禁止填充区域中根据相邻有源区间距的大小定义出有源区稀疏区域和有源区密集区域，其中有源区稀疏区域和有源区密集区域均包括有源区和围绕所述有源区的浅沟槽隔离区；以及以尺寸小于冗余图形的辅助图形替换部分的所述有源区稀疏区域的浅沟槽隔离区的图形以在对有源区退火时增加所述有源区稀疏区域的热吸收。本发明改善有源区温度分布的均匀性，从而提高器件的整体性能。

公开(公告)号：CN104157598A

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN201410415005.0

申请日：2014-08-21

申请人： 上海华力微电子有限公司

发明人： 肖天金 ,  康俊龙 ,  余德钦

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/28 ,  H01J37/32

CPC分类号： H01L21/67213 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/6719

摘要： 本发明公开了一种等离子氮化处理装置，包括具有用于支承具有二氧化硅膜的衬底的基座的真空处理腔室，向真空处理腔室供给含氮气体的气体供给机构，将含氮气体电离为氮等离子体的等离子体生成机构以及冷却机构。冷却机构用于在氮等离子体对二氧化硅膜注入前将基座冷却至-100℃～0℃。本发明还提供了具有上述等离子氮化处理装置的栅介质层制作设备及相应的栅介质层制备方法，本发明能够有效改善栅介质层的可靠性。

公开(公告)号：CN103943508A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201410117766.8

申请日：2014-03-27

申请人： 上海华力微电子有限公司

发明人： 肖天金 ,  邱裕明 ,  高剑琴

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/265

CPC分类号： H01L29/66568 ,  H01L21/26593

摘要： 本发明公开了一种PMOS器件的制造方法，包括以下步骤：提供半导体衬底，其中所述半导体衬底的PMOS区域上形成有栅极结构；在所述PMOS区域进行低温离子注入以形成非晶硅层；对所述PMOS区域刻蚀形成源/漏区的沟槽；以及在所述沟槽中选择性外延生长嵌入式锗硅层以形成嵌入式源/漏区。本发明能够降低嵌入式锗硅位错缺陷，提高器件的性能。

公开(公告)号：CN103745956A

公开(公告)日：2014-04-23

申请号：CN201410042486.5

申请日：2014-01-29

申请人： 上海华力微电子有限公司

发明人： 肖天金 ,  邱裕明

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/823814 ,  H01L21/02068 ,  H01L29/7848

摘要： 本发明提供了一种制备嵌入式锗硅外延的表面处理方法，包括：在半导体器件晶圆的硅衬底中形成NMOS晶体管结构和PMOS晶体管结构；并在NMOS晶体管结构上布置用于掩模的光阻，并随后对半导体器件晶圆的硅衬底进行干法刻蚀，在PMOS晶体管结构上形成源漏凹槽；通过离子注入工艺，在源漏凹槽表面形成非晶态多晶硅层；去除用于掩模的光阻；清洗非晶态多晶硅层的表面；利用第一气体原位腐蚀非晶态多晶硅层，露出硅衬底表面；利用第二气体执行外延生长前的烘烤；执行SiGe沉积，形成嵌入式SiGe源漏结构。

公开(公告)号：CN203800019U

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201420197288.1

申请日：2014-04-22

申请人： 上海华力微电子有限公司

发明人： 肖天金

IPC分类号： H01L21/66

摘要： 本实用新型提供一种高温退火炉管颗粒监控晶圆。所述高温退火炉管颗粒监控晶圆包括一衬底和生长于所述衬底上的二氧化硅保护层。本实用新型提供的高温退火炉管颗粒监控晶圆的衬底上形成有保护层，可避免在高温退火工艺过程中监控晶圆表面被热应力损坏，防止产生干扰颗粒物，减少机台的停机频率；并且，可通过清洗工艺去除保护层以及保护层上由退火工艺产生的颗粒污染物，在衬底上重新生长新的保护层即可使监控晶圆重复利用，从而降低监控的成本。