公开(公告)号：CN102560685B

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201210031456.5

申请日：2012-02-13

Applicant: 浙江大学

Inventor： 余学功 ,  陈林 ,  杨德仁 ,  路景刚

IPC: C30B33/10 ,  C30B29/06

Abstract: 本发明公开了一种基于金刚线切割的单晶硅片的湿法制绒方法，包括：(1)将所述的单晶硅片经清洗、晾干，于60-80℃条件下在由重量比为10-20∶0.8-12∶100-200的NaOH、异丙醇和去离子水组成的混合溶液中浸泡腐蚀20-400s，得预处理后的单晶硅片；(2)将预处理后的单晶硅片清洗后，用常规单晶硅制绒工艺进行制绒。本发明的方法成功的将金刚线切割的单晶硅片应用于现有的制绒工艺中进行制绒，绒面大小合适、分布更均匀，且不增加制绒时间和成本。

公开(公告)号：CN102560685A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201210031456.5

申请日：2012-02-13

Applicant: 浙江大学

Inventor： 余学功 ,  陈林 ,  杨德仁 ,  路景刚

IPC: C30B33/10 ,  C30B29/06

Abstract: 本发明公开了一种基于金刚线切割的单晶硅片的湿法制绒方法，包括：(1)将所述的单晶硅片经清洗、晾干，于60-80℃条件下在由重量比为10-20∶0.8-12∶100-200的NaOH、异丙醇和去离子水组成的混合溶液中浸泡腐蚀20-400s，得预处理后的单晶硅片；(2)将预处理后的单晶硅片清洗后，用常规单晶硅制绒工艺进行制绒。本发明的方法成功的将金刚线切割的单晶硅片应用于现有的制绒工艺中进行制绒，绒面大小合适、分布更均匀，且不增加制绒时间和成本。