一种枝状的铜钯纳米晶合金的制备方法及其产物

    公开(公告)号:CN105618784A

    公开(公告)日:2016-06-01

    申请号:CN201610013480.4

    申请日:2016-01-08

    Applicant: 浙江大学

    CPC classification number: B22F9/24 B22F1/0044 B82Y40/00

    Abstract: 本发明涉及一种枝状的铜钯纳米晶合金的制备方法,将钯前驱体、铜前驱体和分散剂溶解于溶剂中,继续加入还原剂,在120~160℃下反应1~2h,离心分离得到枝状的铜钯纳米晶合金;所述的钯前驱体选自乙酰丙酮钯、醋酸钯或硝酸钯;所述的铜前驱体选自乙酰丙酮铜、氯化铜、硝酸铜或硫酸铜;本发明还涉及一种枝状的铜钯纳米晶合金。该制备方法,可以制备尺寸大小可调、分散性好的枝状纳米晶,且制备方法简单,重复性高,成本低。

    基于硅量子点的荧光隐形墨水及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN105086628A

    公开(公告)日:2015-11-25

    申请号:CN201410448356.1

    申请日:2014-09-04

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于硅量子点的荧光隐形墨水,能适用于书写、喷墨打印、印章刻印等。根据需求,对硅量子点表面进行亲油性或者亲水性改性,可以分别制备得到溶剂型荧光隐形墨水和水性荧光隐形墨水,可与不同类型的油墨或墨水配合使用。该种荧光隐形墨水在自然光下呈无色,在紫外光下发出橙色或红色可见光。

    一种基于ZnO薄膜的电抽运随机激光器

    公开(公告)号:CN104617484A

    公开(公告)日:2015-05-13

    申请号:CN201510033587.0

    申请日:2015-01-23

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于ZnO薄膜的电抽运随机激光器,包括硅衬底,硅衬底的正面自下而上依次设有ZnO薄膜、SiO2薄膜和半透明电极,硅衬底背面设有欧姆接触电极,所述ZnO薄膜和SiO2薄膜之间设有MoO3薄膜。本发明还公开了该电抽运随机激光器的制备方法,包括如下步骤:(1)在硅衬底正面采用射频磁控溅射沉积ZnO薄膜;(2)在ZnO薄膜上采用射频磁控溅射沉积MoO3薄膜;(3)在MoO3薄膜上采用溶胶-凝胶法沉积SiO2薄膜;(4)在SiO2薄膜上溅射半透明电极,在硅衬底背面溅射欧姆接触电极。与现有技术相比,本发明基于ZnO薄膜的电抽运随机激光器的阈值电压显著降低,光输出功率明显提高。

    一种利用多孔硅制备高α相氮化硅的方法

    公开(公告)号:CN104495765A

    公开(公告)日:2015-04-08

    申请号:CN201410750725.2

    申请日:2014-12-09

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种利用多孔硅制备高α相氮化硅的方法,以多孔硅为原料,在氮气气氛下,依次经高温煅烧、研磨处理,得到所述的高α相氮化硅。本发明提供了一种利用多孔硅制备高α相氮化硅的方法,高效制备得到了高α相含量、粒径分布均匀的氮化硅,本制备方法工艺简单、性能可控,且生产周期短、极大地降低了生产能耗,成本低廉,适合于大规模的工业化生产。

    一种基于CdZnO薄膜的电致发光器件及制备方法

    公开(公告)号:CN102610724B

    公开(公告)日:2014-12-17

    申请号:CN201210094513.4

    申请日:2012-04-01

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于CdZnO薄膜的电致发光器件及制备方法,该电致发光器件包括P型硅衬底,所述的P型硅衬底正面自下而上依次沉积有绝缘层、发光层和电极层,P型硅衬底背面沉积有欧姆接触电极;所述的发光层为CdZnO薄膜。本发明采用P型硅片为衬底,以CdZnO薄膜为主要发光材料,结合绝缘层、电极层等,通过合适的工艺制备获得了CdZnO/绝缘层/p+-Si结构的电致发光器件。本发明方法工艺简单,制备周期短,对设备要求不高,与现行成熟的硅器件工艺兼容;所制得的电致发光器件结构简单,开启电压低,在一定的正向偏压下能够实现在可见区的电致发光,且发光效率高。

    一种基于金刚线切割的单晶硅片的湿法制绒方法

    公开(公告)号:CN102560685B

    公开(公告)日:2014-11-05

    申请号:CN201210031456.5

    申请日:2012-02-13

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于金刚线切割的单晶硅片的湿法制绒方法,包括:(1)将所述的单晶硅片经清洗、晾干,于60-80℃条件下在由重量比为10-20∶0.8-12∶100-200的NaOH、异丙醇和去离子水组成的混合溶液中浸泡腐蚀20-400s,得预处理后的单晶硅片;(2)将预处理后的单晶硅片清洗后,用常规单晶硅制绒工艺进行制绒。本发明的方法成功的将金刚线切割的单晶硅片应用于现有的制绒工艺中进行制绒,绒面大小合适、分布更均匀,且不增加制绒时间和成本。

    一种增强多孔硅发光和分散性的表面改性工艺

    公开(公告)号:CN103288087B

    公开(公告)日:2014-09-03

    申请号:CN201310204226.9

    申请日:2013-05-28

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种增强多孔硅发光和分散性的表面改性工艺,采用化学–电化学腐蚀相结合的方法,可以大面积制备具有整齐孔隙结构的多孔硅,然后将多孔硅经烯烃和烯酸进行表面改性,在硅颗粒表面引入了Si-C键。与未经表面改性处理的多孔硅相比,改性后多孔硅颗粒的光致发光强度有了明显增强;同时,硅颗粒在极性和非极性溶剂中的发光稳定性大大提高,发光强度随时间延长而衰减现象得到的有效改善;此外,包覆烯酸分子的硅颗粒在极性溶剂中的分散性能良好。本发明工艺简单,方便操作并且适合大规模生产,具有很强的工业应用前景。

    一种掺硼富硅氧化硅薄膜及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN103422058A

    公开(公告)日:2013-12-04

    申请号:CN201310275972.7

    申请日:2013-07-01

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种掺硼富硅氧化硅薄膜及其制备方法和应用,采用共溅射制备掺硼富硅氧化硅薄膜,并通过之后的高温热处理在氧化硅薄膜内生成掺硼的硅纳米晶。由于掺硼硅纳米晶的形成,薄膜的导电性增强;由于硼还处于氧化硅基体中及硅纳米晶和氧化硅基体界面处,引入了发光中心,增强了薄膜的光致发光,并使其可以宽光谱白光发光。发明制备工艺简单,工业兼容性好,在硅基集成光源或半导体发光,太阳能电池,非线性光学等领域具有广阔的应用前景。

    一种铑钯合金纳米枝晶的制备方法及其制备的铑钯合金纳米枝晶

    公开(公告)号:CN103397387A

    公开(公告)日:2013-11-20

    申请号:CN201310280950.X

    申请日:2013-07-05

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种铑钯合金纳米枝晶的制备方法,将油溶性的铑盐和钯盐溶于油胺中得第一溶液;将十六烷基三甲基溴化铵和三正辛基氧膦溶解于油胺中得第二溶液;将第二溶液搅拌的同时加热至160-200°C,用移液枪将第一溶液注入上述第二溶液中,140-200°C下反应1-24小时;将得到的产物离心分离,即得铑钯合金纳米枝晶。本发明以油溶性的钯盐和铑盐为金属源,以油胺为溶剂、还原剂、修饰剂以及稳定剂,一定温度下进行反应,制备方法简单、所用试剂无毒无害。本发明还公开了所述方法制备的铑钯合金纳米枝晶,为高指数晶面外露的海胆状,且纳米枝晶大小均一,分散性好,成分可调。

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