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公开(公告)号：CN1551122A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN200410007277.3
申请日：2004-02-27
CPC分类号： G11B5/732 , G11B5/667 , G11B5/7325
摘要： 磁记录介质和包含该磁记录介质的磁记录/再现装置，其中磁记录介质包含具有粒状结构的取向控制层(3)，该取向控制层在衬底(1)和磁记录层(4)之间形成并包含基底材料和分散在基底材料上的颗粒并且具有小于颗粒粒径的厚度。
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公开(公告)号：CN104167215B
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201410196800.5
申请日：2014-05-09
申请人： 索尼公司
CPC分类号： G11B5/732 , G11B5/65 , Y10T156/10
摘要： 本发明涉及磁性记录介质及其制造方法。提供了一种磁性记录介质，该磁性记录介质包括：基体；籽晶层；基础层；以及记录层，该籽晶层被设置在基体与基础层之间，该籽晶层具有非晶态、包括包含Ti、Cr和O的合金，并且基于包含在籽晶层中Ti和Cr的总量，Ti的百分比为30原子％至100原子％，并且基于包含在籽晶层中Ti、Cr和O的总量，O的百分比为15原子％以下。此外，还提供了该磁性记录介质的制造方法。
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公开(公告)号：CN103534757B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201280023252.5
申请日：2012-05-14
申请人： 昭和电工株式会社
发明人： 桥本笃志
CPC分类号： G11B5/667 , G11B5/732 , Y10T156/10
摘要： 本发明提供一种维持垂直磁性层的高的垂直取向性，并能够实现更高记录密度化的磁记录介质。本发明的磁记录介质，至少在非磁性基板之上按顺序层叠有软磁性基底层（30）、种子层（31、32）、取向控制层（33）和垂直磁性层。软磁性基底层（30）具有非晶或微晶结构。种子层（31、32）包含第1种子层（31）和在其上以岛状或网状形成的第2种子层（32），所述第1种子层（31）包含金属氧化物或金属氮化物，所述第2种子层（32）包含金属。取向控制层（33）以及垂直磁性层中，以第2种子层（32）为起点，各自的晶粒构成了在厚度方向连续的柱状晶。
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公开(公告)号：CN105814632A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201580003028.3
申请日：2015-05-12
申请人： 富士电机株式会社
CPC分类号： G11B5/851 , G11B5/64 , G11B5/65 , G11B5/653 , G11B5/66 , G11B5/732 , G11B5/84 , G11B5/8404 , H01F10/123
摘要： 提供一种包括在维持高的磁各向异性的同时具有期望的膜厚的磁记录层、并且使磁特性更均匀化了的垂直磁记录介质的制造方法。该垂直磁记录介质的制造方法包括：准备非磁性基板的工序；在非磁性基板上层叠磁记录层的工序；以及将层叠有磁记录层的非磁性基板加热到400℃～600℃的温度的工序，其中，工序(B)至少包括形成第1磁记录层的工序和在第1磁记录层上形成第2磁记录层的工序，第1磁记录层具有包括由有序合金构成的第1磁性晶粒和包围它的由碳构成的第1非磁性晶界的粒状构造，第2磁记录层具有包括由有序合金构成的第2磁性晶粒和包围它的通过由硼和碳构成的非磁性材料来构成的第2非磁性晶界的粒状构造。
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公开(公告)号：CN105374373A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201410818260.X
申请日：2014-12-24
申请人： 株式会社东芝
摘要： 本发明得到具有设置有间距分散良好的凸图案的磁记录层的磁记录介质及其制造方法以及磁记录再现装置。实施方式涉及的磁记录介质包含：在基板上依次形成的、具有包含多个凹部的凹部图案的氧化硅基底层、具有与凹部图案对应的包含多个孔的第1孔图案的非磁性基底层、和形成于非磁性基底层上并具有包含与该第1孔图案连通的多个孔的第2孔图案的磁记录层。
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公开(公告)号：CN101836255B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200880113188.3
申请日：2008-08-28
申请人： 昭和电工株式会社 , 株式会社东芝 , 国立大学法人东北大学
CPC分类号： G11B5/732 , G11B5/7325 , G11B5/8404 , G11B5/851
摘要： 本发明提供一种垂直磁记录介质，其是在非磁性基板上至少具有衬里层、取向控制层、磁记录层和保护层的垂直磁记录介质，所述取向控制层由从所述基板侧起包含种子层、第1中间层和第2中间层的3层以上构成，构成所述第1中间层的晶粒分别外延生长于构成所述种子层的晶粒上，构成所述第2中间层的晶粒分别外延生长于构成所述第1中间层的晶粒上，并且，构成所述第2中间层的晶粒与构成所述第1中间层的晶粒相比已微细化。
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公开(公告)号：CN101796581A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN200880105480.0
申请日：2008-09-02
申请人： 昭和电工株式会社
发明人： 佐々木有三
CPC分类号： G11B5/732 , G11B5/65 , G11B5/7325
摘要： 本发明涉及一种磁记录介质，该磁记录介质是在非磁性基板上至少具有衬里层和取向控制层、磁记录层以及保护层的垂直磁记录介质，其特征在于，取向控制层由两层以上构成，且从基板侧包含种子层和中间层，作为种子层材料含有5原子％～25原子％的范围内的在相图上的相对于具有面心立方结构的元素的固溶区域为1原子％以下的元素。另外，本发明涉及一种磁记录再生装置，该装置具有该磁记录介质和对该磁记录介质记录再生信息的磁头。
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公开(公告)号：CN100533555C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200610160435.8
申请日：2006-11-16
申请人： 富士通株式会社
CPC分类号： G11B5/732 , G11B5/66 , G11B5/7325
摘要： 本发明提供一种磁记录介质和磁存储单元。所公开的该磁记录介质包括：基板；和按下述次序叠置在该基板上的底层、第一磁性层、非磁性耦合层、第二磁性层、第三磁性层、非磁性分隔层以及第四磁性层。所述第一磁性层与所述第二磁性层是反铁磁地交换耦合的，并且所述第二磁性层与所述第三磁性层是铁磁地交换耦合的。所述第三磁性层具有比所述第二磁性层的各向异性磁场更小的各向异性磁场，并具有比所述第二磁性层的饱和磁化更大的饱和磁化。
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公开(公告)号：CN100440325C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200510070269.8
申请日：2005-05-13
申请人： 富士通株式会社
发明人： 向井良一
CPC分类号： G11B5/732 , G11B5/65 , G11B5/667 , G11B5/7325 , G11B5/8404 , G11B5/851
摘要： 本发明公开了一种包括具有柱状颗粒结构的记录层的垂直磁记录介质，所述柱状颗粒结构具有磁性颗粒的适当的直径分布和均匀排列。所述垂直磁记录介质包括衬底和依次堆叠在衬底上的软磁底层、籽层、底层、记录层、保护膜及润滑层。所述底层包括由Ru或Ru合金形成的粒状晶体和使粒状晶体彼此分开，以至于隔离每个粒状晶体的间隙。在所述底层下面可以提供由Ru或Ru合金形成的连续薄膜。
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