公开(公告)号：CN1695205A

公开(公告)日：2005-11-09

申请号：CN03825070.5

申请日：2003-04-23

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 菊竹阳 ,  伊藤成真 ,  川畑邦范

IPC: G11C29/00

CPC classification number: G11C29/787 ,  G11C17/18 ,  G11C29/789

Abstract: 一种半导体存储装置，其特征在于，包括用于对第一地址进行冗余的多个第一熔丝锁存电路、用于对第二地址进行冗余的多个第二熔丝锁存电路、以及用于使多个第二熔丝锁存电路无效的无效电路，与多个第一熔丝锁存电路对应的多个第一熔丝位置并不相互相邻，而是由与多个第二熔丝锁存电路对应的第二熔丝位置介于其间。

公开(公告)号：CN1694183A

公开(公告)日：2005-11-09

申请号：CN200510068312.7

申请日：2005-04-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄建祥 ,  陈云升

IPC: G11C16/02 ,  G11C16/06 ,  G11C16/10

CPC classification number: G11C17/16 ,  G11C17/18 ,  H01C17/22 ,  H01G4/255 ,  H01L27/10

Abstract: 本发明提供一种装置调整及熔丝参考电阻调整的电路和电性装置调整方法。该装置调整电路包括：至少一参考装置、至少一调整装置、以及至少一电性熔丝基础控制单元。参考装置具有参考电性参数。调整装置耦接参考装置以形成调整参考装置，且调整参考装置根据参考装置与调整装置以提供修改参考电性参数。电性熔丝基础控制单元根据电性熔丝的状态来控制调整装置是否耦接参考装置。本发明提供的装置调整电路，用以处理装置失配及程序变化。

公开(公告)号：CN1667745A

公开(公告)日：2005-09-14

申请号：CN200510051366.2

申请日：2005-03-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴瑞仁

IPC: G11C7/00 ,  G11C7/24

CPC classification number: G11C17/18

Abstract: 本发明是一种以小读取电流侦测电子式熔丝状态的小型电路，具体为一种电阻式熔丝元件侦测电路，包括一电阻式熔丝元件，一第二电阻式熔丝元件、一第一反相器，一第二反相器、一第一主动装置与一第二主动装置。该第一主动装置耦接该电阻式熔丝元件与该第一反相器，该第二主动装置耦接该第二电阻式熔丝元件与该第二反相器。其中，提供一时脉信号输入至该第一主动装置与该第二主动装置，当该时脉信号为逻辑状态为0且该电阻式熔丝元件未被烧毁时，该第一反相器与该第二反相器之间产生一差动电压，且当该时脉信号为逻辑状态为0，且该电阻式熔丝元件被烧毁时，该第一反相器与该第二反相器产生一单一电压。

公开(公告)号：CN1666297A

公开(公告)日：2005-09-07

申请号：CN03815257.6

申请日：2003-06-21

Applicant: 因芬尼昂技术股份公司

Inventor： G·勒赫曼恩

IPC: G11C17/18 ,  G11C29/00

CPC classification number: G11C17/18 ,  G11C19/00

Abstract: 一种顺序熔丝锁存器装置包括多个熔丝锁存器，其中每一熔丝锁存器是一数据存储组件，以及一移位寄存器，其包含多个指针锁存器，其中每一指针锁存器连接于至少一熔丝锁存器，其中该移位寄存器控制该多个熔丝锁存器的一顺序操作。

公开(公告)号：CN1577800A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410069980.7

申请日：2004-07-16

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 今井公正

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/768

CPC classification number: G11C29/027 ,  G11C5/147 ,  G11C17/18 ,  G11C29/02

Abstract: 电源接通时，利用VBP发生电路(Power－ON)发生读电位。将该读电位作为VBP加到程序元件，并检测程序元件的状态。读电位例如由逻辑电源电位生成。编程时，利用VBP发生电路(Program)发生编程电位。编程电位例如从芯片外部供给，作为VBP加到程序元件。在输出读/编程电位期间，对阻挡晶体管的栅极供给VBT例如电源电位。

公开(公告)号：CN1424763A

公开(公告)日：2003-06-18

申请号：CN02152460.2

申请日：2002-11-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 丰岛义明

IPC: H01L27/10

CPC classification number: H01L23/5256 ,  G11C17/18 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种可编程元件，其中包括多晶硅膜；以及在上述多晶硅膜上层积的具有金属硅化物膜或金属膜的电阻体。通过加热使上述金属硅化物膜或金属膜的组成改变或化学结合状态改变，使上述电阻体的电阻值改变，并根据上述电阻体的电阻值的改变进行编程。

公开(公告)号：CN1377042A

公开(公告)日：2002-10-30

申请号：CN01110544.5

申请日：2001-04-09

Applicant: 科统科技股份有限公司

Inventor： 方宏基

IPC: G11C16/10

CPC classification number: G11C11/005 ,  G11C11/404 ,  G11C14/00 ,  G11C17/18

Abstract: 一种DRAM存储装置,能够提供随机存取性及只读性存储功能。为了达到只读性存储功能,施加一编程电压至由一字符线、一位线、一晶体管、及一电容性储存组件所构成的DRAM存储单元。该编程电压永久性地改变该电容性储存组件的电压泄漏特性。然后该DRAM存储装置可以通过判断那个存储单元具有较大的电压泄漏特性来读取该些存储单元。

公开(公告)号：CN1362741A

公开(公告)日：2002-08-07

申请号：CN01143949.1

申请日：2001-12-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 木村亨 ,  小柳胜

IPC: H01L23/58 ,  H01L21/82 ,  G11C29/00

CPC classification number: G11C17/18 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 熔断丝电路具备一端进行共同连接的电熔断丝元件(Q1、Q1－1、Q1－2、…、Q1－n)、电压产生部分(14、19、18)、和读出部分(Q2、20、17)。上述电压产生部分的构成为给上述电熔断丝元件的一端的共同节点(32)选择性地加上用来破坏上述电熔断丝元件的编程电压(PROG)和用来读出上述电熔断丝元件的破坏/非破坏状态的读出电压的电压。上述读出部分的构成为在从上述电压产生部分给上述共同节点加上读出电压时,从上述电熔断丝元件的另一端读出上述破坏/非破坏状态。

公开(公告)号：CN1240042A

公开(公告)日：1999-12-29

申请号：CN97180441.9

申请日：1997-10-01

Applicant: 艾利森电话股份有限公司

Inventor： R·戈尔德曼

IPC: G11C17/18

CPC classification number: G11C17/18 ,  G11C29/02

Abstract: 为了监视反熔断器电容器的状态，将一个晶体管连接到该电容器，使其只在该电容器未被烧熔时处于饱和状态。监视该晶体管的基极电流就可监视该电容器的状态，而不需要使用常规的高电压比较器。

公开(公告)号：CN105182834B

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201410811522.X

申请日：2014-12-23

Applicant: 爱思开海力士有限公司

Inventor： 徐眞喆 ,  池性洙

IPC: G05B19/042

CPC classification number: G11C5/148 ,  G11C7/20 ,  G11C17/16 ,  G11C17/18 ,  G11C29/789 ,  H03K5/15

Abstract: 一种电子器件包括：加电信号发生电路块，其适于在源电压的加电部分期间产生加电信号；延迟电路块，其适于通过将加电信号顺序地延迟来产生多个延迟信号；以及多个内部电路块，其响应于加电信号和延迟信号中对应的一个来顺序地初始化。