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公开(公告)号：CN1970665A
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200610105133.0
申请日：2006-12-07
Applicant: 西北工业大学
IPC: C09G1/18 , H01L21/304
Abstract: 本发明公开了一种抛光液，其组成为：脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸钠0.1～0.75g/L、十二烷基苯磺酸钠0.04～0.4g/L、椰子油酸二乙醇酰胺0.02～0.15g/L、溴的体积分数1～2％、其余为无水乙醇。还公开了上述抛光液抛光II－VI族化合物半导体晶片的方法，包括下述步骤：将橡胶垫平铺于抛光盘上，将细磨后的II－VI族化合物半导体晶片固定在抛光装置的支架上，在橡胶垫上滴加抛光液10～30毫升，设定抛光盘转速15～50r/min，对半导体晶片抛光10～120秒，立即用无水乙醇冲洗，再用高纯水冲洗后，于干燥器中存放。本发明利用表面活性使得污物易于清洗，加上橡胶抛光垫的使用，使得抛光面粗糙度由现有技术的50埃以内降低到30埃以内。
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公开(公告)号：CN1556262A
公开(公告)日：2004-12-22
申请号：CN200310122227.5
申请日：2003-12-30
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种生长碲锰汞晶体的方法，该方法首先根据公式(1)、(2)和具体晶体生长工艺参数和给定晶体生长速度u，计算抽拉速度V与固相长度z的关系，绘出V～z/L关系图；根据V～z/L关系图确定初始抽拉速度、稳定抽拉速度和初始过渡区长度，拟合出初始过渡区的V～z/L关系式V＝a+b×ecz/L；在初始过渡区逐渐减小抽拉速度，每生长若干距离后就降低一次抽拉速度，直至初始过渡区结束，初始过渡区的抽拉速度与减速位置的关系必须符合拟合的V～z/L关系式。当减速距离逐渐趋近0时，实际抽拉速度就逐渐趋近拟合的V～z/L关系式；保持抽拉速度为上述稳定抽拉速度直至晶体生长结束。该方法可有效改善Hg1－xMnxTe晶体轴向组分均匀性，增大组分均匀区长度，提高晶体利用率。
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公开(公告)号：CN119194585A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411380992.5
申请日：2024-09-30
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明涉及晶体生长技术领域，具体涉及一种激光辐照原位退火晶体生长炉及其使用方法，包括：加热炉膛、直线驱动组件以及激光器组件，加热炉膛架设在支撑底座上；直线驱动组件设置于加热炉膛的一侧，其输出端穿入加热炉膛的腔体后用于连接夹持晶体生长容器的夹持组件；激光器组件设置于加热炉膛的一侧，其输出的激光通过加热炉膛上的通孔照射在加热炉膛腔体内的晶体生长容器上。本装置在生长过程中加入激光辐照，能够消除夹杂相，减缓高温应力，减少晶体缺陷，从而提高获得的晶体质量。
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公开(公告)号：CN118795525A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410896212.6
申请日：2024-07-05
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明提供了关于辐照后测量半导体迁移率变化的原位辐照装置，解决现有测量辐照后半导体迁移率变化方法存在操作繁琐、周期长、测量装置复杂、测量效率低的不足之处。本发明原位辐照装置优化现有装置，兼顾辐照和测量功能，无需将辐照后的晶体取出，辐照发生模块一经关闭，便可以进行上升时间的测量，总测量时间可以在20s内完成，且一次可以测量多个辐照后的半导体探测器，测量周期大幅度缩短，效率明显提高。
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公开(公告)号：CN118604100A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410750249.8
申请日：2024-06-12
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本申请提供一种精确检测半导体中气体元素杂质的方法，气体元素杂质包括第一同位素和第二同位素，包括以下步骤：采用离子注入技术向半导体中注入新的第一同位素，新的第一同位素的注入含量为M，具体计算步骤如式I1；将注入新的第一同位素后的半导体放置到同位素分析仪中，测试半导体中的现有第一同位素和现有第二同位素的比值B，具体计算步骤如式II；根据式I1和式II计算得到式II中的m，即半导体中原有的第一同位素的含量，并根据第一同位素在自然界中的质量占比计算得到半导体中的气体元素杂质的含量，该检测方法能够实现对半导体中的气体元素杂质含量的精准检测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116140587A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211609847.0
申请日：2022-12-14
Applicant: 西北工业大学 , 宝鸡金航华颢新材料技术研究院有限公司 , 西安金航新材料技术开发有限公司 , 山西运能项目管理有限公司
Abstract: 本发明一种多功能反重力铸造设备及铸造方法，属于反重力铸造领域；包括上腔室模块、下腔室模块、真空恒压系统、氩气恒压系统，所述上腔室模块包括能够离心旋转且独立密封的上腔室；所述下腔室模块包括密封组件及下腔室，通过密封组件实现下腔室的独立密封以及上腔室、下腔室连接后的整体密封；所述真空恒压系统、氩气恒压系统分别通过管道与上腔室、下腔室连通，并在连接管道上分别安装真空控制阀和氩气控制阀，控制上腔室、下腔室的压力，实现多功能反重力铸造。本发明适用于多种金属及其合金的多功能反重力铸造，能够实现反重力铸造设备的多功能集成一体化。本发明下腔室能实现合金的真空熔炼和气氛保护熔炼功能。
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公开(公告)号：CN115055642A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210580145.8
申请日：2022-05-26
Applicant: 西北工业大学 , 西安金航新材料技术开发有限公司 , 宝鸡金航华颢新材料技术研究院有限公司
IPC: B22C9/02 , B22C1/00 , B22C1/06 , B22C3/00 , B22D21/04 , B33Y10/00 , B33Y50/02 , B33Y70/10 , B33Y80/00 , B22D37/00 , B22C9/08 , B22D27/18
Abstract: 一种用于镁合金铸件3DP砂型铸造的全流程联合阻燃与防氧化工艺，将自阻燃3DP砂型、砂型阻燃涂料/层涂覆、熔体机械过滤和气氛保护条件下的铸件浇注与凝固联合应用于镁合金铸件3DP砂型铸造生产中，防止镁合金熔体在浇注过程中的氧化燃烧，减少铸件内部夹杂，提高镁合金铸件的产品质量及成品率。本发明得到的铸型内熔体氧化燃烧倾向显著减少，铸件表面的氧化物瘤、烧点等缺陷减少，铸件内部氧化夹杂减少，铸件的表面及内部质量提升，铸件的合格率提高。且本发明工艺操作简单，所需材料和试剂等成本低廉，易于在镁合金铸件3DP砂型铸造中广泛应用，具有经济实用性。
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公开(公告)号：CN113042685A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110272589.0
申请日：2021-03-12
Applicant: 西北工业大学 , 西安金航新材料技术开发有限公司
Abstract: 本发明一种适用于ZL205A铝合金复杂薄壁构件的3DP砂型铸造工艺，属于3DP砂型铸造工艺技术领域；首先利用三维绘图软件设计铸件的浇注系统得到铸型的三维结构，并得到铸型3D打印切片数据；然后切片数据，使用目数为70‑140的硅砂，呋喃树脂为粘结剂，对甲苯硫酸为催化剂，使用3D打印机进行3DP砂型打印；设置打印参数：打印层厚为0.28mm，树脂含量为1.5wt.％；之后对3DP砂型进行清砂、烘干与合型，在3DP砂型内壁涂覆一层水基锆英粉涂料,并在120‑130℃的温度下烘干2.5‑3小时，随炉冷却；最后，熔炼ZL205A合金，降温至725±5℃进行浇铸；铸件凝固后，清理得到铸件。本发明工艺通过合理的3DP砂型打印工艺和铸造工艺，从砂型制备和铸造工艺双途径，降低了铸造缺陷，提高了铸件质量。
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公开(公告)号：CN112525940A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011304219.2
申请日：2020-11-19
Applicant: 西北工业大学
IPC: G01N23/2251 , G01N23/20091 , G01N23/2206 , G01N23/20008 , G01N23/2202 , G01N1/28 , G01N1/32 , G01N1/34 , C30B33/10
Abstract: 本发明涉及一种全无机卤化物钙钛矿CsPbBr3晶片表面二次相颗粒显现方法，选用MgO和无水乙醇作为抛光液，多次抛光后获得光滑、平整、无划痕的表面。将抛光后的晶片在体积分数为5‑20％的氢溴酸乙醇溶液中腐蚀后用无水乙醇除去表面残留腐蚀液，最后用高纯氮气吹干。最后，使用SEM和EDS实现对二次相颗粒形貌、尺寸、分布和组分特征等参数的精确表征。本发明用氢溴酸乙醇溶液对晶片表面进行腐蚀，晶体中镶嵌分布的二次相颗粒轮廓完整显现，实现对二次相颗粒形貌、尺寸、分布和组分参数的直接观察和精确表征，以及研究二次相颗粒对晶体性能的影响。该方法可以应用于CsPbBr3晶片抛光和二次相颗粒研究领域。
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公开(公告)号：CN112309440A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202011135635.4
申请日：2020-10-21
Applicant: 西北工业大学
Inventor： 赵清华 , 王涛 , 介万奇 , 安德烈斯·卡斯泰拉诺斯·戈麦斯 , 里卡多·夫里森达
IPC: G11B7/243 , G11B7/2433 , H01L29/872
Abstract: 本发明涉及一种基于铂‑二维硒化铟‑少层石墨肖特基二极管的光存储器件及存储方法，以干法转移技术制备的二维硒化铟‑石墨异质结构为基础，构筑铂‑二维硒化铟‑石墨肖特基二极管基的光存储器件。与背景技术中报道的基于二维材料对称型场效应晶体管光存储器件相比，铂‑二维硒化铟‑石墨肖特基二极管基的光存储器件工作时只需要调控源极和漏极之间的电压以及外部光照，即可实现对器件逻辑状态的控制，不需要引入较大的栅极电压，简化了器件工作时的电路连接。同时，本发明将器件工作时的电流从背景技术的微安(μA)级别降低至纳安(nA)级别，达到了降低能耗的目的。
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