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公开(公告)号：CN1929152A
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200610100799.7
申请日：1997-02-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/12
Abstract: 一种薄膜半导体晶体管结构具有带有电介质表面的衬底和由半导体薄膜构成的有源层，半导体薄膜呈现相当于单晶的结晶度。为制作此晶体管，半导体薄膜形成在衬底上，此膜包括多种晶体的混合物，晶体可是大体上与衬底平行的柱状和/或毛发状晶体。然后，所得结构在含卤素的选定气氛中进行热氧化，从而除去在膜中含有的任何金属元素。这就能形成单畴区，在单畴区中各柱状或发毛状晶体接触任何相邻晶体并且能大体认为是其中不存在或包含任何晶界的单晶区。此区用于形成晶体管的有源层。
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公开(公告)号：CN1921138A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200610101413.4
申请日：2000-12-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/524 , G01N33/497 , H01L27/1218 , H01L27/124 , H01L27/3227 , H01L27/3262 , H01L27/3276 , H01L27/3279 , H01L27/3288 , H01L27/329 , H01L31/153 , H01L33/62 , H01L51/0097 , H01L51/5203 , H01L51/56 , H01L2227/323 , H01L2251/5315 , H01L2251/5338 , H01L2924/0002 , H05K1/0298 , H05K3/323 , H05K3/361 , H05K2201/093 , H05K2201/10128 , H05K2201/1031 , Y02P70/611 , H01L2924/00
Abstract: 一种发光器件，显示出来的图像高度均匀。这种发光器件配备有一个印刷布线板(第二衬底)面对着上面形成有一个发光元件(102)的一个衬底(第一衬底)(107)配置。印刷布线板(107)上的PWB侧布线(第二布线群)通过各向异性导电膜(105a，105b)与元件侧布线(第一布线群)电连接。这里，由于用低电阻的铜箔形成PWB侧布线(110)，因而减少了元件侧布线(103，104)的电压降和信号的延迟，从而提高了图像质量的均匀性和驱动电路部分的工作速度。
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公开(公告)号：CN1909199A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200610101669.5
申请日：1997-02-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件，包括：在衬底上形成的薄膜晶体管，包括一个源区、一个漏区、形成在所述源区和漏区之间的沟道区、形成在所述沟道区上的栅电极，在所述栅电极和所述沟道区之间有一个栅绝缘膜；形成在所述薄膜晶体管上的层间绝缘膜；形成在所述层间绝缘膜上的源极布线、漏极布线、栅极布线；其中所述源区、漏区和栅电极中的每一个包括一个硅化物膜；其中所述源极布线、漏极布线和栅极布线分别被连接到所述源区的硅化物膜、所述漏区的硅化物膜和所述栅电极的硅化物膜。本发明还涉及包括上述半导体器件的便携式电话和照相机。
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公开(公告)号：CN1790773A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200510128685.9
申请日：2000-12-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: C23C14/28 , B05D1/32 , B05D1/40 , B05D5/12 , C23C14/04 , C23C14/042 , C23C14/044 , C23C14/22 , C23C14/24 , C23C14/243 , C23C14/26 , C23C14/564 , H01L51/0008 , H01L51/0011 , H01L51/5012 , H01L51/56
Abstract: 提供了一种用于形成膜厚非常均匀的薄膜的设备。使用的是一个蒸发源，在蒸发源中有一个或多个具有纵向的蒸发单元，而通过沿与蒸发源的纵向垂直的方向移动蒸发源，就可以在基片上沉积薄膜。通过增大蒸发源的长度，可以提高纵向上膜厚的均匀度。移动蒸发源，在整个基片上进行薄膜成形，因而整个基片上的膜厚均匀度就可以提高。
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公开(公告)号：CN1252816C
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN00101038.7
申请日：2000-01-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L29/42384 , G02F1/13454 , H01L27/1237 , H01L27/1255 , H01L27/1277 , H01L29/78645
Abstract: 提供了一种具有高度可靠性的半导体器件，其中配置了针对电路功能而具有适当结构的TFT。驱动TFT的栅绝缘膜(115)和(116)设计得比半导体器件中的像素TFT的栅绝缘膜(117)薄，半导体器件在同一衬底上具有驱动电路和像素单元。另外，驱动TFT的栅绝缘膜(115)和(116)和存储电容介质(118)是同时制作的，这样，介质(118)可以非常薄，可以获得大电容量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1599030A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN200410069654.6
申请日：1993-12-04
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L21/02672 , G09G2300/0408 , H01L21/02532 , H01L21/2022 , H01L27/1277 , H01L29/66757
Abstract: 一种制造半导体器件，例如薄膜晶体管的方法。在非晶硅膜之上或之下，选择形成岛状、线状、条状、点状或膜状的镍、铁、钴、钌、铑、钯、锇、铱、铂、钪、钛、钒、铬、锰、铜、锌、金、银及其硅化物，得到结晶硅膜，再以它们作起始点，在低于普通非晶硅的结晶温度下退火使其结晶化。通过在将变成晶体管有源区的半导体层之上选择形成覆盖膜，然后再使其热结晶化，构成具有薄膜晶体管的动态电路的同时，得到漏电小和迁移率高的晶体管。
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公开(公告)号：CN1555096A
公开(公告)日：2004-12-15
申请号：CN200410069968.6
申请日：2000-04-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/02 , H01L27/092 , H01L29/788 , H01L29/786 , H01L31/00 , G09G3/00
CPC classification number: G02F1/13454 , H01L27/1237 , H01L27/1277 , H01L27/3244 , H01L27/3262 , H01L27/3265 , H01L29/045 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , H01L29/78627 , H01L29/78675
Abstract: 根据本发明的一种半导体器件，包括：一p沟道TFT；一n沟道TFT，其中至少有一部分LDD区与栅极叠加，在LDD区和栅极之间夹有第二栅绝缘膜；一存储晶体管，其包括：一源区、一漏区、一沟道区、第一栅绝缘膜、一浮置栅极、第三栅绝缘膜、和一控制栅极，其中，所述p沟道TFT和所述n沟道TFT和所述存储晶体管都设置在同一绝缘体之上，所述p沟道TFT和所述n沟道TFT都设置在一个CMOS电路中，并且，所述存储晶体管的所述漏区叠加在所述的浮置栅极。
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公开(公告)号：CN1149639C
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN98120978.5
申请日：1994-10-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/20 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/02672 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/02686 , H01L21/2022 , H01L27/1277 , H01L27/1296 , H01L29/045 , H01L29/66757 , H01L29/66772 , H01L29/78654 , H01L29/78675 , H01L29/78678 , Y10S148/016
Abstract: 一种半导体器件，包括至少一个含有结晶硅膜的有源区，在绝缘表面上形成，其特征在于，所述硅膜含促进非晶硅膜晶化过程的催化元素。
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公开(公告)号：CN1149634C
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN00103833.8
申请日：1993-12-04
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L21/02672 , G09G2300/0408 , H01L21/02532 , H01L21/2022 , H01L27/1277 , H01L29/66757
Abstract: 一种制造半导体器件的方法，例如制造薄膜晶体管的方法。在非晶硅膜之上或之下，选择形成岛状、线状、条状、点状或膜状的镍、铁、钴、钌、锗、钯、锇、铱、铂、钪、钛、钒、铬、锰、铜、锌、金、银及其硅化物，得到结晶硅膜，再以它们作起始点，在低于普通非晶硅的结晶温度下退火使其结晶化。通过在将变成晶体管有源区的半导体层之上选择形成覆盖膜，然后再使其热结晶化，构成具有薄膜晶体管的动态电路的同时，得到漏电小和迁移率高的晶体管。
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公开(公告)号：CN1139132C
公开(公告)日：2004-02-18
申请号：CN99102192.4
申请日：1997-02-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L27/092
CPC classification number: H01L29/78621 , H01L27/1222 , H01L27/127 , H01L2029/7863
Abstract: 在一包括整体地形成于单个衬底上的n沟道薄膜晶体管和p沟道薄膜晶体管的电路结构中，轻掺杂漏(LDD)区选择地形成于n沟道薄膜晶体管中，在注入杂质离子时造成的半导体层损伤对于n和p沟道薄膜晶体管来说是平衡的。这这种结构可实现n和p沟道薄膜晶体管间的平衡，从而可提供高性能CMOS电路。
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