公开(公告)号：CN1798795A

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN200480015574.0

申请日：2004-06-04

Applicant: 日立化成工业株式会社 ,  玛库斯德姆有限公司

Inventor： 津田义博 ,  森下芳伊 ,  野村理行 ,  田井诚司 ,  星阳介 ,  舟生重昭 ,  马修·L·Ⅲ·马罗科 ,  法夏·J·摩塔美帝 ,  王里升

IPC: C08G85/00 ,  C08G61/00 ,  C09K11/06

Abstract: 本发明的目的是提供可以有效地去除钯、磷的精制方法以及使用该法的电致发光材料和电致发光元件。本发明涉及一种电致发光材料的精制方法，其中用氧化剂对作为杂质含有钯或/和磷的电致发光材料进行处理之后，再用柱进行处理，将钯或/和磷除去。

公开(公告)号：CN1745120A

公开(公告)日：2006-03-08

申请号：CN200380109350.1

申请日：2003-11-24

Applicant: 陶氏环球技术公司

Inventor： J·C·赫德里克 ,  M·桑卡拉潘迪兰 ,  C·S·提柏格 ,  J·P·戈德斯沙洛斯 ,  Q·S·J·牛 ,  H·C·西尔维斯

IPC: C08G61/00 ,  C08G61/10 ,  C08L65/00 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L23/5329 ,  C08G61/00 ,  C08G61/10 ,  C08G2261/312 ,  C08G2261/46 ,  C08G2261/92 ,  C08G2650/20 ,  C08G2650/60 ,  C08L65/00 ,  C08L2203/20 ,  C08L2312/00 ,  C09D165/00 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S428/901 ,  Y10T428/24917 ,  Y10T428/31504 ,  Y10T428/31855 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了与传统交联聚亚芳基材料相比在高温下具有降低的热膨胀系数的交联聚亚芳基材料。此外，提供了含有在高温下具有降低的热膨胀系数的交联聚亚芳基聚合物的集成电路制品。

公开(公告)号：CN1244607C

公开(公告)日：2006-03-08

申请号：CN01812905.6

申请日：2001-08-01

Applicant: 科文有机半导体有限公司

Inventor： 克劳斯·梅尔霍尔兹 ,  迈克尔·拜尔 ,  弗洛里安·比勒费尔特 ,  托马斯·布赖格 ,  马库斯·格罗斯 ,  戴维·米勒 ,  奥斯卡·纳伊肯 ,  胡贝特·施普赖策

IPC: C08G61/00 ,  C09K11/06 ,  H05B33/14 ,  H01L51/50 ,  B41M5/24

CPC classification number: C08G65/18 ,  C07D305/06 ,  C08G65/22 ,  Y10S428/917

Abstract: 本发明涉及低分子量或聚合有机材料，其中的至少一个氢原子被式(A)表示的基团取代。其中，R为含1-20个碳原子的直链、支链或环状烷基、烷氧基烷基、烷氧基或硫代烷氧基，C4-C18芳基或C2-C10链烯基，每个基团的一个或多个氢原子可由卤素如Cl或F、或CN取代，并且一个或多个不相邻的碳原子可以由-O-、-S-、-CO-、-COO-或-O-CO量换；Z为-O-、-S-、-CO-、-COO-、-O-CO-或二价基团-(CR1R2)n-，其中R1和R2各自独立地为氢，含1-20个碳原子的直链、支链或环状烷基、烷氧基、烷氧基烷基或硫代烷氧基，C4-C18芳基或C2-C10链烯基，每个基团的一个或多个氢原子可由卤素如Cl或F、或CN取代，并且一个或多个不相邻的碳原子可以由-O-、-S-、-CO-、-COO-或-O-CO置换；X为二价基团-(CR1R2)n-，其中R1和R2各自独立地为氢，含1-20个碳原子的直链、支链或环状烷基、烷氧基、烷氧基烷基或硫代烷氧基，C4-C18芳基或C2-C10链烯基，每个基团的一个或多个氢原子可由卤素如Cl或F、或CN取代；以及n为1-20的整数，优选3-10，特别是3-6；条件是这些A基团的数目受可用的，即可取代的氢原子最大数目限制。本发明还涉及使用这些材料制作选择性多层结构化的发光二极管、激光器、太阳能电池、波导管或集成电路。

公开(公告)号：CN1231515C

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN98810453.9

申请日：1998-05-13

Applicant: 陶氏环球技术公司

Inventor： M·英巴斯卡兰 ,  E·P·伍德 ,  吴唯实

IPC: C08G61/00

CPC classification number: H01L51/0039 ,  C08G61/02 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/5012

Abstract: 一种制备共轭聚合物的方法，该方法包括在含有下述物质的反应混合物中：(a)聚合物于其中形成至少1%溶液的有机溶剂；(b)pKa值为9～13的无机碱的水溶液，该溶液的浓度至少为0.1N；(c)催化量的钯配合物；和(d)基于反应混合物中硼酸、硼酸酯和硼烷基团的摩尔数，至少为0.01摩尔%的相转移催化剂，并且在足以形成相应共轭聚合物的反应条件下，使(i)具有两个选自硼酸、C1～C6硼酸酯、C1～C6硼烷及其混合物的反应性基团的单体，与芳族二卤化物功能性单体接触，或者(ii)具有一个反应性硼酸、硼酸酯或硼烷基团和一个反应性含卤素官能团的单体，本身相互接触；其中单体的选择应使该聚合反应的产物具有共轭不饱和内部基团。

公开(公告)号：CN1680456A

公开(公告)日：2005-10-12

申请号：CN200510067640.5

申请日：2005-04-01

Applicant: 通用电气公司

Inventor： K·E·利茨 ,  J·J·香 ,  C·M·A·赫勒

IPC: C08G61/00 ,  C09K11/06 ,  H05B33/14

CPC classification number: C08F214/18 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1416 ,  C09K2211/1483 ,  H01L51/004 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0062 ,  H01L51/5012 ,  H05B33/14 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了包含下式的2－(7－苯并噻唑基－9，9－双取代芴)结构单元的聚合物，其中R1和R2各自独立地为烷基、芳烷基、芳基或－Si(R)3基，其中R为烷基；R3为选自供电子取代基和吸电子取代基的基团；x值为零至芳香环上可取代的氢的数目；Z和Q各自独立地为与芴基团和苯并噻唑基团共轭的基团；并且参数j和k各自独立地为0－2。本发明还公开了包含该聚合物的电活性器件、制备该聚合物的方法，以及用于制备该聚合物的单体。

公开(公告)号：CN1220666C

公开(公告)日：2005-09-28

申请号：CN02108423.8

申请日：2002-03-29

Applicant: 捷时雅股份有限公司

Inventor： 后藤幸平 ,  高桥昌之 ,  山川芳孝 ,  樋上诚

IPC: C07C43/205 ,  C08G61/00 ,  H01M6/18

CPC classification number: C08J5/2256 ,  C07C45/71 ,  C07C49/84 ,  C08G61/12 ,  C08G65/48 ,  C08J2371/12

Abstract: 本发明公开了一种包含吸电子基团和供电子基团的单体，它容易控制可损害共聚物机械性能的磺酸的量的上限，而且可提供一种能够形成在宽温度范围内具有高质子导电率、具有优异的机械强度和优异的质子导电率并在热水和甲醇水溶液中表现出受抑制的溶胀的质子导电膜的磺化聚合物，以及一种由该单体得到的共聚物。本发明提供了一种由以下结构式(1)表示的包含吸电子基团和供电子基团的单体：其中Y表示碘原子、氯原子或溴原子；X表示吸电子基团；B表示供电子基团；且Z表示具有特定结构的芳基或一价稠环烃基如萘基。

公开(公告)号：CN1216928C

公开(公告)日：2005-08-31

申请号：CN02807198.0

申请日：2002-03-22

Applicant: 科文有机半导体有限公司

Inventor： 凯文·特雷彻 ,  海因里希·贝克尔 ,  菲利普·施托赛尔 ,  胡伯特·斯普雷策 ,  奥雷利·法尔寇 ,  阿米尔·帕哈姆 ,  阿尔内·比辛

IPC: C08G61/00 ,  C09K11/06 ,  H05B33/14 ,  H01L51/30

CPC classification number: H01L51/0039 ,  C07C17/2632 ,  C07C25/22 ,  C07C43/225 ,  C07C2603/18 ,  C07C2603/94 ,  C08G61/02 ,  C08G61/12 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/0508 ,  H01L51/5012 ,  Y02E10/549 ,  Y10S428/917

Abstract: 本发明涉及含有化学式(I)和化学式(II)的螺二芴单元和氟单元的新聚合物。其中还可以含有其它附加的具有电荷转移特征，穴转移特征和/或电子转移特征的结构元件。这种类型的材料在电子元件中表现出明显改良的特性，尤其是当使用在PLED，特别是作为电致发光材料时，使用才有机集成电路(O-ICs)，有机场效晶体管(OFETs)，有机薄膜晶体管(OTFTs)，有机太阳能电池(O-SCs)或使用在有机激光二极管(O-激光)。

公开(公告)号：CN1211002C

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN00807291.4

申请日：2000-11-15

Applicant: 陶氏环球技术公司

Inventor： 大场薰 ,  秋元英树 ,  B·马丁 ,  A·C·M·艾奇恩 ,  P·E·加罗 ,  苏应雄 ,  B·L·卡里斯佐斯基

IPC: H05K3/46 ,  C08G61/00

CPC classification number: H05K3/4655 ,  C08G61/02 ,  H05K3/4652 ,  H05K2201/0158 ,  H05K2201/0358

Abstract: 本发明涉及一种用增韧的苯并环丁烯为基础的介电聚合物涂覆的金属箔制作印刷线路板的方法。本发明还涉及一种含有苯并环丁烯为基础的单体或低聚物、乙烯属不饱和聚合物添加剂以及任选的光活性化合物的增韧的介电聚合物。

公开(公告)号：CN1561355A

公开(公告)日：2005-01-05

申请号：CN02819081.5

申请日：2002-12-12

Applicant: 住友电木株式会社

Inventor： L·F·罗德斯 ,  R·维卡里 ,  L·J·兰格斯多弗 ,  A·A·索比克 ,  E·P·博伊德 ,  B·本乃特

IPC: C08G61/00 ,  C08F232/08 ,  G03F7/004

CPC classification number: C08G61/06 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/0397

Abstract: 本发明涉及多环聚合物，多环聚合物的生产方法，以及其在制造集成电路中用作光刻胶的使用方法。在一实施方案中，本发明涉及由至少一种卤化多环单体或氢卤化多环单体形成的光刻胶组合物。在另一实施方案中，本发明涉及由至少一种卤化多环单体或氢卤化多环单体与至少一种非－卤化多环单体的共聚合而形成的光刻胶组合物。另外，本发明还涉及借此对所述光刻胶组合物进行后－处理以便获得下列之一或更多的方法：(1)降低聚合物组合物的光密度；和(2)降低聚合物组合物中剩余金属和/或单体的含量。此外，本发明还披露了用来生产本发明光刻胶组合物的催化剂体系，所述催化剂体系能够控制光刻胶产物的分子量。

公开(公告)号：CN1160598C

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN98811345.7

申请日：1998-11-10

Applicant: 克拉里安特国际有限公司

Inventor： S·F·瓦奈特 ,  K·H·詹森 ,  卢炳宏 ,  D·S·麦肯基

IPC: G03F7/023 ,  C08G61/00

CPC classification number: G03F7/0233 ,  G03F7/0236

Abstract: 一种包括成膜树脂、光活性组合物以及溶剂的光刻胶组合物。成膜树脂是由酚衍生物和取代的二苯醚缩合得到的。此光刻胶还可以含碱溶性的成膜树脂，如酚醛清漆树脂。本发明的光刻胶改进了光刻胶图象的拍摄速度、分辨率和热稳定性。