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公开(公告)号：CN114333970A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202110796935.5
申请日：2021-07-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储器件包括：包括正常存储单元和冗余存储单元的存储单元阵列；第一页面缓冲器，其通过包括第一位线组和第二位线组的第一位线连接到所述正常存储单元，被布置在与沿第一方向延伸的所述第一位线相对应的第一区域中并且在所述第一方向上共线；以及第二页面缓冲器，其通过包括第三位线组和第四位线组的第二位线连接到所述冗余存储单元，被布置在与沿所述第一方向延伸的所述第二位线相对应的第二区域中并且在所述第一方向上共线，其中，当连接到所述第一位线组的至少一个正常存储单元被确定为缺陷单元时，将连接到所述第一位线组的正常存储单元替换为连接到所述第三位线组的冗余存储单元。
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公开(公告)号：CN113764020A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202110563418.3
申请日：2021-05-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种存储系统。该存储系统包括：具有多个存储单元的存储器件；以及存储控制器，被配置为控制存储器件以执行以下操作：将写数据存储在多个存储单元中的第一存储单元中，识别包括第一存储单元中的至少一个第一存储单元在内的第一单元串的当前电荷量以及与该第一单元串相邻的第二单元串的当前电荷量，并且基于第一单元串的当前电荷量和第二单元串的当前电荷量，将虚设数据存储在与第一单元串或第二单元串相连的至少一个存储单元中。
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公开(公告)号：CN113688440A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202110498504.0
申请日：2021-05-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种非易失性存储器装置、电子装置和服务提供方接口。所述非易失性存储器装置包括存储器单元阵列和安全模块，其中，安全模块被配置为：处理包括关于存储在存储器单元阵列中的非易失性存储器装置的信息的第一数据以生成第一密码密钥，处理包括关于存储在存储器单元阵列中的非易失性存储器装置的信息的第二数据以生成第二密码密钥，使用第一密码密钥和第二密码密钥通过公钥密码算法生成公钥和秘密密钥，并且将第一密码密钥、第二密码密钥、公钥和秘密密钥提供给存储器单元阵列，存储器单元阵列被配置为：存储第一密码密钥、第二密码密钥、公钥和秘密密钥，并且公钥被提供给连接到非易失性存储器装置的主机。
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公开(公告)号：CN112732173A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011161755.1
申请日：2020-10-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06 , G06F12/02 , G06F12/06 , G06F12/0882
Abstract: 一种存储器设备，包括：第一存储区，包括具有多个每个用于根据N比特数据存取方案存储N比特数据的第一存储器单元的第一存储器单元阵列，和第一外围电路，用于控制第一存储器单元并安置在第一存储器单元阵列之下；第二存储区，包括具有多个每个用于根据M比特数据存取方案存储M比特数据的第二存储器单元的第二存储器单元阵列，和第二外围电路，用于控制第二存储器单元并安置在第二存储器单元阵列之下，第一存储区和第二存储区包括在单个半导体芯片中并共享输入和输出接口；和控制器，通过响应于接收由外部传感器获取的感测数据向感测数据应用存储在第一存储区中的权重生成计算数据，并根据权重将计算数据存储在第一存储区或第二存储区之一中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112530859A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202010629212.1
申请日：2020-07-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L27/115
Abstract: 一种存储器件包括：第一半导体芯片，包括设置在第一基板上的存储单元阵列以及在第一半导体芯片的第一最上金属层上的第一接合金属；以及第二半导体芯片，包括设置在第二基板上的电路器件以及在第二半导体芯片的第二最上金属层上的第二接合金属，电路器件提供对存储单元阵列进行操作的外围电路。第一半导体芯片和第二半导体芯片在接合区域中通过第一接合金属和第二接合金属彼此电连接。与外围电路电连接的布线被设置在第一最上金属层和第二最上金属层中的一个或二者中，并且被设置在第一半导体芯片和第二半导体芯片彼此不电连接的非接合区域中。
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公开(公告)号：CN112466851A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202010914039.X
申请日：2020-09-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/58 , H01L23/544
Abstract: 本发明涉及半导体装置、非易失性存储器装置及存储装置。该半导体装置包括半导体管芯、半导体集成电路、外部裂纹检测结构、多个内部裂纹检测结构和多个路径选择电路。半导体管芯包括中心区域和围绕中心区域的边缘区域。半导体集成电路在中心区域的多个子区域中。外部裂纹检测结构在边缘区域中。所述多个内部裂纹检测结构分别在所述多个子区域中。路径选择电路被配置为控制外部裂纹检测结构与所述多个内部裂纹检测结构之间的电连接。通过外部裂纹检测结构和内部裂纹检测结构的选择性电连接，除了边缘区域中的裂纹之外，还可以有效地检测中心区域中的裂纹。
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公开(公告)号：CN112447746A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010684302.0
申请日：2020-07-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11524 , H01L27/11529 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11582
Abstract: 一种集成电路器件包括：存储结构，包括存储堆叠部、存储单元互连部以及围绕存储堆叠部和存储单元互连部的存储单元绝缘部；外围电路结构，包括外围电路板、形成在外围电路板上的外围电路区域和在外围电路区域与存储结构之间的外围电路互连部；多个导电接合结构，在第一区域中在存储单元互连部与外围电路互连部之间的边界上，该第一区域在垂直方向上与存储堆叠部重叠；以及贯通电极，在第二区域中穿透存储单元绝缘部和外围电路板中的一个并延伸到外围电路互连部中包括的下导电图案，该第二区域在垂直方向上与存储单元绝缘部重叠。
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公开(公告)号：CN111081290A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201910806442.8
申请日：2019-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供用于存储器装置的动态电力控制系统和存储器装置。一种用于存储器装置的动态电力控制系统包括：外部电力输入端，从所述存储器装置的外部的电力管理电路接收第一输出电流；可变电荷泵，接收第二输入电压和第二输入电流，将所述第二输入电压升高到第二输出电压，并且将所述第二输出电压和第二输出电流输出到所述存储器装置；以及反馈控制器，用于将所述第一输出电流和所述第一输入电流的比与所述第二输出电流和所述第二输入电流的比进行比较，并且根据比较结果，选择所述电力管理电路和所述可变电荷泵中的一个以向所述存储器装置供应电力。
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