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公开(公告)号：CN112993006B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN201911276730.3
申请日：2019-12-12
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L29/739 , H01L21/336 , H01L21/335
Abstract: 本申请涉及电力电子器件技术领域，特别涉及一种终端结构、其制作方法及电子器件，其中，终端结构包括衬底，衬底具有主结原胞区和终端区，终端区包括靠近主结原胞区的过渡区和位于过渡区远离主结原胞区一侧的截止环；其中，衬底在位于过渡区与截止环之间的部位具有至少一个沟槽，终端区内形成有电容场板，电容场板覆盖各沟槽的侧面。本申请公开的终端结构，能够降低终端结构的面积占比，从而降低芯片的制造成本。
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公开(公告)号：CN113540018A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110845683.0
申请日：2021-07-26
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/498
Abstract: 涉及功率半导体器件封装技术领域，本发明提供了一种功率模块，包括绝缘基板、焊盘以及芯片；所述绝缘基板包括相互背离的第一表面以及第二表面，所述第二表面用于对接于散热器，所述第一表面开设有用于装配所述焊盘的连接槽；所述焊盘包括第一端面、侧面以及第二端面，所述第二端面对接于所述连接槽的底壁，所述侧面对接于所述连接槽的侧壁，所述第一端面供所述芯片焊接连接；相比于传统的用于绝缘的矽胶片，本发明提供的所述绝缘基板具有优秀的耐磨性，其能够解决因为矽胶片磨损而导致元器件和散热器短路的问题。
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公开(公告)号：CN113078135A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202010009743.0
申请日：2020-01-06
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L23/31 , H01L23/49
Abstract: 本发明涉及芯片封装技术领域，公开了一种芯片封装结构，该芯片封装结构包括基座，基座形成有用于流经冷媒的通孔；形成于基座外表面的导电电路层；形成于导电电路层背离通孔一侧的至少一个芯片，每个芯片通过焊接部固定于导电电路层；用于将支撑结构、导电电路层、芯片进行封装的封装层；至少一个引脚，每一个引脚的一端伸入封装层内以与对应的芯片电性连接，另一端探出封装层。该芯片封装结构包括具有管状结构的基座的外表面设置芯片，从而可以实现多面封装，提高利用率，基座的通孔内有冷媒流经，从而可以实现对芯片更好的散热，该芯片封装结构可以达到高利用率以及高散热率，从而在满足高散热需求的同时实现小型化。
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公开(公告)号：CN112216666A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201910626038.2
申请日：2019-07-11
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/49 , H01L23/495 , H01L23/31 , H01L21/56
Abstract: 本申请涉及芯片封装技术领域，具体而言，涉及一种元器件电性连接方法及通过该方法制备的芯片封装。元器件电性连接方法包括如下步骤：将芯片焊接在基板上；将芯片及外部引脚塑封成型，塑封过程中，对需要进行电性连接的焊盘处预留填充孔；在封装体上刻蚀用于连通填充孔的沟槽，每个所述沟槽用于连通需要进行电性连接的焊盘对应的填充孔；在导电沟槽和填充孔中填充导电胶；对外露的导电胶部分进行再次封装。本申请技术方案所提供的元器件电性连接方法，由于采用导电胶进行电性连接，不用引线键合的方式，不存在机械应力对芯片的损伤，提高芯片的可靠性。
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公开(公告)号：CN110739277A
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201910860449.8
申请日：2019-09-11
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明涉及封装结构技术领域，具体涉及一种封装结构及其制造方法，包括：封装组件以及包封于所述封装组件外侧的塑封层，其中，所述塑封层与所述封装组件的接触面间设有树脂层，有效增强封装过程中塑封层与封装组件间的界面结合力，以免出现分层现象，保证产品的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110148566A
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201910477626.4
申请日：2019-06-03
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L21/56 , H01L23/495 , H01L25/04
Abstract: 本申请提供了一种堆叠结构的智能功率模块，包括引线框架、第一芯片、第二芯片、第三芯片、连接桥和包封体。第一芯片设置在引线框架上，其包括导电层、设置在导电层下方的非功能层、以及容置在非功能层下部的功能层，其中，非功能层设有导电孔，导电孔用于将导电层和功能层电性连接，并且导电孔用于将导电层与引线框架电性连接；第二芯片和第三芯片均设置在第一芯片的上方，且第二芯片和第三芯片均与第一芯片的导电层电性连接；连接桥与第二芯片和第三芯片以及导电层电性连接；包封体用于封装第一芯片、第二芯片、第三芯片和连接桥以及部分引线框架。本申请降低了智能功率模块的占板面积。
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公开(公告)号：CN119944576A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202411929444.3
申请日：2024-12-25
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明实施例提供了一种检测电路和太阳能逆变器，本发明可以通过门驱动器可以依据锁存器送来的放大后的故障信号，能够精准地对晶体管的状态进行控制，在短路发生时，门驱动器可迅速采取措施，如断开晶体管的导通，从而及时切断短路电流，防止故障进一步扩大；并且在故障解除后，门驱动器也能够根据系统的整体控制逻辑，合理地恢复晶体管的正常工作状态，实现了对晶体管在故障期间及后续运行过程中的有效管理与调控，提高了整个电路系统的可靠性、稳定性以及可恢复性，保障了电路系统在复杂工况下的持续正常运行。
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公开(公告)号：CN119805144A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411827417.5
申请日：2024-12-12
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明实施例提供了一种智能功率模块的测试电路，智能功率模块包括驱动芯片和功率器件，测试电路包括信号发生模块、电源模块、可调负载模块和数据采集模块；驱动芯片，用于控制功率器件的工作状态；信号发生模块，用于根据预设工况需求信息，控制驱动芯片的输出状态；电源模块，用于根据预设电压需求信息，对功率器件提供母线电压；可调负载模块，用于根据预设负载需求信息，对功率器件提供负载；数据采集模块，用于采集功率器件的电压和电流。通过信号发生模块、电源模块和可调负载模块控制功率器件，并采集功率器件的电压和电流的方式，对智能功率模块测试，从而提高了测试效率并节省了开发周期。
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公开(公告)号：CN119766060A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411933138.7
申请日：2024-12-26
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明实施例提供了一种智能功率模块和芯片，包括驱动电路、功率因数校正电路和逆变电路；驱动电路与功率因数校正电路和逆变电路连接，用于控制功率因数校正电路和逆变电路的工作状态；功率因数校正电路与逆变电路连接，包括多个金属氧化物半导体场效应晶体管，功率因数校正电路用于在多个金属氧化物半导体场效应晶体管分别处于不同的工作状态下，对接收的第一交流电压整流后，向逆变电路传输直流电压；逆变电路用于接收直流电压，将直流电压转换为第二交流电压，以传输至负载。通过将功率因数校正电路集成在智能功率模块内，避免了功率因数校正电路位于前端电源部分导致电源部分电路占据PCB板的面积过大，而导致整个系统的成本显著攀升。
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公开(公告)号：CN119584598A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411599684.1
申请日：2024-11-11
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种金属氧化物半导体场效应管及其制备方法，所述金属氧化物半导体场效应管中每个元胞包括漏极金属层、衬底、外延层、电流扩展层、基区层、注入层、源极金属区和栅极区；漏极金属层、衬底、外延层、电流扩展层、基区层和注入层依次层叠；源极金属区的上部覆盖注入层和栅极区的上表面，源极金属区的下部贯穿注入层、基区层和电流扩展层并延伸至外延层中的埋层区；源极金属区的侧壁包括肖特基接触区和以侧壁作为纵向中心线的栅极区。本申请实施例在保证碳化硅金属氧化物半导体场效应管的导通压降和可靠性的同时，提高了金属氧化物半导体场效应管的动态特性。
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