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公开(公告)号：CN102435962A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110275173.0
申请日：2011-09-16
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： G01R33/09
CPC分类号： G01R33/0017 , B82Y25/00 , G01R33/00 , G01R33/072 , G01R33/091 , G01R33/093 , G01R33/098 , H01L43/00 , H01L43/08 , Y10T29/49002
摘要： 描述和描绘了涉及针对磁传感器的磁偏置场的生成的实施例。本发明提供一种设备，其包括：偏置场生成器，用于为磁传感器提供磁偏置场，其中所述偏置场生成器被配置成在第一方向上提供使所述传感器偏置的磁场分量，其中所述偏置场生成器包括具有空腔的主体，所述主体包括磁材料或可磁化材料，所述空腔在所述第一方向和所述第一方向的横向上延伸，以使得所述空腔至少在第二方向和第三方向上横向地以所述主体的材料为界，所述第二方向正交于所述第一方向并且所述第三方向正交于所述第二方向和所述第一方向。
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公开(公告)号：CN102435962B
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201110275173.0
申请日：2011-09-16
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： G01R33/09
摘要： 描述和描绘了涉及针对磁传感器的磁偏置场的生成的实施例。本发明提供一种设备，其包括：偏置场生成器，用于为磁传感器提供磁偏置场，其中所述偏置场生成器被配置成在第一方向上提供使所述传感器偏置的磁场分量，其中所述偏置场生成器包括具有空腔的主体，所述主体包括磁材料或可磁化材料，所述空腔在所述第一方向和所述第一方向的横向上延伸，以使得所述空腔至少在第二方向和第三方向上横向地以所述主体的材料为界，所述第二方向正交于所述第一方向并且所述第三方向正交于所述第二方向和所述第一方向。
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公开(公告)号：CN202421482U
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201120347778.1
申请日：2011-09-16
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
CPC分类号： G01R33/0017 , B82Y25/00 , G01R33/00 , G01R33/072 , G01R33/091 , G01R33/093 , G01R33/098 , H01L43/00 , H01L43/08 , Y10T29/49002
摘要： 描述和描绘了涉及针对磁传感器的磁偏置场的生成的实施例。本实用新型提供一种设备，其包括：偏置场生成器，用于为磁传感器提供磁偏置场，其中所述偏置场生成器被配置成在第一方向上提供使所述传感器偏置的磁场分量，其中所述偏置场生成器包括具有空腔的主体，所述主体包括磁材料或可磁化材料，所述空腔在所述第一方向和所述第一方向的横向上延伸，以使得所述空腔至少在第二方向和第三方向上横向地以所述主体的材料为界，所述第二方向正交于所述第一方向并且所述第三方向正交于所述第二方向和所述第一方向。
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