公开(公告)号：CN108947530A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201810908551.6

申请日：2018-08-10

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 袁昌来 ,  蒙柳方 ,  廖燕君 ,  刘笑 ,  朱保华 ,  刘飞 ,  许积文 ,  周昌荣 ,  陈国华 ,  饶光辉

IPC: C04B35/50 ,  C04B35/622

CPC classification number: C04B35/50 ,  C04B35/622 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/602 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6567

Abstract: 本发明公开了一种石榴石结构低介电透明RexGd3‑xAl3Ga2O12微波陶瓷及其制备方法，该微波陶瓷组成通式为RexGd3‑xAl3Ga2O12，其中0≤x≤0.065，Re为Nd和Er中的一种。制备时先采用传统固相合成法合成RexGd3‑xAl3Ga2O12粉体，再将合成的粉体与5%聚乙烯醇PVA按照0.5mL:10g的比例混合，烘干，研磨成粉末；最后将粉末压制成陶瓷坯体，在1580~1650℃保温15~60小时制成。本发明制备的石榴石结构低介电透明微波陶瓷，其介电常数（εr）介于9.7~10.3，品质因子与谐振频率乘积（Q.f）介于1600~5100GHz，谐振频率温度系数（Tcf）介于‑25~‑80ppm/℃，表明本发明成功制备出一种石榴石结构低介电透明微波陶瓷。这种微波陶瓷可用于制造微波介质元器件如滤波器、谐振器、介质基板等，特别是需要可视化透明窗口的信息通讯和集成电路中。

公开(公告)号：CN108623302A

公开(公告)日：2018-10-09

申请号：CN201810670156.9

申请日：2018-06-26

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  许积文 ,  曾卫东 ,  黎清宁 ,  杨玲 ,  袁昌来 ,  陈国华 ,  饶光辉

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/626 ,  C04B41/00

CPC classification number: C04B35/475 ,  C04B35/626 ,  C04B41/0072 ,  C04B2235/3267 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/442 ,  C04B2235/94 ,  C04B2235/95

Abstract: 本发明公开了一种无铅压电纳米阵列及其制备方法，材料组成为：0.9Bi0.5Na0.5TiO3-0.1Bi2(Mn4/3Ni2/3)O3。通过Bi0.5Na0.5TiO3和A位纯Bi的Bi2(Mn4/3Ni2/3)O3铁电体复合，结合固相烧结及热处理技术，生长纳米阵列，其中纳米线长度在2-10μm，直径为60-800nm，工艺简单，产率高，成本低廉，适合大规模工业生产。

公开(公告)号：CN108516823A

公开(公告)日：2018-09-11

申请号：CN201810668010.0

申请日：2018-06-26

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  黎清宁 ,  曾卫东 ,  许积文 ,  杨玲 ,  袁昌来 ,  陈国华 ,  饶光辉

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  H01L41/187

CPC classification number: C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/6567 ,  H01L41/1871 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/1878

Abstract: 本发明公开了一种具有大压电应变及压光性能的无铅铁电陶瓷材料及其制备方法，该陶瓷材料组成为：0.9(Bi0.5Na0.5)0.689(Ba0.5Ca0.5)0.3Pr0.01Gd0.001TiO3-0.1Ca2Ta2O7。用微波快速烧结制得，产品经实验测量，具有非常优异的压电应变性及压光特性，最大压电应变系数 =353pm/V，在1000N应力下发光波长612nm，制备工艺简单，成本低廉，适合大规模工业生产。

公开(公告)号：CN108191246A

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：CN201810151932.4

申请日：2018-02-14

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 陈国华 ,  习娟 ,  陈菁菁 ,  姜登辉 ,  周昌荣 ,  袁昌来

IPC: C03C10/00 ,  C03C6/00 ,  C03B19/06

Abstract: 本发明公开了一种低介低烧基板材料及其制备方法。所述材料的组成中至少包括了：7.0～9.0 mol%的MgO，43.0～45.0 mol%的ZnO，13.0～15.0 mol%的B2O3，34.0 mol%的P2O5，0.5～1.0mol%Ga2O3和0.5mol%Sc2O3。所述基板材料是一种具有超低介电常数、高品质因数以及小谐振频率温度系数的微晶玻璃基板材料，其在测试频率（15-16 GHz）下的相对介电常数（Er）低至3.02-3.15，谐振频率温度系数绝对值（Tcf）低至57-70 ppm/oC，品质因数（Qxf）可以达到11500-14000GHz。

公开(公告)号：CN108117262A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201810151957.4

申请日：2018-02-14

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 陈国华 ,  习娟 ,  陈菁菁 ,  姜登辉 ,  周昌荣 ,  袁昌来

IPC: C03C10/02 ,  C03B11/00 ,  C03B32/02

Abstract: 本发明公开了一种超低介低烧微晶玻璃介质材料及其制备方法。所述材料的组成中至少包括了：10.0～16.0wt%的CuO，16.0～22.0wt%的ZnO，62.0wt%的B2O3，5.0wt%的Li2O，0.5wt% CeO2和0.5wt%Ga2O3。所述介质材料是一种具有超低介电常数、高品质因数以及近零谐振频率温度系数的微晶玻璃介质材料，其在测试频率（～16 GHz）下的相对介电常数（Er）低至2.60-3.11，谐振频率温度系数绝对值（Tcf）低至0 ppm/oC附近，品质因数（Qxf）可以达到5100-9145 GHz。

公开(公告)号：CN105503164B

公开(公告)日：2018-01-12

申请号：CN201410548546.0

申请日：2014-10-16

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  曾卫东 ,  杨玲 ,  陈国华 ,  袁昌来 ,  杨华斌 ,  周沁

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种高绝缘铁酸铋基高温压电玻璃陶瓷复合材料及其制备方法，成分以通式BiFeO3+x(20Bi2O3‑30SiO2‑30CaO‑20ZrO2)+0.02Sc2O3或BiFeO3+x(35Bi2O3‑ 30SiO2‑25CaO‑10ZrO2) +0.05Sc2O3来表示，其中x表示摩尔分数，0 600°C，机械品质因数高于600，在高温压电传感器具有很好的应用前景。

公开(公告)号：CN105174943B

公开(公告)日：2017-10-24

申请号：CN201510611206.2

申请日：2015-09-22

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 陈国华 ,  唐晓玲 ,  袁昌来 ,  周昌荣

IPC: C04B35/47 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种介电储能陶瓷及其制备方法，组成成分以通式Re0.02Sr0.97TiO3+x%MnO2+y%ZnNb2O6来表示，其中Re为La、Nd、Sm或Gd，MnO2、ZnNb2O6为外加，0.1≤x≤0.3，1.5≤y≤7.5，x，y均为质量分数。本发明通过在钛酸锶中掺杂稀土和添加铌酸锌，采用一步烧结，获得致密均匀、细晶结构的陶瓷。本发明的陶瓷具有优秀的介电性能，储能密度可达2.98 J/cm3，储能效率可达90%以上，击穿强度可达535kV/cm，具有高耐压、高储能密度与高储能效率的优点，在脉冲电源领域有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN104891989B

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201510244734.9

申请日：2015-05-14

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 袁昌来 ,  周星星 ,  冯琴 ,  刘笑 ,  周昌荣 ,  杨涛 ,  许积文 ,  黎清宁 ,  陈国华

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明涉及一种Srx(Bi0.47Na0.47Ba0.06)1‑xMxTi1‑xO3高储能密度陶瓷及其制备方法，制备方法采用放电等离子烧结（SPS）技术制备Srx(Bi0.47Na0.47Ba0.06)1‑xMxTi1‑xO3高储能密度陶瓷，其中：0.05≤x≤0.3，M为Sn、Zr、(Mg1/3Nb2/3)、(Mg1/3Ta2/3)、(Zn1/3Nb2/3)、(Zn1/3Ta2/3)、(Ni1/3Nb2/3)、(Ni1/3Ta2/3)、(Al1/2Nb1/2)、(Al1/2Ta1/2)、(Co1/2Nb1/2)、(Co1/2Ta1/2)、(Cr1/2Nb1/2)、(Cr1/2Ta1/2)中的一种。本发明制备的高储能密度陶瓷，基于电滞回线计算的储能密度可达0.9~2.4 J/cm3，可承受最高交流电压介于115~210 kV/cm之间。

公开(公告)号：CN107032784A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201710301047.5

申请日：2017-05-02

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 曾卫东 ,  周昌荣 ,  黎清宁 ,  许积文 ,  杨玲 ,  袁昌来 ,  陈国华

IPC: C04B35/462 ,  C04B35/45

Abstract: 本发明公开了一种大压电各向异性无铅压电陶瓷材料，配方为：0.94Bi1/2Na1/2Ti0.85(Cu1/3Ta2/3)0.15O3‑0.06LiBiO3；通过LiBiO3的辅助烧结，结合Bi的变价，在A位与B位出现相同元素的不同价态Bi3+/Bi5+，诱导出现特殊的同素异价A/B位离子有序态(Bi3+与Bi5+分别进入A位与B位)，结合交直流极化工艺，产生特殊的大压电各向异性。该产品具有优良的大压电各向异性性能，稳定性好，绿色环保，可在超声换能器领域使用。

公开(公告)号：CN104649663B

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201510104202.5

申请日：2015-03-10

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  许积文 ,  袁昌来 ,  曾卫东 ,  陈国华

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种高耐压、高储能密度与储能效率的复相陶瓷介电材料，成分以通式(1‑x)(Bi0.49Na0.42)Ba0.06TiO3‑x(35BaO‑15ZnO‑10Al2O3‑20B2O3‑20SiO2)来表示，其中x表示摩尔分数，0.01≤x≤0.5。本发明在反铁电相中添加玻璃粉，采用两歩烧结，通过玻璃相填充孔洞，获得微观结构均匀致密复相陶瓷。本发明的复相度陶瓷具有优异的储能密度、储能效率及高耐压性，储能密度可达1.86J/cm3，储能效率可达80%、耐压可达223kV/cm，损耗低，在脉冲电源领域应用前景好。