公开(公告)号：CN1698181A

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN200480000583.2

申请日：2004-06-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中川秀夫 ,  笹子胜 ,  平井义彦

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/768 ,  H01L21/312 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/76801 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76817

Abstract: 图案形成方法，包括：形成由具有流动性的物质构成的流动性膜的工序；将推压面具有凹部及凸部中至少一个的推压构件的所述推压面推压到流动性膜，将所述凹部及凸部中至少一个转印到流动性膜的工序；在将推压面推压到流动性膜的状态下，通过将流动性膜加热到第1温度，使转印了凹部及凸部中至少一个的流动性膜固化，形成固化膜的工序；以及通过将固化膜加热到比第1温度高的第2温度焙烧所述固化膜，形成由已焙烧的固化膜构成的图案的工序。

公开(公告)号：CN1648771A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN200510004698.5

申请日：2005-01-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 远藤政孝 ,  笹子胜

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/20 ,  H01L21/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0392 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/11 ,  G03F7/2041

Abstract: 在基板上形成含有水溶性聚合物的化学增幅型抗蚀剂组成的抗蚀剂膜。其中使用水溶性聚合物根据气体透过性比化学增幅型抗蚀剂小的材料。进而通过掩模对抗蚀剂膜选择性照射曝光光线进行图案曝光，然后通过对进行了图案曝光的抗蚀剂膜进行显影，得到由抗蚀剂膜以良好形状被微细化的抗蚀剂图案。

公开(公告)号：CN1638037A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200410081725.4

申请日：2004-12-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 远藤政孝 ,  笹子胜

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/40 ,  G03F7/168 ,  G03F7/3021 ,  G03F7/32 ,  G03F7/322

Abstract: 一种图形形成方法，在基板上形成抗蚀膜，并对已形成的抗蚀膜选择性地照射曝光光，接着，对已进行图形曝光的抗蚀膜进行显影，并使用含有环糊精的水溶液对经显影的抗蚀膜进行漂洗，从而由抗蚀膜得到已微细化的没有歪斜的抗蚀图形。

公开(公告)号：CN1194383C

公开(公告)日：2005-03-23

申请号：CN03131009.5

申请日：2003-05-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 远藤政孝 ,  笹子胜

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/16 ,  G03F7/0045 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31144

Abstract: 一种图案形成方法，在基板(10)上面形成表面粗糙的低介电常数绝缘膜(11)之后，在腔室(12)的内部，通过超临界流体(14)对低介电常数绝缘膜(11)进行表面处理，使低介电常数绝缘膜(11)的表面平滑化。然后在表面被平滑化的低介电常数绝缘膜(11)上面涂布化学放大型抗蚀剂，而形成抗蚀剂膜(16)之后，对该抗蚀剂膜(16)进行图案曝光。对经图案曝光的抗蚀剂膜(16)进行显影、冲洗和干燥，形成抗蚀图(19)。通过上述图案形成方法，在化学放大型抗蚀图中不产生或褶边缝边或咬边，提高图案形状。

公开(公告)号：CN1574218A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200310120570.6

申请日：2003-12-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 远藤政孝 ,  笹子胜

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/0382 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/2041

Abstract: 本发明公开了一种图案形成方法，其目的在于：使通过浸渍光刻所得到的抗蚀图案的形状良好。由化学放大型抗蚀材料形成抗蚀膜102以后，再在含有碱性化合物的浸渍溶液103供到抗蚀膜102上的状态下，用曝光光104有选择地去照射抗蚀膜102而进行图案曝光。若对已经进行了图案曝光的抗蚀膜102进行了后烘烤(post bake)以后，再通过碱性显像液进行显像，就能由抗蚀膜102的未曝光部分102b得到形状良好的抗蚀图案105。

公开(公告)号：CN1551306A

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN200410028267.8

申请日：2004-03-10

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  松下电器产业株式会社

Inventor： 滨田吉隆 ,  八木桥不二夫 ,  中川秀夫 ,  笹子胜

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/52 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/7682

Abstract: 提供一种组合物，所述组合物通过烷氧基硅烷的水解和缩合形成，所述组合物含有减少量的金属和卤素杂质，可应用作为电子材料。也提供一种具有低介电常数的绝缘膜，通过应用组合物并焙烧进行生产。更具体地，提供一种用于制造成膜组合物的方法，包括在有机溶剂中，及在作为催化剂的氢氧化三烷基甲铵的存在下，烷氧基硅烷或烷氧基硅烷的部分水解产物的水解和缩合步骤，其中烷氧基硅烷选自如上通式(1)～(4)表示的化合物，并且，由如下通式(5)代表氢氧化三烷基甲铵。提供由该方法得到的成膜组合物，和具有低金属和卤素杂质的低介电常数膜，所述膜通过在基质上施加该成膜组合物并焙烧而生产。

公开(公告)号：CN1549055A

公开(公告)日：2004-11-24

申请号：CN03155716.3

申请日：2003-08-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 远藤政孝 ,  笹子胜

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/20 ,  G03F7/30 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/2041

Abstract: 一种图形形成方法，在形成由化学增幅型抗蚀材料构成的抗蚀膜(102)之后，以向抗蚀膜(102)上提供由含有消泡剂且边进行循环边暂时被贮存于溶液贮存部内的水(折射率n：1.44)组成的溶液(103)的状态，对抗蚀膜(102)照射曝光光(104)，进行图形曝光。对已进行图形曝光的抗蚀膜(102)进行后烘之后，用碱性显影液进行显影，则可以得到由抗蚀膜(102)的未曝光部(102b)构成的具有良好截面形状的抗蚀图形(105)。根据本发明，通过减少用于浸渍光刻法的溶液中的气泡，可以使抗蚀图形的截面形状变得良好。

公开(公告)号：CN1542071A

公开(公告)日：2004-11-03

申请号：CN200410031386.9

申请日：2004-03-26

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  松下电器产业株式会社

Inventor： 荻原勤 ,  八木桥不二夫 ,  滨田吉隆 ,  浅野健 ,  岩渊元亮 ,  中川秀夫 ,  笹子胜

IPC: C09D183/04 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C09D183/04 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31695

Abstract: 根据本发明，用半导体工艺中常用的方法，很容易制备任意控制膜厚的薄膜。本发明提供了形成多孔膜的涂覆液，该多孔膜具有优良的介电常数及机械特性。具体地，形成多孔膜的涂覆液是含有缩合物及有机溶剂的多孔膜组合物，所述的缩合物是从至少一种选自用通式(X2O)i(SiO2)j(H2O)k表示的硅酸盐化合物和用通式(X2O)a(RSiO1.5)b(H2O)c表示的有机硅酸盐化合物在酸存在下缩合得到的。由此可制造用于半导体制造工艺的，具有足够机械强度和介电常数的多孔绝缘膜。

公开(公告)号：CN1501454A

公开(公告)日：2004-06-02

申请号：CN200310114943.9

申请日：2003-11-13

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  松下电器产业株式会社

Inventor： 荻原勤 ,  八木桥不二夫 ,  中川秀夫 ,  笹子胜

IPC: H01L21/312 ,  C09D183/04

CPC classification number: H01L23/5222 ,  C08K3/34 ,  C08L83/02 ,  C09D183/04 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  Y10T428/249953 ,  Y10T428/31663 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种成膜用组合物，该组合物可形成具有优良介电性质、粘合性、膜均匀性和机械强度的多孔膜，并且该膜可容易地变薄；本发明提供了多孔膜及其制造方法以及内部含有所述多孔膜的高性能和高可靠的半导体装置。更具体地说，多孔膜形成用组合物包含一种含有通过水解和缩合至少一种由通式(R1)nSi(OR2)4－n表示的硅烷化合物而获得的非晶态聚合物的溶液和通过使用氢氧化季铵而形成的沸石溶胶。多孔膜形成用方法包括涂布多孔膜形成用组合物的涂布步骤；随后的干燥步骤；和多孔性形成步骤。

公开(公告)号：CN1485885A

公开(公告)日：2004-03-31

申请号：CN03131014.1

申请日：2003-05-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 远藤政孝 ,  笹子胜

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/0392 ,  G03F7/0047

Abstract: 本发明提供一种在半导体装置的制造过程中使用的图形形成材料、水溶性材料及图形形成方法。形成由含有通过酸的作用改变显影液可溶性的聚合物、照射能量光束就产生酸的酸发生剂、吸收聚合物或酸发生剂产生的脱气的化合物的化学增幅型抗蚀材料构成的抗蚀膜(11)；对于抗蚀膜(11)选择性照射远紫外线(12)进行图形曝光后，对图形抗蚀膜(11)通过显影液进行显影并形成抗蚀层图形(13)。根据本发明可以减少由抗蚀膜产生的脱气的量并改善抗蚀层图形的形状和提高生产率。