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公开(公告)号：CN107140968A
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201710330695.3
申请日：2017-05-11
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/40 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B35/626 , C04B41/88
Abstract: 一种高温无铅压电陶瓷，其特征在于组成通式为：(1‑x)Bi0.96La0.06FeO3‑xBa0.97(Na1/2Al1/2)0.03(Cu1/3Ta2/3)O3+0.05BiVO4；其中x表示摩尔分数，0.05
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公开(公告)号：CN107010941A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201710302248.7
申请日：2017-05-02
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/462
Abstract: 本发明公开了一种具有巨电致阻变的无铅铁电陶瓷材料及其制备方法，材料配方为：Bi1/2Na1/2Ti0.88(Li1/3W2/3)0.06(Hf1/2In1/2)0.06O3；通过B位与Ti4+离子不同化合价的复合离子(Li1/3W2/3) 13/3+，以及不同化合价复合离子(Hf1/2In1/2)7/2+，严格以1:1的比例，在B位取代Ti4+离子，产生不同带电缺陷类型，形成相邻晶胞缺陷有序排列，产生非空位补偿，而是电子和空穴非平衡补偿型的带电电畴，进而产生纳米级非均匀电子相，结合热处理，因而出现特殊的巨电致阻变行为。产品经实验测量，具有优良的电致阻变性能，ΩHRS/ΩLRS=3.0×103，性能稳定，成本低廉，适合大规模工业生产。
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公开(公告)号：CN106098420A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610587694.2
申请日：2016-07-25
Applicant: 桂林电子科技大学
CPC classification number: H01H1/021 , C25D15/00 , H01H11/04 , H01H11/048
Abstract: 本发明公开了一种电触头表面镀层添加材料及电触头制造方法，所述镀层添加材料由处于缺氧状态且失氧量在0.1%到5%内的多种氧化物粉体混合组成，该多种氧化物粉体是由SnO2、ZnO、In2O3、La2O3、Bi2O3、Y2O3、Sc2O3、CeO2、WO3中的两种或多种组成。在上述添加材料中加入分散剂，以纯水为介质球磨得到固含量为5%到35%的悬浮液；然后将悬浮液加入到含银的电镀液中，得到复合电镀液，采用现有电镀工艺将金属电触头基体在上述复合电镀液中镀上一层表面镀层后制得成品电触头。本发明可以提升电镀时表面镀层中氧化物粉体的含量及均匀性，降低银使用量的同时提高电触头表面镀层抗电弧侵蚀和抑制温升。
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公开(公告)号：CN106057506A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610571251.4
申请日：2016-07-19
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种用于电触头表面镀层的添加材料及电触头制造方法。所述添加材料是由Sb掺杂SnO2、Sn掺杂In2O3、CsWO3组成的混合氧化物粉体；所述电触头制造方法：在该添加材料中加入适量分散剂，以纯水为介质球磨得到悬浮液；然后将悬浮液加入到含银的电镀液中，将金属电触头基体在上述复合电镀液中镀上一层银‑氧化物表面镀层。采用本发明制得的电触头(片)具有较高的打弧(较好的抗电弧侵蚀)和温升的抑制能力(抑制温升)。
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公开(公告)号：CN105503164A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201410548546.0
申请日：2014-10-16
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种高绝缘铁酸铋基高温压电玻璃陶瓷复合材料及其制备方法，成分以通式BiFeO3+x(20Bi2O3-30SiO2-30CaO-20ZrO2)+0.02Sc2O3或BiFeO3+x(35Bi2O3-30SiO2-25CaO-10ZrO2)+0.05Sc2O3来表示，其中x表示摩尔分数，0 600°C，机械品质因数高于600，在高温压电传感器具有很好的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104891821A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510220449.3
申请日：2015-05-04
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C03C17/22
Abstract: 本发明公开了一种应用不同浓度的前驱液制备多层BiFeO3薄膜的方法，所述方法包括：(1)将Bi(NO3)3·5H2O、Fe(NO3)3·5H2O溶于乙二醇甲醚和乙酸酐混合而成的混合液中，分别配置出高浓度的A前驱液和低浓度的B前驱液。(2)在基片上旋涂A前驱液或B前驱液，并将其烘烤、冷却，得到单层BiFeO3薄膜。(3)在单层BiFeO3薄膜上再旋涂B前驱液或A前驱液，并将其烘烤、冷却，得到双层BiFeO3薄膜。(4)根据厚度需要交替旋涂A前驱液或B前驱液并烘烤、冷却，得到多层BiFeO3薄膜。本发明通过高、低浓度层交替搭配来提高薄膜的致密性进而降低薄膜的漏电流，提高薄膜的铁电性能，而且可以保证薄膜的制备效率。
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公开(公告)号：CN103187527A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201310067831.6
申请日：2013-03-05
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种Ce掺杂Bi4-xCexTi3O12电致阻变薄膜及其阻变电容的制备方法，包括以Pt/TiO2/Si为衬底，采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)工艺方法制备Bi4-xCexTi3O12电致阻变薄膜，采用直流磁控溅射工艺方法制备金属薄膜上电极并获得相应的阻变电容。本发明的优点是：（1）薄膜的组分控制精确，而且易于调整（掺杂）组分，能够大面积制膜，成本低；（2）采用多次匀胶，分层预热、线性升温加保温的工艺方案，可提高结晶度，减少薄膜内应力，提高薄膜的质量和性能；（3）与半导体Si集成工艺兼容；（4）通过适量的Ce掺杂，可以明显提高Bi4-xCexTi3O12薄膜的阻变性能。
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公开(公告)号：CN102244010A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201110150070.1
申请日：2011-06-03
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种玻璃衬底p-CuAlO2/n-ZnO:Al透明薄膜异质结的制备方法，(1)采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)工艺制备p-CAO透明导电薄膜后，再采用超声喷雾热解(USP)工艺制备n-AZO透明导电薄膜；(2)制备p-CAO薄膜时需多次匀胶、分层预热处理；(3)p-CAO薄膜需经退火处理，且退火在氩气气氛下进行；(4)采用USP工艺，在已覆盖CAO薄膜衬底上沉积n-AZO透明导电薄膜；(5)沉积n-AZO透明导电薄膜时衬底需加热，且衬底温度不超过320℃，样品自然冷却即得p-CuAlO2/n-ZnO:Al(p-CAO/n-AZO)透明薄膜异质结。该方法新颖、简单，且能满足大面积成膜工艺要求，其制备的p-CAO/n-AZO异质结为全透明结构并能实现p-n结功能，具有良好的光电性能。
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公开(公告)号：CN209276529U
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201822083062.X
申请日：2018-12-12
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种立式多级厌氧反应器，包括支承结构、罐体结构、搅拌装置、保温装置、若干管道和阀门；支承结构位于地面，用于承接整个反应器的重量；罐体结构为由若干个厌氧反应器组成的立式结构，位于支承结构之上；搅拌装置位于罐体结构中，用于搅拌混合均匀，使微生物悬浮分散在物料中；保温装置位于罐体结构的表面，用于加热罐体结构并保持厌氧反应器内的温度；每个厌氧反应器均通过相应的管道和外界连通，管道上设有阀门。本实用新型采用立式结构的厌氧反应器，可以由地面向空中发展，可以合理有效的利用有限的土地资源，而且立式结构采用的是一轴多罐的搅拌方式，一轴联用既减少了电机的使用又可以实现集成一体化的经济效益。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN205429011U
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201620211105.6
申请日：2016-03-21
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L43/10
Abstract: 本实用新型公开了一种低漏电流铁酸铋薄膜，所述薄膜包括衬底，以及衬底上的Bi4?xNdxTi3O12薄膜层，Bi4?xNdxTi3O12薄膜层上是BiFeO3薄膜层，并且Bi4?xNdxTi3O12薄膜层与BiFeO3薄膜层交替搭配，形成Bi4?xNdxTi3O12/BiFeO3复合薄膜，其中X的取值范围是0.4?0.85。本实用新型通过在BiFeO3薄膜与衬底间引入Bi4?xNdxTi3O12铁电薄膜缓冲层来降低BiFeO3薄膜的漏电流，提高铁电性能，在高电场下，该复合薄膜的漏电流密度比纯BiFeO3薄膜降低了4个数量级，铁电性能也得到了很大的提高。
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