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公开(公告)号：CN106430985B
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201610644369.5
申请日：2016-08-09
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种微晶玻璃粉的水热制备方法。以质量百分比正硅酸乙脂︰氯化铝︰氯化镁=50~53:30~35:13~20的复合原料，溶解于去离子水，控制溶液浓度为0.5~1.5mol/L，并加入氨水调节pH值为7.0~9.5，反应生成沉淀物，再将沉淀物倒入水热反应釜，在180~240℃/12h的水热条件反应，待反应釜冷却后，出料并按复合原料的氧化物含量0.5~3%的比例加入氯化物掺杂剂，搅拌，静置1小时后，用常规方法过滤、洗涤、干燥，在1400~1500℃熔融，再按常规方法破碎、球磨、喷雾造粒，得到堇青石基微晶玻璃粉。本发明通过水热法制备微晶玻璃前驱体，可获得具有更好封装性能的玻璃粉体，可广泛应用于电子器件的封装。
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公开(公告)号：CN109133030A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201811114757.8
申请日：2018-09-25
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种氮掺杂多孔碳材料的制备方法及其应用，其制备步骤包括：步骤1：将葡萄糖与含氮化合物加入到去离子水中，搅拌均匀后放入高压反应釜中在一定温度和时间下碳化反应，再经过滤、洗涤、干燥得到含氮前驱体；步骤2：将含氮前驱体和碱性无机物混合，经搅拌、干燥、煅烧、活化得到氮掺杂多孔碳材料；步骤3：将得到的氮掺杂多孔碳材料经过洗涤、过滤、烘干、研磨即得氮掺杂多孔碳材料，该材料的比表面积范围在1343‑1947m2g‑1，孔径分布均一，孔径分布为1‑2nm。该材料应用于超级电容器电极材料组装成超级电容器，当电流密度为0.5Ag‑1时，比电容值为320‑423F g‑1。在超级电容器、锂离子电池等领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN104843976B
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201510150714.5
申请日：2015-04-01
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C03B23/03
CPC classification number: Y02P40/57
Abstract: 本发明公开了一种3D曲面超薄玻璃弯曲成型装置和制造方法。该装置包括：转盘、凹模、凸模、气缸、玻璃转移机构、隧道炉、真空系统以及电气控制操作系统，其中转盘上设有多个凹模。采用上述装置，分阶段快速加热凹模和凸模，将超薄玻璃依次置于转盘的凹模上，并进行预热，当超薄玻璃旋转到达凸模对应的工位后，压下凸模并利用远红外灯管快速加热到玻璃软化点，同时利用真空系统对凹模上的超薄玻璃抽吸和凸模加压，使超薄玻璃发生弯曲，经玻璃转移机构将超薄玻璃转到隧道炉进行降温，即可实现3D曲面超薄玻璃的制造。本方法具有批量化、自动化、高效制造的特点，特别适合用于曲面显示屏保护膜的3D曲面超薄玻璃的制造。
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公开(公告)号：CN104465462B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201410781212.8
申请日：2014-12-16
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/67 , C23C14/35 , B23K26/364
Abstract: 本发明公开了一种激光刻蚀用于磁控溅射薄膜图案化的制作方法。其工艺步骤为：①采用磁控溅射在基片上制备金属薄膜或无机非金属氧化物薄膜，并依据材料种类和工艺需要在薄膜制备过程中决定是否采用激光对薄膜进行加热处理；②将集成在磁控溅射仪上的激光刻蚀机与溅射台上的基片进行定位，并调节激光刻蚀机使激光焦点落在薄膜的正表面上；③通过计算机设计好刻蚀图形输入或导入激光刻蚀软件，并设置激光参数和运动参数；④启动激光刻蚀对薄膜进行图案化刻蚀。本发明使薄膜在磁控溅射制备完成后即可在基片台上实现图案化，无需取出，具有工艺简单、易于工业化的特点，特别适合于制作各种多层薄膜元器件。
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公开(公告)号：CN106854754A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201611166365.7
申请日：2016-12-16
Applicant: 桂林电子科技大学
CPC classification number: C23C14/35 , C23C14/086
Abstract: 一种400主峰晶面高度择优取向ITO薄膜的制备方法，其步骤包括：1）安装溅射靶材；2）清洗玻璃基片并安装；3) 抽真空度至8×10‑4Pa以下；4）采用直流溅射制备ITO薄膜诱导层；5）生长400主峰晶面高度择优取向的ITO薄膜。本发明通过对基片温度、溅射气压、溅射功率等的控制先在玻璃基片上制备400主峰择优取向的ITO薄膜诱导层，然后再通过制备工艺参数的控制即可生长具有400主峰高度择择优的ITO薄膜。本发明采用同质诱导实现400主峰晶面高度择优取向ITO薄膜的制备，无需引入异质中间诱导层或经后续退火处理，具有工艺简单，易于实现工业化的特点，所制备的ITO薄膜具有高度400主峰晶面择优取向，光电性能优异。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103456983B
公开(公告)日：2016-10-19
申请号：CN201310404223.X
申请日：2013-09-09
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01M10/0562
Abstract: 本发明公开了一种薄膜固体电解质材料及其制备方法，其结构为Li‑(Mn1‑xM1x)‑(Ti1‑yM2y)‑O表示，其中x满足0≤x＜1的关系，y满足0≤y＜1的关系，上述M1选自La、Sr、Na、Nd、Pr、Sm、Gd、Dy、Y、Eu、Tb、Ba中的至少一种，M2选自Mg、W、Al、Ge、Ru、Nb、Ni、Ta、Co、Fe、Zr、Hf、Fe、Cr、Ga中的至少一种。该薄膜固体电解质是经溶胶凝胶法或射频磁控溅射的方法制得。该薄膜固体电解质具有较高的Li离子导电率，较低的电子导电率和良好的热力学稳定性，特别适用于生产固体锂离子电池。
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公开(公告)号：CN104465462A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410781212.8
申请日：2014-12-16
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/67 , C23C14/35 , B23K26/364
CPC classification number: H01L21/02631 , C23C14/35
Abstract: 本发明公开了一种激光刻蚀用于磁控溅射薄膜图案化的制作方法。其工艺步骤为：①采用磁控溅射在基片上制备金属薄膜或无机非金属氧化物薄膜，并依据材料种类和工艺需要在薄膜制备过程中决定是否采用激光对薄膜进行加热处理；②将集成在磁控溅射仪上的激光刻蚀机与溅射台上的基片进行定位，并调节激光刻蚀机使激光焦点落在薄膜的正表面上；③通过计算机设计好刻蚀图形输入或导入激光刻蚀软件，并设置激光参数和运动参数；④启动激光刻蚀对薄膜进行图案化刻蚀。本发明使薄膜在磁控溅射制备完成后即可在基片台上实现图案化，无需取出，具有工艺简单、易于工业化的特点，特别适合于制作各种多层薄膜元器件。
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公开(公告)号：CN103896578A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201410102318.0
申请日：2014-03-19
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种高密度低电阻率氧化锌陶瓷靶材的制备方法，所述方法包括在掺杂ZnO粉体中加入助烧剂，助烧剂是Bi2O3、B2O3和SiO2中的一种、两种或三种，并于不低于摄氏1200度的温度下烧结。本方法能够使得制备的氧化锌陶瓷靶材不仅具有高密度、低电阻率及降低对氧化锌粉体的粒度要求，而且因为降低了烧结温度，从而导致能耗的大幅降低。另外，本方法制备的氧化锌陶瓷靶材由于具有超高的密度及低的电阻率，使得在磁控溅射镀膜时，可以使用直流工艺进行溅射镀膜，在对靶材加高压进行镀膜过程中的放电次数少，高速沉积薄膜，靶材表面节瘤少。
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公开(公告)号：CN119944055A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510114936.5
申请日：2025-01-24
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01M10/0565 , C08F259/08 , C08F283/06 , C08F222/20 , H01M10/052 , H01M10/0525 , H01M10/42 , B33Y80/00 , B33Y70/10
Abstract: 本发明公开一种3D打印多层复合全固态电解质膜及其制备方法，属于全固态电解质技术领域。本发明的制备方法包括以下步骤：(1)溶液预混合：将光敏树脂、非质子型极性溶液、无机填料、光引发剂和锂盐进行混合，得到混合溶液；(2)浆料A和浆料B的制备：取混合溶液，分别加入聚偏二氟乙烯和聚氧化乙烯，超声处理后，进行油浴加热，分别得到浆料A和浆料B；(3)电解质膜的制备：将浆料A和浆料B依次倒入3D打印机的打印槽中进行打印，浆料A打印的膜作为中间夹层膜，浆料B打印的膜作为顶层和底层膜，打印完成后，进行洗涤和干燥，得到3D打印多层复合全固态电解质膜。该制备方法有效抑制了锂枝晶的穿透，增强了膜的整体稳定性和耐用性。
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公开(公告)号：CN118530461A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410433620.8
申请日：2024-04-11
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C08G83/00 , B01J31/18 , B01J35/40 , B01J35/61 , H01G11/36 , H01G11/24 , H01G11/86 , H01M4/36 , B82Y40/00 , B82Y30/00 , H01M4/587 , H01M4/60
Abstract: 本发明公开了一种ZIF‑67衍生超薄二维碳纳米片的制备方法，所述方法包括：（1）将双氧水加入醇类溶剂中，得到溶液A；将钴盐溶于醇类溶剂中，得到溶液B；将2‑甲基咪唑溶于溶液A中，得到溶液C；双氧水与醇类溶剂的体积比为（0.5~4）：（9.5~6）。（2）将经搅拌处理后的溶液B滴加入溶液C中得到混合溶液，控制钴盐与2‑甲基咪唑的质量比为1：（0.8~1.5）；继续搅拌，将十八烷基二甲基羟乙基季铵硝酸盐滴入搅拌中的混合溶液，干燥后得到ZIF‑67衍生超薄二维碳纳米片。本发明应用于超级电容器和锂电池电极材料方面，具有优越的电子转移特性，电解质和电极之间的界面更加清晰，能确保沿二维基面上的快速电荷转移，提高催化性能。
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