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公开(公告)号：CN102043089A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN201010518893.0
申请日：2010-10-26
申请人： 江苏多维科技有限公司
CPC分类号： G01R33/09 , G01R15/148 , G01R15/205 , G01R31/025 , G01R33/0017 , G01R33/091 , G01R33/098
摘要： 一种隔离式电压传感器，用于测量电路或输电网络中两个节点之间的交流或直流电压，该电压与两个节点的共模电势电气隔离。电路中两测试点之间的电压降是通过检测流过并联到测试点之间的分流电阻线圈的电流来测量的，流过分流电阻线圈的电流与测试点之间的电压成线性正比，利用经绝缘电介质与分流电阻线圈隔离的磁性传感器检测线圈中电流的关联磁场，可以测得分流电阻线圈中的电流。该传感器可封装成标准的集成电路，从而提供了一种体积小、成本低的电压传感器，用于测试、测量、控制和信号隔离等应用场合。
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公开(公告)号：CN203786283U
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201320632445.2
申请日：2013-10-14
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： G01R35/00
CPC分类号： G01R35/00 , G01R31/007 , G01R31/2829 , G01R33/0017 , G01R33/0035
摘要： 本实用新型提供用于磁自测试的系统，特征在于所述系统包含：包括控制器的电子控制单元（ECU）；电耦合到ECU的仅一个传感器，其中所述传感器包含感测元件、电耦合到所述感测元件和所述控制器的信号调节元件、和布置得与所述感测元件相邻的芯片上导线（WOC）器件；WOC激励元件，提供于所述ECU或所述传感器中以驱动WOC创建WOC磁场，其中所述系统配置为通过所述控制器或在所述传感器中的额外信号评价元件将由所述WOC磁场引起的预期传感器输出信号与实际传感器输出信号比较以识别所述传感器是否仍正在正确地运行。
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公开(公告)号：CN203519808U
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201320420963.8
申请日：2013-07-11
申请人： 意法半导体股份有限公司
IPC分类号： G01R33/09
CPC分类号： G01R33/096 , G01R33/0017 , G01R33/0052 , G01R33/0206
摘要： 本实用新型公开了一种磁场传感器，包括：芯片，包括具有第一表面和第二表面的衬底以及覆盖第一表面的绝缘层；第一磁阻器，延伸到绝缘层中并且具有主磁化轴线和副磁化轴线；第二磁阻器，延伸到绝缘层中并且具有主磁化轴线和副磁化轴线，第二磁阻器的主磁化轴线在横切于第一磁阻器的主磁化轴线的方向上延伸，并且第二磁阻器的副磁化轴线在横切于第一磁阻器的副磁化轴线的方向上延伸；第一磁场发生器，被配置为用于产生具有沿着第一磁阻器的主磁化轴线的场线的第一磁场；第二磁场发生器，被配置为用于产生具有沿着第二磁阻器的主磁化轴线的场线的第二磁场。第一磁阻器和第二磁阻器以距第一表面彼此不同的第一距离和第二距离分别延伸到绝缘层中。
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公开(公告)号：CN202083740U
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201120167338.8
申请日：2011-05-24
申请人： 江苏多维科技有限公司
CPC分类号： G01R33/09 , G01R15/148 , G01R15/205 , G01R31/025 , G01R33/0017 , G01R33/091 , G01R33/098
摘要： 一种隔离式电压传感器，用于测量电路或输电网络中两个节点之间的交流或直流电压，该电压与两个节点的共模电势电气隔离。电路中两测试点之间的电压降是通过检测流过并联到测试点之间的分流电阻线圈的电流来测量的，流过分流电阻线圈的电流与测试点之间的电压成线性正比，利用经绝缘电介质与分流电阻线圈隔离的磁性传感器检测线圈中电流的关联磁场，可以测得分流电阻线圈中的电流。该传感器可封装成标准的集成电路，从而提供了一种体积小、成本低的电压传感器，用于测试、测量、控制和信号隔离等应用场合。
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公开(公告)号：CN204575093U
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201420677285.8
申请日：2014-11-13
申请人： 半导体元件工业有限责任公司
发明人： J·伯廷
IPC分类号： G01D5/12
CPC分类号： G01R3/00 , G01D5/2258 , G01D5/2266 , G01R33/0017 , Y10T29/49117
摘要： 本实用新型涉及传感器电路。在一个实施例中，传感器电路可以包括第一接收器电路，第一接收器电路可以被配置用于接收表示第一互感的第一信号并形成表示所述第一互感的第一检测信号，其中所述第一可变互感响应于金属物的位置而变化。实施例可以包括第二接收器电路，被配置用于接收表示第二互感的第二信号并形成表示第二互感的第二检测信号，其中所述第二互感响应于金属物的位置而变化。在实施例中，传感器电路可以包括识别电路，该识别电路被配置用于响应于第一检测信号的第一值而确立移动检测信号，并被配置用于响应于第二检测信号的第一值而确立移动方向信号。
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公开(公告)号：CN202421482U
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201120347778.1
申请日：2011-09-16
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
CPC分类号： G01R33/0017 , B82Y25/00 , G01R33/00 , G01R33/072 , G01R33/091 , G01R33/093 , G01R33/098 , H01L43/00 , H01L43/08 , Y10T29/49002
摘要： 描述和描绘了涉及针对磁传感器的磁偏置场的生成的实施例。本实用新型提供一种设备，其包括：偏置场生成器，用于为磁传感器提供磁偏置场，其中所述偏置场生成器被配置成在第一方向上提供使所述传感器偏置的磁场分量，其中所述偏置场生成器包括具有空腔的主体，所述主体包括磁材料或可磁化材料，所述空腔在所述第一方向和所述第一方向的横向上延伸，以使得所述空腔至少在第二方向和第三方向上横向地以所述主体的材料为界，所述第二方向正交于所述第一方向并且所述第三方向正交于所述第二方向和所述第一方向。
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