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公开(公告)号：CN116387141A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310664916.6
申请日：2023-06-07
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L21/263 , H01L21/324 , H01L29/16
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种低裂纹碳化硅晶圆制备方法及碳化硅晶圆，包括：具有裂纹的待加工碳化硅晶圆进行粒子辐照形成空位，再进行退火，退火工艺中溢出的硅原子与氧气反应生成具有粘性流动的二氧化硅，并且所述空位层中的原子借助空位的长程传输，在所述二氧化硅和所述原子的长程传输的共同作用下，填充待加工碳化硅晶圆表面的裂纹，形成自愈合层，最后通过研磨和抛光，获得低裂纹碳化硅晶圆。本发明采用粒子辐照先在待加工碳化硅晶圆的表面至内部一定深度位置形成空位，在后续退火工艺，形成自愈合层，自愈合层阻止了裂纹在后续的研磨和抛光工艺中向待加工碳化硅晶圆内部延伸以及裂纹之间的耦合，最终得到低裂纹的碳化硅晶圆。
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公开(公告)号：CN119463709A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202510031024.1
申请日：2025-01-09
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: C09G1/02 , B24B1/00 , H01L21/306
Abstract: 本发明公开了一种二氧化锰研磨液、制备方法及研磨方法，该制备方法包括以下几个步骤：将表面活性剂搅拌溶解于去离子水中得到分散液；将二氧化锰粉末和分散液混合，经过高能球磨工艺处理得到二氧化锰浆料；将润湿剂、pH缓冲剂加入二氧化锰浆料；过滤去除大颗粒物，获得具有高度单分散性的二氧化锰浆料；将氧化剂与上步骤的二氧化锰浆料混合，调节pH值，得到二氧化锰研磨液；该二氧化锰研磨液由以下重量百分比的成分组成：二氧化锰粉末10‑20wt.%、氧化剂0.2‑5wt.%、分散剂2‑5wt.%、润湿剂0.2‑8wt.%、pH调节剂0.2‑2wt.%、余量去离子水，该研磨液用于CMP时降低SiC衬底的加工损耗，在高材料去除速率的条件下使SiC衬底的Si面达到低粗糙度、无划伤的加工要求。
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公开(公告)号：CN118064061A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410470055.2
申请日：2024-04-18
Applicant: 浙江大学
IPC: C09G1/02 , H01L21/304
Abstract: 本发明涉及晶体材料后处理技术领域，提供了一种双面同步抛光用的碳化硅晶圆抛光液、制备方法与应用，所述抛光液的成分包括：20‑30wt.%硅溶胶，0.005‑0.05wt.%表面活性剂，8‑17wt.%TiO2包覆SiO2核壳光催化磨料，3‑9wt.%双氧水，去离子水；其中，TiO2含量占所述核壳光催化磨料的20‑35wt.%；所述抛光液与碳面的接触角∶抛光液与硅面的接触角为2‑3.5∶1，所述抛光液的pH值为8‑10；在提高硅面的材料去除率的同时抑制碳面过高的材料去除率，碳面和硅面的材料去除率比显著降低至1.2‑2，同时硅面的材料去除率可以提高到150nm/h以上。
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公开(公告)号：CN115799061B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310029856.0
申请日：2023-01-09
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供了一种SiC晶圆切割片加工方法及SiC晶圆切割片加工装置，所述SiC晶圆切割片加工方法对SiC切割片具有切割损伤层的表面先进行氯基气体等离子体刻蚀，再对氯基气体等离子体刻蚀完的SiC切割片表面进行氟基气体等离子体刻蚀，并对氟基气体等离子体刻蚀完的SiC切割片表面进行精抛并进行清洗，不需要对SiC切割片具有切割损伤层的表面进行研磨、粗抛处理，后续直接进行精抛，不仅省却了两步研磨抛光工艺，更省却了研磨抛光后的多步清洗步骤，能有效减少清洗流程化学试剂用量，实现了SiC切割片同步刻蚀均匀去除的效果，对工业化生产提高加工效率具有指导意义。
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公开(公告)号：CN118493094B
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202410961673.7
申请日：2024-07-18
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅晶圆双面同步抛光方法，利用本发明的碳化硅晶圆双面同步抛光方法进行碳化硅晶圆双面同步抛光时，通过同时改变碳化硅晶圆碳面和硅面的亲水性，同时改变后续的抛光液和碳面的接触角与抛光液和硅面的接触角，使得碳化硅晶圆碳面和硅面在双面同步抛光时的去除速率比值下降。虽然Si面去除速率有所降低，但使C/Si面去除速率比降低，降低碳化硅晶圆的加工损耗，在降低加工损耗和加工成本的同时达到器件制造的使用要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118064061B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410470055.2
申请日：2024-04-18
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/304 , C09G1/02
Abstract: 本发明涉及晶体材料后处理技术领域，提供了一种双面同步抛光用的碳化硅晶圆抛光液、制备方法与应用，所述抛光液的成分包括：20‑30wt.%硅溶胶，0.005‑0.05wt.%表面活性剂，8‑17wt.% TiO2包覆SiO2核壳光催化磨料，3‑9wt.%双氧水，去离子水；其中，TiO2含量占所述核壳光催化磨料的20‑35wt.%；所述抛光液与碳面的接触角∶抛光液与硅面的接触角为2‑3.5∶1，所述抛光液的pH值为8‑10；在提高硅面的材料去除率的同时抑制碳面过高的材料去除率，碳面和硅面的材料去除率比显著降低至1.2‑2，同时硅面的材料去除率可以提高到150nm/h以上。
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公开(公告)号：CN117798814B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410232074.1
申请日：2024-03-01
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种抛光垫、抛光垫的制备方法及抛光方法。抛光垫包括光催化区域、硬性去除区域、软性去除区域。抛光垫在使用过程中，抛光液添加在光催化区域中心位置，通过紫外光照射光使得光催化固体发生催化反应，激发产生的‑OH团基和O2‑作用在外围硬性去除区域与软性去除区域正在研磨的晶圆表面，快速去除晶圆的表面厚度，硬性去除区域环绕着光催化区域分布，在抛光过程中，晶圆会循环经过硬性去除区域、软性去除区域，降低晶圆表面的不平整度，并搭配光催化区域，实现晶圆抛光良率的提高。同时，在硬性去除区域引入了导流槽设计，使得抛光过程中、产生的硬性去除固体的碎屑及时从抛光盘表面流出，避免对其他区域的影响。
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公开(公告)号：CN117798814A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202410232074.1
申请日：2024-03-01
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种抛光垫、抛光垫的制备方法及抛光方法。抛光垫包括光催化区域、硬性去除区域、软性去除区域。抛光垫在使用过程中，抛光液添加在光催化区域中心位置，通过紫外光照射光使得光催化固体发生催化反应，激发产生的‑OH团基和O2‑作用在外围硬性去除区域与软性去除区域正在研磨的晶圆表面，快速去除晶圆的表面厚度，硬性去除区域环绕着光催化区域分布，在抛光过程中，晶圆会循环经过硬性去除区域、软性去除区域，降低晶圆表面的不平整度，并搭配光催化区域，实现晶圆抛光良率的提高。同时，在硬性去除区域引入了导流槽设计，使得抛光过程中、产生的硬性去除固体的碎屑及时从抛光盘表面流出，避免对其他区域的影响。
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公开(公告)号：CN119260483A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411783897.X
申请日：2024-12-06
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: B24B1/00 , B24B7/22 , C30B33/00 , C30B29/36 , H01L21/304
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅晶锭的加工方法和碳化硅衬底的加工方法，所述碳化硅晶锭的加工方法包括：提供包括一价固体碱和固体含氧酸盐型氧化剂的化学改性剂并加热制成熔融混合液，将碳化硅晶锭的待处理面浸入熔融混合液中，然后进行平面机械磨削，将碳化硅晶锭的待处理面加工成平面。本发明的加工方法中，使用的熔融混合液可以使碳化硅晶锭的表面变得多孔疏松且硬度变软，降低机械磨削过程中的机械应力，同时，在机械磨削的过程中裸露出的新的表面会继续与熔融混合液进行反应，如此循环，最终能够获得相对平整、表面光滑无裂纹、应力较低的碳化硅晶锭，不仅加工效率极高，而且可以有效提高后续切片的成品率，实现高质量碳化硅衬底的制备。
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公开(公告)号：CN118493094A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410961673.7
申请日：2024-07-18
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅晶圆双面同步抛光方法，利用本发明的碳化硅晶圆双面同步抛光方法进行碳化硅晶圆双面同步抛光时，通过同时改变碳化硅晶圆碳面和硅面的亲水性，同时改变后续的抛光液和碳面的接触角与抛光液和硅面的接触角，使得碳化硅晶圆碳面和硅面在双面同步抛光时的去除速率比值下降。虽然Si面去除速率有所降低，但使C/Si面去除速率比降低，降低碳化硅晶圆的加工损耗，在降低加工损耗和加工成本的同时达到器件制造的使用要求。
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