公开(公告)号：CN1156917C

公开(公告)日：2004-07-07

申请号：CN00100944.3

申请日：1994-02-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  鱼地秀贵 ,  高山彻 ,  山崎舜平 ,  竹村保彦

IPC: H01L29/02 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/66757

Abstract: 本发明提供的半导体器件包括，有绝缘表面的基片、以及半导体膜，它包括绝缘表面上形成的结晶硅，半导体膜中含有促进结晶的金属，其浓度不大于1原子%。该半导体器件的制法包括：在基片的一绝缘表面上形成含非晶态硅的半导体膜；选择地形成含一种金属的层，它与半导体膜的第一部分接触；对它们进行加热，使半导体膜由第一部分至第二部分结晶，金属则通过半导体膜扩散。将半导体膜的至少第一和第二部分隔离开。

公开(公告)号：CN1150595C

公开(公告)日：2004-05-19

申请号：CN00100943.5

申请日：1994-02-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  鱼地秀贵 ,  高山彻 ,  山崎舜平 ,  竹村保彦

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/66757

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件的制造方法，它包括以下的步骤：使一种催化物质与一种含非晶态硅的半导体膜进行选择性部分接触，所述催化能够促进该半导体膜结晶化。对所述已带有催化物质的半导体膜进行退火，以使半导体膜结晶。以及，由半导体膜的顶表面对所述催化剂物质进行腐蚀，其中，该半导体膜基本上不受腐蚀步骤的作用。

公开(公告)号：CN1492722A

公开(公告)日：2004-04-28

申请号：CN03158661.9

申请日：2003-09-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高山彻 ,  鹤目卓也 ,  后藤裕吾

IPC: H05B33/12 ,  H05B33/04

CPC classification number: H01L51/5253 ,  H01L27/3244 ,  H01L2251/5315

Abstract: 本发明通过采用能够形成叠层的含有氟树脂的膜作为保护元件不受湿气和氧气的影响的保护膜，跟常规的技术相比更容易防止发光元件的退化，因而可以达到提高发光元件可靠性的目的。本发明对含有氟树脂的膜的表面进行表面处理，使表面形状有凸凹结构，并通过控制含有氟树脂的膜中的氟树脂的含有量，使在含有氟树脂的膜上形成其他膜的叠层结构成为可能。在通过控制含有氟树脂的膜中的氟树脂的含有量，在含有氟树脂的膜上形成其他膜的叠层的情形中，通过溅射法按顺序用多个靶形成含有氟树脂的膜，其中多个靶用氟树脂和金属氧化物制成并具有不同含有率，由此控制膜中的氟树脂的含有量。

公开(公告)号：CN1126179C

公开(公告)日：2003-10-29

申请号：CN94102725.2

申请日：1994-03-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  鱼地秀贵 ,  高山彻 ,  竹村保彦 ,  山本睦夫

IPC: H01L29/02 ,  H01L27/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02672 ,  G02F1/13454 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/1237 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78675 ,  Y10S148/016

Abstract: 形成一种包含催化剂的物质以同非晶硅膜紧密接触，或将催化剂导入非晶硅膜。在低于通常非晶硅结晶温度下热处理非晶硅膜，使其有选择地晶化。该结晶区用作能用于有源矩阵电路的外部驱动电路中的结晶硅TFT。保持非晶态的区用作可用于象素电路中的非晶硅TFT。本发明可在同一衬底上用同一工艺形成高速操作的结晶硅TFT和漏电流小的非晶硅TFT，从而大大增强了批量生产率和改善了产品诸性能。

公开(公告)号：CN1450841A

公开(公告)日：2003-10-22

申请号：CN03131232.2

申请日：2003-03-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高山彻 ,  山崎舜平

IPC: H05B33/12 ,  G02F1/1368

Abstract: 本发明提供了一种半导体设备的结构及其制造方法，该半导体设备即使在显示屏尺寸增加时也能实现低功耗。本发明形成一绝缘层，在绝缘层中形成隐埋互连(为Cu、Au、Ag、Ni、Cr、Pd、Rh、Sn、Pb或其合金)。进一步，在平面化绝缘层表面之后，在暴露部分中形成金属保护膜(Ti、TiN、Ta、TaN或类似物)。通过在发光设备或液晶显示设备的各种线(栅线、源线、电源线、公用线等等)的部分中使用隐埋互连，降低了线电阻。

公开(公告)号：CN1430192A

公开(公告)日：2003-07-16

申请号：CN02151880.7

申请日：2002-11-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高山彻 ,  丸山纯矢 ,  后藤裕吾 ,  桑原秀明 ,  山崎舜平

IPC: G09F9/30 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L27/1266 ,  B60R1/00 ,  B60R11/0229 ,  B60R11/04 ,  B60R2011/004 ,  B60R2300/202 ,  B60R2300/802 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76251 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/3244 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2227/323 ,  H01L2227/326

Abstract: 提供了一种半导体器件和一种半导体器件的制造方法，其中将被剥离的层与具有一弯曲表面的基底相连接，特别提供一种具有一弯曲表面的显示器，更具体的说，提供一种与具有弯曲表面的基底相连接的包括一发光元件的发光器件。一个将被剥离的层转移到薄膜上，该将被剥离的层包含一发光元件，该发光元件通过使用为金属层或氮化物层的第一材料层和为一氧化层的第二材料层的叠层结构设置在衬底上，然后弯曲该薄膜和将被剥离的层，以此形成一种具有一弯曲表面的显示器。

公开(公告)号：CN1420568A

公开(公告)日：2003-05-28

申请号：CN02148147.4

申请日：2002-10-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  高山彻

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/00 ,  H05B33/00

CPC classification number: H01L51/5253 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3258 ,  H01L51/0034 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0058 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/006 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/0078 ,  H01L51/0081 ,  H01L51/0085 ,  H01L51/0097 ,  H01L51/5016 ,  H01L51/5056 ,  H01L51/5088 ,  H01L51/5237 ,  H01L51/5246 ,  H01L51/5259 ,  H01L51/56 ,  H01L2227/323 ,  H01L2251/301 ,  H01L2251/303 ,  H01L2251/5338 ,  H01L2251/558

Abstract: 一个目的是提高将TFT与有机发光元件组合构成的发光器件的可靠性。在与发光器件(1200)的结构元件相同的衬底(1203)上形成TFT(1201)和有机发光元件(1202)。在TFT(1201)的衬底(1203)侧上形成起阻挡层作用的第一绝缘薄膜(1205)，在相反的上层侧上形成作为保护薄膜的第二绝缘薄膜(1206)。此外，在有机发光元件(1202)的低层侧上形成起势垒层作用的第三绝缘薄膜(1207)。第三绝缘薄膜是由无机绝缘薄膜如氮化硅薄膜、氮氧化硅薄膜、氮化铝薄膜、氧化铝薄膜或者氮氧化铝薄膜形成的。用相似的无机绝缘薄膜在有机发光元件(1202)的上层侧上形成第四绝缘薄膜(1208)和隔离(1209)。

公开(公告)号：CN1092844C

公开(公告)日：2002-10-16

申请号：CN94104267.7

申请日：1994-03-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  高山彻 ,  竹村保彦

IPC: H01L29/768

CPC classification number: H01L27/1277 ,  G02F1/13454 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02686

Abstract: 本发明的制造半导体器件的方法由形成非晶硅膜着手，然后，如此形成含至少一种金属元素的第二层，以便与非晶硅膜紧密连接，或将金属元素掺入非晶硅膜中，用激光或其他强度等于激光的光对该非晶硅膜作选择性照射，再使该非晶硅膜晶化。

公开(公告)号：CN1372331A

公开(公告)日：2002-10-02

申请号：CN02104784.7

申请日：2002-02-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  丸山纯矢 ,  小仓庆一 ,  高山彻

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L51/5259 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/524 ,  H01L51/5253

Abstract: 提供一可靠性高的发光器件,其中有机发光器件不因氧化、潮湿等而退化。该有机发光器件在真空中用包装膜(105)压合,该包装膜被一个含有Ar的DLC膜覆盖(或者一个氮化硅膜、一个AlN膜、一个表示为ALNxOy的化合物组成的膜)(106)。有机发光器件如此与外界完全隔离,可在整个有机发光器件上有效地防止加速有机发光器件老化的潮湿、氧化或者其它外部物质。

公开(公告)号：CN1091943C

公开(公告)日：2002-10-02

申请号：CN96114412.2

申请日：1993-12-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  鱼地秀贵 ,  高山彻 ,  福永健司 ,  竹村保彦

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02672 ,  G09G2300/0408 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757

Abstract: 一种制造半导体器件，例如薄膜晶体管的方法。在非晶硅膜之上或之下，选择形成岛状、线状、条状、点状或膜状的镍、铁、钴、钌、铑、钯、锇、铱、铂、钪、钛、钒、铬、锰、铜、锌、金、银及其硅化物，得到结晶硅膜，再以它们作起始点，在低于普通非晶硅的结晶温度下退火使其结晶化。通过在将变成晶体管有源区的半导体层之上选择形成覆盖膜，然后再使其热结晶化，构成具有薄膜晶体管的动态电路的同时，得到漏电小和迁移率高的晶体管。