-
公开(公告)号：CN101625523B
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN200910140186.X
申请日：2009-07-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0392
Abstract: 本发明是提供一种光阻图案的形成方法，其特征在于：在具有被酸分解性基保护的羟基的苯乙烯单元、与茚单元或苊烯单元的聚合物中，使用重量平均分子量为4000至7000、特别是4500至5500的聚合物作为化学增幅型光阻组合物的基质聚合物而成的光阻组合物，来形成至少线宽为65纳米以下的图案。目前线边缘粗糙度是被要求解决的课题之一，但是通过酸产生剂或碱性化合物来解决时，在与解像性之间会产生对立。依照本发明，能够提供一种光阻图案的形成方法，其是关于将具有高解像性的被酸不稳定基保护的羟基苯乙烯等作为基质聚合物的光阻组合物，能够抑制线边缘粗糙度，来提供65纳米以下的图案规则(pattern rule)光阻图案。
-
公开(公告)号：CN102591152A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201110442501.1
申请日：2009-07-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0045 , G03F7/0382 , Y10S430/114 , Y10S430/128
Abstract: 本发明是一种化学增幅型光阻组合物，其至少含有1种或2种以上的具有羧基且不含有共价键结于碱性中心即氮上的氢的胺化合物或氧化胺化合物，但排除胺及氧化胺的氮原子被包含于芳香环的环状结构的情形。由此，可提供一种化学增幅光阻材料等的光阻材料、及使用此材料的图案形成方法，该光阻材料在用于微加工的微影成像术且特别是使用KrF激光、ArF激光、F2激光、极短紫外线、电子射线、X射线等作为曝光光源的微影术中，可赋予高解像性，同时在基板界面也能赋予良好图案形状。
-
公开(公告)号：CN102516453A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110316698.4
申请日：2011-07-28
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C08F220/36 , C08F212/32 , C08F220/30 , C08F232/08 , C08F212/14 , G03F7/004 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/0382 , C07D239/10 , C08F12/22 , C08F12/24 , C08F12/26 , C08F212/14 , C08F212/32 , C08F220/30 , C08F220/36 , C09D125/18 , G03F1/50 , G03F7/0045 , C08F212/12
Abstract: 提供了包含侧链上具有N，N’-双(烷氧基甲基)四氢嘧啶酮或N，N’-双(羟甲基)四氢嘧啶酮结构的重复单元的聚合物。当使用该聚合物配制化学增幅负抗蚀剂组合物并通过光刻加工时，可以形成具有改善的LER和高分辨率优点的精细抗蚀剂图案。
-
公开(公告)号：CN102516181A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110293953.8
申请日：2011-07-28
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C07D239/10 , C08F212/14 , C08F220/36 , G03F7/038
CPC classification number: G03F7/0382 , C07D239/10 , C08F26/06 , G03F7/2059
Abstract: 提供了一种式(1)的单体，其中R1是氢或者单价的C1-C6烃基，并且R2是具有聚合官能性的基团。使用该单体，能够将交联单元引入到聚合物链中。包括具有在其中引入交联单元的基础聚合物的化学放大负性抗蚀剂组合物具有高敏感性并且形成具有最小化的LER的抗蚀图案。
-
公开(公告)号：CN102321212A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201110141664.6
申请日：2011-02-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C08F220/30 , C08F212/14 , C08F222/18 , G03F7/039 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/0045 , C08F20/22 , C08F212/14 , C08F220/18 , G03F7/0046 , G03F7/039 , G03F7/0397 , Y10S430/106 , Y10S430/111 , Y10S430/122 , Y10S430/123 , C08F2220/283 , C08F232/08 , C08F2220/382
Abstract: 将一种包括在侧链上具有氟化羧酸鎓盐结构的重复单元的聚合物用于配制化学放大正性抗蚀剂组合物。当该组合物通过平版印刷处理形成正性图案时，酸在抗蚀剂膜中的扩散均匀并且缓慢，以及该图案的LER得到改善。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102243439A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201110121500.7
申请日：2011-02-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0392 , G03F7/0395 , G03F7/0397
Abstract: 提供一种用于EB或EUV平版印刷的化学放大正性抗蚀剂组合物，其包括(A)聚合物或聚合物共混物，其中聚合物或聚合物共混物的薄膜不可溶于碱性显影剂，但是在酸的作用下变为可溶于其中，(B)酸产生剂，(C)碱性化合物，和(D)溶剂。碱性化合物(C)为包括带有侧链的重复单元的聚合物，并且构成作为组分(A)的一种聚合物或多种聚合物的一部分或全部，所述侧链具有仲胺或叔胺结构作为碱性活性位点。
-
公开(公告)号：CN102129172A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201110005991.9
申请日：2011-01-13
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/00 , C08F212/14 , C08F220/30
CPC classification number: G03F7/0382 , G03F7/0045
Abstract: 负性抗蚀剂组合物，其包括包含具有烷基硫基基团重复单元且具有1000-2500的MW的基础聚合物，产酸剂和碱性组分，典型地为包含羧基、但不包括活性氢的胺化合物。其可以形成具有低LER值的45-nm线间隔的图案。
-
公开(公告)号：CN101900939A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN201010194426.7
申请日：2010-05-28
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0382
Abstract: 本发明提供一种负型光阻组合物，其至少包含：(A)碱可溶性且可通过酸的作用而成为碱不溶性的基质高分子、及/或碱可溶性且可通过酸的作用与交联剂进行反应而成为碱不溶性的基质高分子与交联剂的组合；(B)酸产生剂；(C)作为碱性成份的含氮化合物，其中，作为该基质高分子，是将含有两种以上通式(1)所代表的单体、或一种以上通式(1)所代表的单体及一种以上通式(2)所代表的苯乙烯单体的混合物聚合所获得的高分子，或是将该高分子所具有的官能团更进一步加以化学转化所获得的高分子，且相对于构成前述所获得的高分子的全部重复单元，源于通式(1)所代表的单体的重复单元合计为50摩尔％以上。
-
公开(公告)号：CN101625524A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200910140187.4
申请日：2009-07-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0045 , G03F7/0382 , Y10S430/114 , Y10S430/128
Abstract: 本发明是一种化学增幅型光阻组合物，其至少含有1种或2种以上的具有羧基且不含有共价键结于碱性中心即氮上的氢的胺化合物或氧化胺化合物，但排除胺及氧化胺的氮原子被包含于芳香环的环状结构的情形。由此，可提供一种化学增幅光阻材料等的光阻材料、及使用此材料的图案形成方法，该光阻材料在用于微加工的微影成像术且特别是使用KrF激光、ArF激光、F2激光、极短紫外线、电子射线、X射线等作为曝光光源的微影术中，可赋予高解像性，同时在基板界面也能赋予良好图案形状。
-
公开(公告)号：CN119472171A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411069502.X
申请日：2024-08-06
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本发明的课题是提供可以形成能够形成具有极高的分辨率、LER小、矩形性优良、对显影液的残渣缺陷的影响受到抑制的图案的抗蚀剂膜的化学增幅正型抗蚀剂组成物、及使用该组成物的抗蚀剂图案形成方法。本发明的解决手段是一种化学增幅正型抗蚀剂组成物，包含(A)基础聚合物、(B)光酸产生剂及(C)淬灭剂，(A)基础聚合物，包含含有特定的含酚性羟基的单元、特定的含芳香环的单元及特定的经酸不稳定基团保护的含酚性羟基的单元的聚合物，(A)基础聚合物中包含的重复单元，全部为具有芳香环的重复单元，构成(A)基础聚合物的重复单元中包含的卤素原子的数量，为3以下。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
137
records
(took 0.058 seconds)
