公开(公告)号：CN104944952B

公开(公告)日：2017-12-19

申请号：CN201510301633.0

申请日：2015-06-05

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 袁昌来 ,  周星星 ,  冯琴 ,  杨涛 ,  周昌荣 ,  许积文 ,  黎清宁 ,  陈国华

IPC: C04B35/50 ,  C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明涉及一种具有高储能密度的Rex/3(Ba0.06Bi0.47Na0.47)1‑xTi1‑xRxO3无铅反铁电陶瓷及其制备方法，其中0.02≤x≤0.2，Re为La，Sm，Nd，Gd，Dy，Er，Y中的一种，R为Nb、Ta中的一种。先采用传统粉体合成技术合成Rex/3(Ba0.06Bi0.47Na0.47)1‑xTi1‑xRxO3粉体，然后采用放电等离子烧结（SPS）技术制备Rex/3(Ba0.06Bi0.47Na0.47)1‑xTi1‑xRxO3无铅反铁电陶瓷。本发明制备的具有高储能密度的Rex/3(Ba0.06Bi0.47Na0.47)1‑xTi1‑xRxO3无铅反铁电陶瓷，基于电滞回线计算的储能密度介于0.5~1.5 J/cm3之间。

公开(公告)号：CN104891988B

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201510244660.9

申请日：2015-05-14

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 袁昌来 ,  周星星 ,  刘笑 ,  冯琴 ,  周昌荣 ,  杨涛 ,  许积文 ,  黎清宁 ,  陈国华

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明涉及一种Bi0.5Na0.4Li0.1MxTi1‑xO3无铅反铁电高储能密度陶瓷及其制备方法，其中：0.03≤x≤0.3，M为(Me1/3Nb2/3)、(Mb1/2Nb1/2)、(Me1/3Ta2/3)、(Mb1/2Ta1/2)中的一种，(Me1/3Nb2/3)、(Mb1/2Nb1/2)、(Me1/3Ta2/3)、(Mb1/2Ta1/2)中的Me为 Mg、Zn、Ni中的一种，(Me1/3Nb2/3)、(Mb1/2Nb1/2)、(Me1/3Ta2/3)、(Mb1/2Ta1/2)中的Mb为Al、Co、Cr中的一种。方法采用高温高压烧结炉制备Bi0.5Na0.4Li0.1MxTi1‑xO3无铅反铁电高储能密度陶瓷，基于电滞回线计算的储能密度可达0.8~1.6 J/cm3。

公开(公告)号：CN107043253A

公开(公告)日：2017-08-15

申请号：CN201710331201.3

申请日：2017-05-11

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  许积文 ,  黎清宁 ,  袁昌来 ,  曾卫东 ,  杨玲 ,  陈国华

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622 ,  C04B35/632 ,  C04B35/645

Abstract: 本发明公开了一种高极性无铅铁电半导体陶瓷，其特征在于，组成通式：(1‑x) Bi0.5Na0.5TO3‑xBa0.9Sr0.1BiO3+0.05ZnO；其中x表示摩尔分数，0.01≤x≤0.5。这种陶瓷用球磨混合添加分散剂以及等静压与微波烧结制备方法制备而成，该系列产品具有可调窄带隙Eg=2.0‑2.9eV，优良的铁电性能Pmax=15‑32μC/cm2，绿色环保。

公开(公告)号：CN107032785A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201710330701.5

申请日：2017-05-11

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  黎清宁 ,  许积文 ,  曾卫东 ,  杨玲 ,  袁昌来 ,  陈国华

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明公开了一种可调窄带隙高极性无铅铁电陶瓷，组成通式为：(1‑x)Ba0.9Ca0.1TO3‑xBaBiO3+0.06Bi2WO6；其中x表示摩尔分数，0.01≤x≤0.3。这种陶瓷用多步合成方法，结合球磨混合添加分散剂以及等静压与微波烧结制备方法制备而成，该系列产品具有可调窄带隙Eg=1.2‑2.2eV，高的稳定性，优良的铁电性能Pmax=21‑35μC/cm2，绿色环保。

公开(公告)号：CN106587986A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201611201458.9

申请日：2016-12-22

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 刘国保 ,  许积文 ,  王华 ,  周昌荣 ,  袁昌来 ,  饶光辉

IPC: C04B35/465 ,  C04B35/468 ,  C04B35/47 ,  C04B35/515

Abstract: 本发明公开了一种同时具备储能、应变及宽介电温区多功能共存的三元体系无铅陶瓷及其制备方法，所述多功能无铅陶瓷组份的化学通式可以用(1‑x)[(1‑y)BiAO3‑yMeTiO3]‑x(Bi0.5Na0.5)TiO3所表示。其中：A为Sc、Y、In中的一种或两种；Me为Ca、Sr、Ba中的一种或两种；x、y表示摩尔分数；0.05≤x≤0.30；0.50≤y≤0.80。这种多功能无铅陶瓷除了低污染外，还具备储能、应变及宽介电温区等多功能特性，相比于传统的多组分集成方式具有更好的质量和体积效率，是一种新型的智能性材料。

公开(公告)号：CN104710172B

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201510103499.3

申请日：2015-03-10

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  许积文 ,  黎清宁 ,  袁昌来 ,  曾卫东 ,  陈国华

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种室温高压反铁电高储能密度无铅陶瓷介质材料及其制备方法，成分以通式(BixNay)AgzTi0.98-mO3-mBaTiO3-0.02SrZrO3+n(0.5MnO2-0.3La2O3-0.2Nb2O5)来表示，其中x、y、z、m、n表示摩尔分数，x=0.48，0.49；y=(0.46-z)，(0.44-z)，(0.46-z)，(0.42-z)；x与y分别取值：x/y=0.48/(0.46-z),0.48/(0.44-z),0.49/(0.46-z),0.49/(0.44-z),0.49/(0.42-z)；0.005≤z≤0.01；0.04≤m≤0.09；0.001≤n≤0.02。本发明采用纳米单晶颗粒BaTiO3粉体，通过两歩烧结，获得了多层芯壳结构，通过高场诱发反铁电相变，获得很高的储能密度及储能效率。本发明制备工艺简单、稳定，适合工业推广应用。本发明的陶瓷组成是一种绿色环保型储能陶瓷介质，耐压性好，损耗低，在脉冲高压电源领域具有很好的应用前景。

公开(公告)号：CN104671766B

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：CN201510103536.0

申请日：2015-03-10

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  黎清宁 ,  许积文 ,  袁昌来 ,  曾卫东 ,  陈国华

IPC: H01L41/187 ,  C04B35/26 ,  C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明公开了一种高温压电性能、高储能密度无铅陶瓷介电材料，成分以通式(1-x-y)BiFeO3–xBaTiO3–yMeNbO3+0.005(0.5MnO2-0.3CuO-0.2CeO2)或(1-x-y)BiFeO3–xBaTiO3–yMeTaO3+0.005(0.5MnO2-0.3CuO-0.2CeO2)或(1-x-y)BiFeO3–xBaTiO3–yMeSbO3+0.005(0.5MnO2-0.3CuO-0.2CeO2)来表示，其中Me为碱金属元素Li、Na、K中的一种或两种，x、y表示摩尔分数，0.1≤x≤0.5，0.05≤y≤0.3。本发明采用分步合成结合两歩烧结，获得成分结构梯度可控的均匀致密陶瓷。本发明的高温压电、高储能密度陶瓷具有优异的储能密度、高压电常数及高居里温度，储能密度可达1.1J/cm3，压电常数d33可达282pm/V、应变可达0.22%，居里温度可达501oC，绿色环保，实用性好。

公开(公告)号：CN104710171B

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201510103056.4

申请日：2015-03-10

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  许积文 ,  黎清宁 ,  袁昌来 ,  曾卫东 ,  杨玲 ,  陈国华

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种高储能密度钛酸锶铋基复相陶瓷介质材料及其制备方法，成分以通式(1-x-y)Sr1-1.5z(Bi0.8La0.2)zTiO3-x(Bi0.5Na0.5)1-mMgmTiO3-yBi0.5Li0.5(Ti0.92Mn0.08)O3来表示，其中x、y、z、m表示摩尔分数，0.2≤x≤0.7；0.01≤y≤0.2；0.05≤z≤0.3；0.02≤m≤0.2。本发明通过成分调节，形成复相组成，采用微波烧结形成均匀细小晶粒的致密结构，即保持高的介电常数，有获得高的耐压。本发明制备工艺简单、稳定，适合工业推广应用。本发明的高储能密度复相陶瓷介质材料，具有优异的储能特性及储能效率，储能密度可达1.9J/cm3，储能效率可达65%，环境友好、损耗低、实用性好。

公开(公告)号：CN104671778B

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201510103530.3

申请日：2015-03-10

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  许积文 ,  黎清宁 ,  袁昌来 ,  曾卫东 ,  陈国华

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种高场致应变、高储能密度无 铅 陶 瓷 介 质 材 料 ，成 分 以 通 式[(Bi0.95La0.05)0.5Na0.5]1-x-y(Bi0.5K0.5)x(Ba0.85Sr0.10Mg0.05)yTi1-u-vCu(A1/2B1/2)vO3来表示，其中A为三价金属元素，选自Al、Fe、Cr、Mn、Co、Y、与Ga的一种或两种，B为五价金属元素，选自Nb、Sb、Ta与V的一种或两种，C为四价金属元素，选自Zr、Mn、Hf与Sn的一种。x、y、u、v表示摩尔分数，0.005≤x≤0.2，0.005≤y≤0.2，x+y≤0.3，0.005≤u≤0.3，0.005≤v≤0.3，u+v≤0.4。本发明采用冷等静压成型，可获得均匀致密的陶瓷组织。本发明制备工艺简单、稳定，适合工业推广应用。本发明的高场致应变、高储能陶瓷具有优异的储能密度、储能效率及高场应变，储能密度可达1.2J/cm3，储能效率可达59%，高场应变可达0.28%，环境友好、损耗低、实用性好。

公开(公告)号：CN103896578B

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201410102318.0

申请日：2014-03-19

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 许积文 ,  朱归胜 ,  王华 ,  徐华蕊 ,  张小文

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种高密度低电阻率氧化锌陶瓷靶材的制备方法，所述方法包括在掺杂ZnO粉体中加入助烧剂，助烧剂是Bi2O3、B2O3和SiO2中的一种、两种或三种，并于不低于摄氏1200度的温度下烧结。本方法能够使得制备的氧化锌陶瓷靶材不仅具有高密度、低电阻率及降低对氧化锌粉体的粒度要求，而且因为降低了烧结温度，从而导致能耗的大幅降低。另外，本方法制备的氧化锌陶瓷靶材由于具有超高的密度及低的电阻率，使得在磁控溅射镀膜时，可以使用直流工艺进行溅射镀膜，在对靶材加高压进行镀膜过程中的放电次数少，高速沉积薄膜，靶材表面节瘤少。