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公开(公告)号：CN111937306A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201980016922.2
申请日：2019-03-14
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H03H9/25
Abstract: 提高由多晶陶瓷材料或单晶材料形成的支撑基板与压电性单晶基板的接合强度，并且提高Q值。接合体(5、5A)具备：支撑基板(1)、压电性单晶基板(4、4A)、以及设置在支撑基板(1)与压电性单晶基板(4、4A)之间的接合层(2A)。接合层(2A)具有Si(1‑x)Ox(x为氧比率)的组成。接合层(2A)的厚度方向的中央部处的氧比率x高于：接合层(2A)的压电性单晶基板(4、4A)侧的端部处的氧比率x以及接合层(2A)的支撑基板(1)侧的端部处的氧比率x。接合层(2A)的厚度方向的中央部处的氧比率x为0.013以上0.666以下。
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公开(公告)号：CN110463038A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201880001047.6
申请日：2018-03-22
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 对于包括：包含多晶陶瓷材料或单晶材料的支撑基板、压电性单晶基板和在支撑基板与压电性单晶基板之间设置的接合层的接合体，提高接合层处的绝缘性，并且提高支撑基板与压电性单晶基板的接合强度。接合体5包括：支撑基板1、压电性单晶基板4和在支撑基板与压电性单晶基板之间设置的接合层2A。接合层2A具有Si(1-x)Ox(0.008≤x≤0.408)的组成。
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公开(公告)号：CN105027436B
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201480009131.4
申请日：2014-02-18
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H03H9/25 , H01L21/683 , H03H3/08 , H03H9/145
CPC classification number: H01L21/6835 , B32B7/02 , B32B7/06 , B32B7/12 , B32B9/005 , B32B9/04 , B32B18/00 , B32B27/08 , B32B27/20 , B32B27/283 , B32B37/10 , B32B38/10 , B32B2264/105 , B32B2307/20 , B32B2307/206 , B32B2307/538 , B32B2309/02 , B32B2309/105 , B32B2457/00 , B32B2457/14 , H01L21/78 , H01L41/1873 , H03H3/08 , H03H3/10 , H03H9/02574 , H03H9/25 , Y10T428/12597
Abstract: 一种复合基板10，其是将压电基板12与热膨胀系数比压电基板12低的支撑基板14粘合在一起所形成的复合基板。支撑基板14通过以刀片可剥离的强度将由相同材料制成的第1基板14a和第2基板14b以直接接合方式接合在一起来形成，并以第1基板14a中的第1基板14a与第2基板14b的接合面的相反一侧的表面，与压电基板12粘合在一起。
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公开(公告)号：CN104871431B
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201380066077.2
申请日：2013-12-25
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H03H3/08
CPC classification number: H01L41/332 , H01L21/3212 , H01L41/107 , H01L41/312 , H01L41/337 , H03H3/08 , H03H9/02574 , Y10T428/21
Abstract: 本发明的复合基板的制作方法包含：工序(a)：将压电基板和支撑基板接合形成直径在4英寸以上的粘合基板，通过镜面研磨粘合基板的压电基板侧，将所述压电基板的厚度研磨至3μm以下；工序(b)：制作所述镜面研磨后的压电基板的厚度分布数据；工序(c)：基于所述厚度分布数据，利用离子束加工机对所述压电基板进行加工获得复合基板，其中厚度在3μm以下的所述压电基板在整个平面上厚度的最大值和最小值的差在60nm以下，且所述压电基板显示出通过X射线衍射获得的摇摆曲线的半峰宽为100弧秒以下的结晶性。
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公开(公告)号：CN104272592B
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201480001085.3
申请日：2014-03-04
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: H01L41/0805 , H01L41/312 , H03H9/02574 , H03H9/02834 , Y10T428/24942
Abstract: 复合基板10贴合了压电基板12和热膨胀系数比该压电基板12更小的支承基板14。支承基板14具有与压电基板12贴合的第1面14a、和在该第1面14a的相反一侧的第2面14b。支承基板14的厚度方向的热膨胀系数，从第2面14b到第1面14a与第2面14b的中间位置14c位置，沿厚度方向变小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103703542B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201380002366.6
申请日：2013-07-16
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L29/06 , H01L21/02002 , H01L21/2007 , H01L21/762 , H01L21/76251
Abstract: 复合晶片（10）是使支承基板（12）和半导体基板（14）通过直接键合来贴合而成的复合晶片。支承基板（12）是氧化铝纯度在99%以上的透光性氧化铝基板。该支承基板（12）的可见光区域的直线透过率在40%以下。又，支承基板（12）在波长200～250nm下的前方全光线透过率在60%以上。支承基板（12）的平均结晶颗粒直径为10μm～35μm。半导体基板（14）为单结晶硅基板。这样的复合晶片(10）具有与SOS晶片同等的绝缘性及热传导性，能够以低成本进行制作，并能够较容易地制得大直径晶片。
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公开(公告)号：CN105229924A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201480028883.5
申请日：2014-04-24
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: H01L41/277 , H01L41/053 , H01L41/337 , H03H3/02
Abstract: (a)准备压电基板(22)和支撑基板(27)，(b)通过粘合层(26)将它们接合，成为复合基板(20)，(c)研磨压电基板(22)中与支撑基板(27)接合的面的相对侧的面，将压电基板(22)减薄。(d)接着，通过从压电基板(22)中与支撑基板(27)接合的面相对侧的面，将复合基板(20)半切割，形成将压电基板(22)分割为压电设备用大小的沟槽(28)。而且，通过形成沟槽(28)，粘合层(26)从沟槽(28)内露出。(e)、(f)然后，通过将复合基板(20)浸渍在溶剂中，用溶剂将粘合层(26)除去，从而将压电基板(22)从支撑基板剥离，(g)使用剥离后的压电基板(12)得到压电设备(10)。
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公开(公告)号：CN105074868A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201480009140.3
申请日：2014-02-18
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/683 , H03H3/08 , H03H9/145 , H03H9/25
CPC classification number: H01L21/6835 , B32B7/02 , B32B7/06 , B32B7/12 , B32B9/005 , B32B9/04 , B32B18/00 , B32B27/08 , B32B27/20 , B32B27/283 , B32B37/10 , B32B38/10 , B32B2264/105 , B32B2307/20 , B32B2307/206 , B32B2307/538 , B32B2309/02 , B32B2309/105 , B32B2457/00 , B32B2457/14 , H01L21/78 , H01L41/1873 , H03H3/08 , H03H3/10 , H03H9/02574 , H03H9/25 , Y10T428/12597
Abstract: 复合基板(10)由半导体基板(12)和绝缘性的支撑基板(14)粘合而成。支撑基板(14)为由相同绝缘材料制作的第1基板(14a)和第2基板(14b)以用刀片可剥离的强度接合而成，半导体基板(12)粘合在第1基板(14a)中与第2基板(14b)的接合面相反一侧的表面上。
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公开(公告)号：CN104871431A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201380066077.2
申请日：2013-12-25
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H03H3/08
CPC classification number: H01L41/332 , H01L21/3212 , H01L41/107 , H01L41/312 , H01L41/337 , H03H3/08 , H03H9/02574 , Y10T428/21
Abstract: 本发明的复合基板的制作方法包含：工序(a)：将压电基板和支撑基板接合形成直径在4英寸以上的粘合基板，通过镜面研磨粘合基板的压电基板侧，将所述压电基板的厚度研磨至3μm以下；工序(b)：制作所述镜面研磨后的压电基板的厚度分布数据；工序(c)：基于所述厚度分布数据，利用离子束加工机对所述压电基板进行加工获得复合基板，其中厚度在3μm以下的所述压电基板在整个平面上厚度的最大值和最小值的差在60nm以下，且所述压电基板显示出通过X射线衍射获得的摇摆曲线的半峰宽为100弧秒以下的结晶性。
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公开(公告)号：CN104272592A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201480001085.3
申请日：2014-03-04
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: H01L41/0805 , H01L41/312 , H03H9/02574 , H03H9/02834 , Y10T428/24942
Abstract: 复合基板10贴合了压电基板12和热膨胀系数比该压电基板12更小的支承基板14。支承基板14具有与压电基板12贴合的第1面14a、和在该第1面14a的相反一侧的第2面14b。支承基板14的厚度方向的热膨胀系数，从第2面14b到第1面14a与第2面14b的中间位置14c位置，沿厚度方向变小。
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