公开(公告)号：CN101312048A

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200810099946.2

申请日：2008-05-22

申请人： 富士通株式会社

发明人： 五十岚聪志 ,  菊池晓 ,  贝津功刚 ,  稻村良作 ,  佐藤贤治 ,  佐藤伸也 ,  高星英明 ,  远藤敦 ,  柴田寿人

IPC分类号： G11B5/66 ,  G11B5/64 ,  G11B5/733

CPC分类号： G11B5/65 ,  G11B5/66 ,  G11B5/667 ,  G11B5/7325

摘要： 本发明提供一种磁记录介质和磁存储设备，所述磁记录介质具有基板、形成在所述基板上的非磁性颗粒层和形成在所述非磁性颗粒层上的记录层。所述非磁性颗粒层由具有hcp或fcc晶体结构的CoCr合金制成，其中非磁性材料偏析于基本柱状的磁性颗粒周围。所述磁记录介质和使用所述介质的磁存储设备具有改进的读/写性能。

公开(公告)号：CN100533555C

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200610160435.8

申请日：2006-11-16

申请人： 富士通株式会社

发明人： 高星英明 ,  远藤敦 ,  村尾玲子 ,  佐藤伸也 ,  菊池晓

IPC分类号： G11B5/66 ,  G11B5/70

CPC分类号： G11B5/732 ,  G11B5/66 ,  G11B5/7325

摘要： 本发明提供一种磁记录介质和磁存储单元。所公开的该磁记录介质包括：基板；和按下述次序叠置在该基板上的底层、第一磁性层、非磁性耦合层、第二磁性层、第三磁性层、非磁性分隔层以及第四磁性层。所述第一磁性层与所述第二磁性层是反铁磁地交换耦合的，并且所述第二磁性层与所述第三磁性层是铁磁地交换耦合的。所述第三磁性层具有比所述第二磁性层的各向异性磁场更小的各向异性磁场，并具有比所述第二磁性层的饱和磁化更大的饱和磁化。

公开(公告)号：CN101079269A

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：CN200610160435.8

申请日：2006-11-16

申请人： 富士通株式会社

发明人： 高星英明 ,  远藤敦 ,  村尾玲子 ,  佐藤伸也 ,  菊池晓

IPC分类号： G11B5/66 ,  G11B5/70

CPC分类号： G11B5/732 ,  G11B5/66 ,  G11B5/7325

摘要： 本发明提供一种磁记录介质和磁存储单元。所公开的该磁记录介质包括：基板；和按下述次序叠置在该基板上的底层、第一磁性层、非磁性耦合层、第二磁性层、第三磁性层、非磁性分隔层以及第四磁性层。所述第一磁性层与所述第二磁性层是反铁磁地交换耦合的，并且所述第二磁性层与所述第三磁性层是铁磁地交换耦合的。所述第三磁性层具有比所述第二磁性层的各向异性磁场更小的各向异性磁场，并具有比所述第二磁性层的饱和磁化更大的饱和磁化。