公开(公告)号：CN112194466B

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN202011072559.7

申请日：2020-10-09

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李恩竹 ,  温擎宇 ,  杨鸿程 ,  孙成礼 ,  钟朝位 ,  张树人

IPC: C04B35/10 ,  C04B35/622 ,  C04B35/634

Abstract: 本发明属于电子陶瓷及其制造领域，涉及一种低介低损Ca‑Al‑B基微波介质陶瓷材料及其制备方法。本发明首次将CaO‑Al2O3‑B2O3三元体系的典型代表CaAl2B2O7作为低介低损Ca‑Al‑B基微波介质陶瓷材料应用，提供的低介低损Ca‑Al‑B基微波介质陶瓷材料，其原料组成为CaCO3、Al2O3和H3BO3，化学通式为CaAl2xB2O7(x＝0.25～1)，主晶相为CaAl2B2O7，利用固相烧结法制备，其预烧温度为750℃～900℃，烧结温度为930℃～1040℃，具有低介电常数(4～6)，损耗低至2.14×10‑4，频率温度系数‑20～‑30ppm/℃。本发明为低介低损介质陶瓷材料提供了一种新的选择。

公开(公告)号：CN109650871B

公开(公告)日：2021-11-23

申请号：CN201910084152.7

申请日：2019-01-29

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 钟朝位 ,  尚勇 ,  唐斌

IPC: C04B35/44

Abstract: 一种ZnAl2O4陶瓷体系材料及其制备方法，属于陶瓷材料及制备技术领域。本发明材料包括质量分数60％～70％的玻璃和质量分数为30％～40％的氧化铝；所述玻璃为钾铝硼硅系玻璃和锌硼硅系玻璃的混合物，其中钾铝硼硅系玻璃的质量分数为30％～56％，锌硼硅系玻璃的质量分数为12％～35％；玻璃和氧化铝经混合、干燥、成型后低温烧结(810℃～850℃)制得。本发明制得ZnAl2O4陶瓷体系材料的介电常数为4.65～4.98，Q×f值为4746～7360GHz，热膨胀系数为4.7～5.6ppm/℃，抗弯强度为150～202Mpa。本发明相比现有ZnAl2O4基陶瓷材料明显降低了烧结温度，能够兼容LTCC技术用于电路集成，并且介电性能和机械性能优异，同时制备方法简单、原料成本低，与传统玻璃陶瓷的制备工艺基本相同，具有良好的工艺稳定性。

公开(公告)号：CN109437663B

公开(公告)日：2021-07-09

申请号：CN201811435196.1

申请日：2018-11-28

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 唐斌 ,  罗福川 ,  袁颖 ,  钟朝位 ,  张树人

IPC: C04B26/08 ,  C04B20/10

Abstract: 一种具有近零介电常数温度系数的聚四氟乙烯基陶瓷复合材料及其制备方法，属于聚四氟乙烯基陶瓷复合材料技术领域。本发明选择具有近零的、正的介电常数温度系数的陶瓷粉体和玻璃纤维作为无机填料并通过对其进行表面处理改性，使得二者表面嫁接了与聚四氟乙烯结构类似的‑C‑F2‑化学链，再通过球磨复合工艺，使得聚四氟乙烯在球磨过程中破乳，同时球磨的运动能使陶瓷粉体和玻璃纤维均匀地分布在聚四氟乙烯中得到性能优异的复合材料。本发明工艺过程合理，填料混合过程简单，无机填料在PTFE中分散均匀，极大提高了陶瓷粉体填充PTFE微波复合基板材料的各项性能，本发明工艺在保证复合基板材料性能稳定的同时，极大的简化了制备流程，并且能满足大批量的生产。

公开(公告)号：CN112745118A

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN202110033110.8

申请日：2021-01-11

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 唐斌 ,  陈菁菁 ,  赵鹏 ,  杨成韬 ,  钟朝位 ,  张树人

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622 ,  C04B35/63

Abstract: 本发明提供一种脉冲储能介质陶瓷材料及制备方法，属于电子元器件材料领域。本发明由K0.5+xLayBi0.5(Mg0.5Zr0.5)yTiO3(0≤x≤0.05，0.05≤y≤0.15)主晶相和改性添加剂组成。所述改性添加剂为：CeO2、Nb2O5、Nd2O3、ZnO、MnCO3、SiO2中的一种或几种。其制备方法包括配料、球磨、造粒、成型、烧结。所述脉冲储能介质陶瓷材料有较高的储能密度，在200kV/cm(交流)下为2.0J/cm3，抗电强度为130～200kV/cm(交流)，储能效率为73％～75％，性能稳定，适于制作脉冲电容器介质材料。制备方法具有简单、易控、环保和成本低廉的特点。

公开(公告)号：CN109467433B

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN201811529803.0

申请日：2018-12-14

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李恩竹 ,  杨鸿宇 ,  杨鸿程 ,  陈亚伟 ,  钟朝位 ,  张树人

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明属于电子陶瓷及其制造领域，具体涉及一种Co‑Ti‑Ta基介质陶瓷材料及其制备方法。本发明提供的Co‑Ti‑Ta基介质陶瓷材料，为Co0.5Ti0.5TaO4微波介质陶瓷材料，具有Trirutile相晶体结构，预烧温度800℃‑1100℃，烧结温度1000‑1100℃相对较低，介电常数适中(36‑41)，损耗低至4.3×10‑4。其原料组成为Co2O3，TiO2，Ta2O5，化学通式Co0.5Ti0.5TaO4，通过固相法制得。本发明的材料介电常数高，烧结温度低，且其制备方法简单，易于工业化生产。

公开(公告)号：CN107382305B

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN201710575593.8

申请日：2017-07-14

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 唐斌 ,  方梓烜 ,  张星 ,  钟朝位 ,  张树人

IPC: C04B35/46 ,  C04B35/04 ,  C04B35/457 ,  C04B35/48 ,  C04B35/622

Abstract: 微波介质陶瓷材料及制备方法,属于电子信息功能材料制备技术领域。本发明的微波介质陶瓷材料的化学通式为Li2/3(1‑x‑y)A1/3(1‑x‑y)MgxByO，其中，A为Ti、Sn、Zr之中的至少一种，B为Ca、Zn、Ni、Co之中的至少一种；0＜x+y≤4/7，0≤x＜4/7，0＜y＜4/7。本发明的微波介质陶瓷材料中不含Pb，Cd等挥发性有毒金属，可广泛应用于卫星通信中介质谐振器、滤波器、振荡器等微波器件中应用，绿色环保无污染。

公开(公告)号：CN110903085A

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201911261832.8

申请日：2019-12-10

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 唐斌 ,  申懿婷 ,  熊喆 ,  袁颖 ,  钟朝位 ,  张树人

IPC: C04B35/46 ,  C04B35/622 ,  H01P1/203

Abstract: 本发明提供一种TiO2基微波陶瓷基板材料及其制备方法和应用，它由两种晶相组成，陶瓷主晶相为金红石型TiO2，第二晶相为MgTi2O5；普通氧化物ZrO2，Nb2O5，SnO2作为掺杂剂进入TiO2晶格中形成固溶体；MnCO3，CoO，CuO，ZnO，Al2O3作为掺杂剂在陶瓷中起到提升陶瓷品质因数的作用，化学通式为Ti1-xAxO2+yMgO+zB，其制备方法包括配料、球磨、造粒、成型、烧结，采用本发明方法制备的TiO2基微波陶瓷基板材料经实验室研究测试具有较高Q×f值(20000～40000)，高介电常数(80～95)和系列化的介电常数温度系数(-550～-900)。本发明复合陶瓷适用于制作微波电容器的基板材料，还可以用于制作微带滤波器等可调微波器件的材料。

公开(公告)号：CN109836141A

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201910248798.4

申请日：2019-03-29

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 钟朝位 ,  秦洋 ,  袁颖 ,  唐斌 ,  张树人

IPC: C04B35/16 ,  C04B35/622

Abstract: 一种高热导率低温共烧陶瓷材料及其制备方法，属于陶瓷材料及制备技术领域。该陶瓷材料由基料和掺杂剂经球磨混合、预烧、成型、烧结制成；其中，基料占陶瓷材料总质量的百分比为60％～90％，所述基料包括Li2CO325％～55％，SiO220％～45％，CaO 1％～3％，MgO 1％～4％，B2O32％～5％，Al2O35％～20％；掺杂剂占陶瓷材料总质量的百分比为10％～30％，所述掺杂剂包括碱金属硼硅酸盐玻璃、铝硼硅玻璃和钡锌硅玻璃。本发明提出的Li-Al-Si基陶瓷体系在满足介电性能要求的同时具备较高的热导率和抗弯强度，热导系数可达到9.83W/(mK)，抗弯强度也达到215MPa，并且能够满足与高电导率金属低温共烧要求，是一种综合性能优异的LTCC材料。同时本发明的制备方法与传统陶瓷制备相兼容，有利于工业化生产，并且具有良好的工艺稳定性。

公开(公告)号：CN109574663A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201811530556.6

申请日：2018-12-14

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李恩竹 ,  杨鸿宇 ,  杨鸿程 ,  陈亚伟 ,  钟朝位 ,  张树人

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明属于电子陶瓷及其制造领域，具体涉及一种Ni-Ti-Ta基微波介质陶瓷材料及其制备方法，材料结构为Trirutile相。本发明提供的材料，烧结温度适中(1150-1250℃)，介电常数适中(39-41)，损耗低至4.43×10-4，晶体结构为Co0.5Ti0.5TaO4。将原料Ni2O3，TiO2和Ta2O5按化学通式Ni0.5Ti0.5TaO4配比，再通过固相法制得。本发明提供的Ni0.5Ti0.5TaO4微波介质陶瓷具有较低的烧结温度，适中的介电常数以及较低的介质损耗，且其制备方法简单，易于工业化生产。

公开(公告)号：CN108975913A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201811207662.0

申请日：2018-10-17

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李恩竹 ,  杨鸿宇 ,  杨滢峰 ,  张树人 ,  钟朝位

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明属于电子陶瓷及其制造领域，涉及一种ZnO-TiO2-Nb2O5基低温共烧陶瓷(LTCC)材料及其制备方法。本发明将原料ZnO、TiO2、Nb2O5、B2O3和SiO2按比例直接配料预烧，制备方法相比现有技术减少了助剂的配制和预烧后的二次配料(简化了制备工艺)，且最终制得的ZnO-TiO2-Nb2O5基体系LTCC材料性能优于现有技术。