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公开(公告)号：CN102347223B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201110298670.2
申请日：2011-09-30
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/225 , C30B31/02
Abstract: 本发明公开了一种利用胶态硅纳米颗粒对硅片进行掺杂的方法，包括以下步骤：对掺杂的纳米硅颗粒表面进行修饰，将表面经过修饰的硅颗粒分散在溶剂中，制得胶态硅纳米颗粒；使胶态硅纳米颗粒在表面经过去污和氧化层去除预处理的硅片上成膜，先在200-500℃下首次热处理5-60分钟，随后在750-1100℃、在含氧气氛下再次热处理30-120分钟，在硅片的近表面形成掺杂层。本发明所选原料中硅元素在地壳里的含量非常大，易得、无毒。同时，胶态硅纳米颗粒的应用使对硅片掺杂的工艺简化，能简便的实现选区掺杂。
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公开(公告)号：CN101559946B
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200910098051.1
申请日：2009-04-27
IPC: C01B33/021
Abstract: 本发明公开了一种利用等离子体制备硅纳米颗粒的方法及装置，包括将含有含硅气源和惰性气体的混合气体输入到等离子体腔中，在真空条件下，激发等离子体腔中的气体，使含硅气源转化形成硅纳米颗粒，硅纳米颗粒被气流携带出等离子体腔后通过收集器收集。本发明方法可以在硅纳米颗粒的制备过程中使用高功率的等离子体，同时尽量避免了硅纳米颗粒在等离子体腔体内壁上的沉积和改善了在气相中对硅纳米颗粒的收集。本发明使硅纳米颗粒的制备达到了规模化生产的要求。
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公开(公告)号：CN101814555A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN201010144769.2
申请日：2010-04-12
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0236
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种提高太阳电池效率的方法，本方法是通过在太阳电池工作区表面附着表面经过修饰的硅量子点来实现的，其步骤为：首先对硅量子点的表面进行修饰，接着把它们分散在溶剂中制得硅墨水，在太阳电池工作区表面印刷硅墨水，从而实现在太阳电池工作区表面附着表面经过修饰的硅量子点。本发明有益效果主要体现在：所选原料中硅元素在地壳里的含量非常大，易得、无毒。同时，硅量子点的运用使太阳电池的效率明显提高并且不会带来环保问题。
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公开(公告)号：CN116002634B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202211709768.7
申请日：2022-12-29
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及立方偏转结构聚合氮及其制备方法和应用。其中，立方偏转结构聚合氮的制备方法，包括以下步骤：提供金刚石对顶砧样品腔；向金刚石对顶砧样品腔中填充玻璃碳，然后降温至‑148℃以下，继续填充液氮，然后加压至100GPa以上，并加热至2100K以上，最后泄压至常压以及降温至常温，得到封装在金刚石中的立方偏转结构聚合氮。本发明制备方法制备的立方偏转结构聚合氮可实现在常温常压下稳定保存，且保存时间长。
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公开(公告)号：CN118493094B
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202410961673.7
申请日：2024-07-18
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅晶圆双面同步抛光方法，利用本发明的碳化硅晶圆双面同步抛光方法进行碳化硅晶圆双面同步抛光时，通过同时改变碳化硅晶圆碳面和硅面的亲水性，同时改变后续的抛光液和碳面的接触角与抛光液和硅面的接触角，使得碳化硅晶圆碳面和硅面在双面同步抛光时的去除速率比值下降。虽然Si面去除速率有所降低，但使C/Si面去除速率比降低，降低碳化硅晶圆的加工损耗，在降低加工损耗和加工成本的同时达到器件制造的使用要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118392608A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410499067.8
申请日：2024-04-24
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种重掺杂n型碳化硅晶片的腐蚀装置及位错检测方法。本发明将所述重掺杂n型碳化硅晶片置于所述腐蚀剂中，并利用所述电源对所述重掺杂n型碳化硅晶片和所述电极施加电压，使得所述电极、所述腐蚀剂、所述重掺杂n型碳化硅晶片之间形成通路，从而在所述重掺杂n型碳化硅晶片表面发生电化学腐蚀，将电化学腐蚀与所述腐蚀剂的化学腐蚀相结合的方式作用在所述重掺杂n型碳化硅晶片表面，本发明既可以提高碳化硅晶片位错腐蚀效率，又能够通过腐蚀坑形貌和大小明确区分TSD、TED、BPD不同位错类型，从而反应晶片的真实位错密度。
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公开(公告)号：CN118064061B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410470055.2
申请日：2024-04-18
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/304 , C09G1/02
Abstract: 本发明涉及晶体材料后处理技术领域，提供了一种双面同步抛光用的碳化硅晶圆抛光液、制备方法与应用，所述抛光液的成分包括：20‑30wt.%硅溶胶，0.005‑0.05wt.%表面活性剂，8‑17wt.% TiO2包覆SiO2核壳光催化磨料，3‑9wt.%双氧水，去离子水；其中，TiO2含量占所述核壳光催化磨料的20‑35wt.%；所述抛光液与碳面的接触角∶抛光液与硅面的接触角为2‑3.5∶1，所述抛光液的pH值为8‑10；在提高硅面的材料去除率的同时抑制碳面过高的材料去除率，碳面和硅面的材料去除率比显著降低至1.2‑2，同时硅面的材料去除率可以提高到150nm/h以上。
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公开(公告)号：CN114197056B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202210044062.7
申请日：2022-01-14
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明公开了一种半导体材料退火装置及退火方法，涉及半导体制造技术领域，其中，一种半导体材料退火装置，包括：转移室，转移室内设有载样台，转移室上活动设有样品传送装置；第一加热室，第一加热室与转移室相连通；第二加热室，第二加热室与转移室相连通；冷却室，冷却室与转移室相连通；旋转升降机构，旋转升降机构与载样台相连接，旋转升降机构用于带动载样台并带着样品在第一加热室、第二加热室和冷却室之间进行转换。本申请的退火装置不仅可以实现连续加热，无需进行重复升温降温操作，有效降低工作过程能耗以及提高退火效率，且每个室既可以配合工作，也可以单独工作，进一步降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN117798814B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410232074.1
申请日：2024-03-01
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种抛光垫、抛光垫的制备方法及抛光方法。抛光垫包括光催化区域、硬性去除区域、软性去除区域。抛光垫在使用过程中，抛光液添加在光催化区域中心位置，通过紫外光照射光使得光催化固体发生催化反应，激发产生的‑OH团基和O2‑作用在外围硬性去除区域与软性去除区域正在研磨的晶圆表面，快速去除晶圆的表面厚度，硬性去除区域环绕着光催化区域分布，在抛光过程中，晶圆会循环经过硬性去除区域、软性去除区域，降低晶圆表面的不平整度，并搭配光催化区域，实现晶圆抛光良率的提高。同时，在硬性去除区域引入了导流槽设计，使得抛光过程中、产生的硬性去除固体的碎屑及时从抛光盘表面流出，避免对其他区域的影响。
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公开(公告)号：CN117798814A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202410232074.1
申请日：2024-03-01
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种抛光垫、抛光垫的制备方法及抛光方法。抛光垫包括光催化区域、硬性去除区域、软性去除区域。抛光垫在使用过程中，抛光液添加在光催化区域中心位置，通过紫外光照射光使得光催化固体发生催化反应，激发产生的‑OH团基和O2‑作用在外围硬性去除区域与软性去除区域正在研磨的晶圆表面，快速去除晶圆的表面厚度，硬性去除区域环绕着光催化区域分布，在抛光过程中，晶圆会循环经过硬性去除区域、软性去除区域，降低晶圆表面的不平整度，并搭配光催化区域，实现晶圆抛光良率的提高。同时，在硬性去除区域引入了导流槽设计，使得抛光过程中、产生的硬性去除固体的碎屑及时从抛光盘表面流出，避免对其他区域的影响。
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