公开(公告)号：CN109887911A

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201811483645.X

申请日：2018-12-05

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 黑川敦 ,  青池将之 ,  筒井孝幸

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/60 ,  H01L23/367

Abstract: 本发明提供一种能够缓解在晶体管部分产生的热应力、能够抑制元件的尺寸的增大且能够抑制散热性的下降的半导体装置。在基板上的多个单位晶体管的动作区域的上方配置有第一布线。进而，在基板的上方配置有第二布线。在第一布线以及第二布线上配置有绝缘膜。在绝缘膜设置有在俯视下整个区域与第一布线重叠的第一开口以及与第二布线重叠的第二开口。配置在绝缘膜上的第一凸块穿过第一开口与第一布线连接，第二凸块穿过第二开口与第二布线连接。在俯视下，多个动作区域中的至少一个动作区域配置在第一凸块的内侧，配置在第一凸块的内侧的动作区域的至少一部分的区域配置在第一开口的外侧。第一开口的平面形状与第二开口的平面形状相同。

公开(公告)号：CN109818580A

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201811389121.4

申请日：2018-11-20

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 大部功 ,  田中聪 ,  筒井孝幸 ,  梅本康成

IPC: H03F1/02 ,  H03F3/193 ,  H03F3/21 ,  H03F3/24

Abstract: 本发明提供一种能够抑制耗电的功率放大器以及化合物半导体装置。功率放大器具备初级放大电路、输出级放大电路、初级偏置电路和输出级偏置电路。初级放大电路包括：第一高电子迁移率晶体管，源极与基准电位电连接，栅极被输入高频输入信号；和第一异质结双极晶体管，发射极与第一高电子迁移率晶体管的漏极电连接，基极交流地与基准电位电连接，集电极被供给直流电力，从集电极输出高频信号。输出级放大电路包括第二异质结双极晶体管，该第二异质结双极晶体管的发射极与基准电位电连接，基极被输入从第一异质结双极晶体管输出的高频信号，集电极被供给直流电力，从集电极输出高频输出信号。

公开(公告)号：CN108511411A

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：CN201810131080.2

申请日：2018-02-08

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 佐佐木健次 ,  筒井孝幸 ,  大部功 ,  山本靖久

IPC: H01L23/488 ,  H01L25/00

Abstract: 提供一种即便将保护电路组装到放大电路中也能够抑制芯片面积的增大的半导体装置。在基板形成包括半导体元件的放大电路。形成于基板的保护电路包括相互串联连接的多个保护二极管，并与放大电路的输出端子连接。焊盘导体层在至少一部分包括用于与基板的外部的电路连接的焊盘。俯视情况下，焊盘导体层与保护电路至少局部地重叠。

公开(公告)号：CN106817096A

公开(公告)日：2017-06-09

申请号：CN201611048553.X

申请日：2016-11-24

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 渡边一雄 ,  田中聪 ,  中井一人 ,  筒井孝幸

IPC: H03F3/21 ,  H03F3/24 ,  H03F1/32

Abstract: 本发明涉及一种功率放大模块。包括放大第1无线频率信号且输出第2无线频率信号的第1晶体管；放大第2无线频率信号且输出第3无线频率信号的第2晶体管；向第1晶体管的基极提供第1偏置电流的第1偏置电路；向第2晶体管的基极提供第2偏置电流的第2偏置电路，第1偏置电路包括从发射极或源极输出第1偏置电流的第3晶体管；一端输入第1无线频率信号且另一端与第1晶体管的基极相连接的电容器；一端与第3晶体管的发射极或源极相连接且另一端与第1晶体管的基极相连接的第1电阻器；一端与电容器的一端相连接且另一端与第3晶体管的发射极或源极相连接的第2电阻器；一端与电容器的一端相连接且另一端与第1晶体管的基极相连接的第3电阻器。

公开(公告)号：CN104883143A

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201510090710.2

申请日：2015-02-28

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 筒井孝幸

IPC: H03F3/20

CPC classification number: H04B1/04 ,  H03F1/0277 ,  H03F1/56 ,  H03F3/191 ,  H03F3/195 ,  H03F3/211 ,  H03F3/24 ,  H03F3/245 ,  H03F3/68 ,  H03F3/72 ,  H03F2200/111 ,  H03F2200/222 ,  H03F2200/27 ,  H03F2200/318 ,  H03F2200/387 ,  H03F2200/429 ,  H03F2200/451 ,  H03F2203/21142 ,  H03F2203/7206 ,  H03F2203/7209 ,  H03F2203/7236 ,  H04B1/0053 ,  H04B1/0458 ,  H04B2001/0408

Abstract: 本发明的功率放大模块使应对多频带的功率放大模块的制造成本降低。该功率放大模块具有：第1信号输入端子，向该第1信号输入端子输入第1频带的第1无线频率信号；第2信号输入端子，向该第2信号输入端子输入第2频带的第2无线频率信号；第1～第3功率放大器；以及偏置控制电路，第1信号输入端子与第1功率放大器的输入端子进行电连接，第2信号输入端子与第2功率放大器的输入端子进行电连接，第1以及第2功率放大器的输出端子与第3功率放大器的输入端子进行电连接，偏置控制电路对应于第1以及第2频带中所选择的频带，进行控制以向第1以及第2功率放大器的一方提供偏置电流。

公开(公告)号：CN210246699U

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：CN201921257167.0

申请日：2019-08-05

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 小屋茂树 ,  梅本康成 ,  斋藤祐一 ,  大部功 ,  筒井孝幸

IPC: H03F3/21 ,  H03F1/52

Abstract: 本实用新型提供一种功率放大模块，能够抑制稳定性受损。包含第1基板和至少一部分配置在与第1基板重叠的区域的第2基板。第2基板包含第1放大电路以及第2放大电路。第1基板包含：第1变压器，包含在一端被输入信号且另一端与基准电位电连接的初级绕组、和一端与第1放大电路的输入端子电连接且另一端与第2放大电路的输入端子电连接的次级绕组；第2变压器，包含一端与第1放大电路的输出端子电连接且另一端与第2放大电路的输出端子电连接的初级绕组、和从一端输出信号且另一端与基准电位电连接的次级绕组；和多个第1导体，成列地排列形成在第1变压器与第2变压器之间，各自从第1主面上的布线层到达基板的第2主面上的布线层。

公开(公告)号：CN208570298U

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201821036268.0

申请日：2018-07-02

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 冈部健之 ,  丹下英吾 ,  筒井孝幸

IPC: H01F27/28 ,  H03F3/21

Abstract: 本实用新型提供一种在减小电阻值的同时确保电感的电感器以及功率放大模块。本实用新型的电感器具备：第一布线，呈漩涡状形成在层叠基板的第一面，其中，所述层叠基板是通过在给定的方向上层叠多个电介质层而形成的层叠基板，具备第一层和第二层，所述第一层具有作为所述给定的方向上的端面的所述第一面，所述第二层具有处于所述层叠基板的内部的第二面；以及第二布线，呈漩涡状形成在所述第二面，所述第二布线的宽度比所述第一布线的宽度窄，所述第一布线和所述第二布线并联地进行电连接，在将所述第一布线以及所述第二布线在所述给定的方向上投影到所述第一面的情况下，所述第二布线的投影像整体包含于所述第一布线的投影像。