公开(公告)号：CN101405884B

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN200780009954.7

申请日：2007-03-21

Applicant: 诺瓦莱德公开股份有限公司

Inventor： 奥拉夫·蔡卡 ,  安德利亚·卢克斯 ,  迈克尔·利默特 ,  霍斯特·哈特曼 ,  安德烈·格吕辛 ,  安斯加尔·维尔纳 ,  马丁·安曼 ,  斯温·穆拉诺

IPC: H01L51/00 ,  C07D233/24 ,  C07D235/02 ,  C07D235/20 ,  C07D277/66

CPC classification number: H01L51/0051 ,  C07D235/02 ,  C08G61/00 ,  H01L51/002 ,  H01L51/0067 ,  H01L51/0071 ,  H01L51/0081 ,  H01L51/5076 ,  Y02E10/549

Abstract: 本发明涉及用于制备掺杂的有机半导体材料的方法，所述方法包含如下步骤：(i)制备包含至少一种掺杂剂前体、至少一种待掺杂的有机材料和溶剂的溶液或悬浮液，(ii)将所述溶液或悬浮液施用于基材上并移除溶剂，(iii)通过施加活化能将掺杂剂前体转化为掺杂剂，其中所述掺杂剂前体是掺杂剂的二聚物、低聚物、聚合物、二螺化合物或多环，所述掺杂剂前体通过施加活化能解离为掺杂剂。

公开(公告)号：CN103370345A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201180067219.8

申请日：2011-12-06

Applicant: 3M创新有限公司

Inventor： 米格尔·A·格拉 ,  格雷格·D·达尔克 ,  丹尼斯·杜谢恩 ,  福士达夫 ,  沃纳·M·A·格鲁泰尔特 ,  裘再明

IPC: C08F14/18 ,  C08F8/04 ,  C08F8/44 ,  C08F16/30

CPC classification number: C08G61/00 ,  C07C313/02 ,  C08F8/44 ,  C08F14/18 ,  C08F214/184

Abstract: 本发明提供了一种包含高度氟化的亚磺酸盐低聚物的低聚物。

公开(公告)号：CN101218277B

公开(公告)日：2012-03-07

申请号：CN200680025203.X

申请日：2006-06-09

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 大内一荣 ,  福岛大介 ,  山田武 ,  安立诚

IPC: C08G61/00 ,  C09K11/06 ,  H01L51/00 ,  H05B33/10

CPC classification number: C08G61/00 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1416 ,  C09K2211/1433 ,  C09K2211/1466 ,  C09K2211/1475 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/5012 ,  H05B33/14

Abstract: 本发明公开了一种芳族聚合物，其含有一种以上的由下式(1)表示的重复单元。(在该式中，Ar1表示含有稠环结构的亚芳基或者含有π-共轭体系的二价杂环化合物基，并且包含由下式(2)表示的基团。该基团连接具有sp2杂化轨道的碳原子，所述具有sp2杂化轨道的碳原子包含在由Ar1表示的所述含有稠环结构的亚芳基或所述具有π-共轭体系的二价杂环化合物基的环结构的环中。(在式(2)中，E1表示氢原子、卤素原子或一价有机基团；Ar2表示具有二价π-共轭环化合物残基的基团，并且两个Ar2可以彼此相同或不同；X1表示选自-NQ1-、-PQ2-和-BQ3-中的二价基团，并且Q1至Q3独立地表示取代基；Z表示直接键合或二价连接基团，并且两个Z可以彼此相同或不同；mi各自表示0或1；并且在存在两个X1的情况下，它们可以彼此相同或不同。)-Ar1- (1)Ar2-x1m1Z2E1(2)

公开(公告)号：CN102321234A

公开(公告)日：2012-01-18

申请号：CN201110215046.1

申请日：2006-05-18

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 津田义博 ,  森下芳伊 ,  野村理行 ,  星阳介 ,  舟生重昭

IPC: C08G61/00 ,  C08G61/02 ,  C08G61/12 ,  C09K11/06 ,  H01L51/54

CPC classification number: C08G61/00 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1416 ,  C09K2211/1466 ,  C09K2211/1475 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0077 ,  H01L51/0085 ,  H01L51/5012

Abstract: 本发明以提供可缩短反应时间的共轭聚合物的制造方法为目的。本发明的共轭聚合物的制造方法，其特征为，其是通过铃木偶合制造共轭聚合物的方法，该方法使用微波照射，且一面调节温度一面断续的进行该微波照射。共轭聚合物优选为作为有机电子材料使用的聚合物，更优选为作为电致发光材料使用的聚合物。所述电致发光材料可以用于电致发光元件。

公开(公告)号：CN102311533A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201110215049.5

申请日：2006-05-18

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 津田义博 ,  森下芳伊 ,  野村理行 ,  星阳介 ,  舟生重昭

IPC: C08G61/00 ,  C08G61/02 ,  C08G61/12 ,  C09K11/06 ,  H01L51/54

CPC classification number: C08G61/00 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1416 ,  C09K2211/1466 ,  C09K2211/1475 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0077 ,  H01L51/0085 ,  H01L51/5012

Abstract: 本发明以提供可缩短反应时间的共轭聚合物的制造方法为目的。本发明的共轭聚合物的制造方法，其特征为，其是通过铃木偶合制造共轭聚合物的方法，该方法使用微波照射，且在聚四氟乙烯制反应容器内进行反应。共轭聚合物优选为作为有机电子材料使用的聚合物，更优选为作为电致发光材料使用的聚合物。所述电致发光材料可以用于电致发光元件。

公开(公告)号：CN1968986B

公开(公告)日：2010-05-05

申请号：CN200580008122.4

申请日：2005-03-01

Applicant: 陶氏环球技术公司

Inventor： D·J·布伦南 ,  D·M·威尔士 ,  陈宇 ,  J·M·萧

IPC: C08G61/12

CPC classification number: C08G61/126 ,  C08G61/00 ,  C08G61/02 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0058 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0545

Abstract: 本发明涉及具有由式(I)所示结构单元的五噻吩基-芴共聚物：这里，R和R′各自独立地是取代基或H。本发明也涉及含有此共聚物的晶体管。本发明通过提供具有格外低滞后的电活化装置试图解决本领域的问题。

公开(公告)号：CN101472971A

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200780022848.2

申请日：2007-06-19

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 山田贵司 ,  佐佐木繁

IPC: C08G61/00 ,  H01B1/06 ,  H01M8/02 ,  H01M8/10

CPC classification number: H01B1/122 ,  C08G61/00 ,  C08G61/12 ,  C08G61/122 ,  C08G61/123 ,  C08J5/2256 ,  C08J2365/00 ,  H01B1/12 ,  H01M8/1025 ,  H01M8/1027 ,  H01M8/1032 ,  H01M2008/1095 ,  H01M2300/0082

Abstract: 本发明的高分子电解质以1～30重量％的重量分率具有下述通式(1)表示的结构单元。上述高分子电解质具有高离子传导率，并且耐水性优异。式中，A环、B环分别独立地表示可以具有取代基的芳香族烃环或可以具有取代基的杂环，X1、X2分别独立地表示－CO－、－SO－、－SO2－中的任一种。n、m分别独立地表示0、1或2，n+m为1以上。需要说明的是，n为2时，2个X1可以相互相同，也可以不同。m为2时，2个X2可以相互相同，也可以不同。X表示直接连接或2价基团。

公开(公告)号：CN101124259A

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200580048421.0

申请日：2005-12-21

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 小林重也 ,  小林谕

IPC: C08G61/00 ,  C08L65/00 ,  C07C13/66 ,  C07C23/46 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50 ,  G02F1/13357

CPC classification number: C07C17/12 ,  C07C13/66 ,  C07C17/263 ,  C07C23/46 ,  C08G61/00 ,  C08G61/02 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1416 ,  C09K2211/1433 ,  C09K2211/145 ,  C09K2211/1458 ,  C09K2211/1466 ,  C09K2211/1475 ,  C09K2211/1483 ,  C09K2211/1491 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0054 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/0085 ,  H01L51/0086 ,  H01L51/0087 ,  H01L51/0089 ,  H01L51/0094 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5048 ,  H05B33/14 ,  H05B33/20 ,  Y10T428/1055 ,  Y10T428/31938 ,  C07C25/02 ,  C07C25/22

Abstract: 一种高分子化合物，其特征在于含有下述式(1)所示的结构。[式中，A环和B环分别独立地表示可以具有取代基的芳香族烃环，C环表示不含稠环芳香族化合物且具有至少一个取代基的脂环式烃。该脂环式烃可以含有杂原子。]

公开(公告)号：CN1286784C

公开(公告)日：2006-11-29

申请号：CN02803774.X

申请日：2002-01-17

Applicant: 切夫里昂美国公司

Inventor： J·E·达尔 ,  R·M·卡尔森

IPC: C07C13/64 ,  C07C7/00

CPC classification number: B82Y30/00 ,  B82Y10/00 ,  C07C4/00 ,  C07C7/04 ,  C07C7/12 ,  C07C7/135 ,  C07C13/64 ,  C07C17/10 ,  C07C17/16 ,  C07C17/383 ,  C07C17/395 ,  C07C23/20 ,  C07C39/17 ,  C07C47/347 ,  C07C49/423 ,  C07C205/05 ,  C07C211/50 ,  C07C2603/54 ,  C07C2603/90 ,  C08G61/00 ,  C08G61/02 ,  C08G83/00 ,  C08L65/00

Abstract: 公开的是从含烃原料中回收和提纯高级金刚形烃的方法。具体地说，所公开的是获得富集了四金刚烷组分和其它高级金刚形烃组分的金刚形烃组合物的多步骤回收方法。还公开的是一种组合物，它包括至少约10wt%的非电离的四金刚烷组分和其它高级金刚形烃组分和至少约0.5wt%的非电离的五金刚烷组分和其它高级金刚形烃组分，基于所存在的金刚形烃组分的总重量。

公开(公告)号：CN1745120A

公开(公告)日：2006-03-08

申请号：CN200380109350.1

申请日：2003-11-24

Applicant: 陶氏环球技术公司

Inventor： J·C·赫德里克 ,  M·桑卡拉潘迪兰 ,  C·S·提柏格 ,  J·P·戈德斯沙洛斯 ,  Q·S·J·牛 ,  H·C·西尔维斯

IPC: C08G61/00 ,  C08G61/10 ,  C08L65/00 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L23/5329 ,  C08G61/00 ,  C08G61/10 ,  C08G2261/312 ,  C08G2261/46 ,  C08G2261/92 ,  C08G2650/20 ,  C08G2650/60 ,  C08L65/00 ,  C08L2203/20 ,  C08L2312/00 ,  C09D165/00 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S428/901 ,  Y10T428/24917 ,  Y10T428/31504 ,  Y10T428/31855 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了与传统交联聚亚芳基材料相比在高温下具有降低的热膨胀系数的交联聚亚芳基材料。此外，提供了含有在高温下具有降低的热膨胀系数的交联聚亚芳基聚合物的集成电路制品。