一种析氢反应催化剂含菱方(3R)相硒化铌的制备方法及应用

    公开(公告)号:CN116351442A

    公开(公告)日:2023-06-30

    申请号:CN202310125572.1

    申请日:2023-02-16

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明为一种析氢反应催化剂含菱方(3R)相硒化铌的制备方法及应用。将铌粉、硒粉以摩尔比为0.25:1‑0.5:1的比例均匀混合后压制成片,放入直流电弧等离子体放电装置内水平放置的阴阳极之间。在水冷系统和氩气氛围的保护下,将气压升至40kPa,反应电流为60‑100A,阴阳两极间起弧放电,反应完全后冷却钝化至室温。在石墨锅内收集到灰黑色粉末,为菱方(3R)相和六方(2H)相的NbSe2。将含菱方相NbSe2作为析氢反应催化剂,在5mV·s‑1的扫速下,NbSe2在‑10mA·cm‑2的电流密度下可实现302mV的过电势,表明含菱方相NbSe2具有一定的析氢催化活性。

    基于六方氮化硼厚膜的深紫外光电探测器及制备方法

    公开(公告)号:CN111710750B

    公开(公告)日:2022-12-13

    申请号:CN202010588569.X

    申请日:2020-06-24

    Applicant: 吉林大学

    Inventor: 殷红 李冬冬 高伟

    Abstract: 一种基于六方氮化硼厚膜的深紫外光电探测器及制备方法,包括衬底、紫外光敏层和叉指电极,其中紫外光敏层为高质量六方氮化硼厚膜,对日盲波段有很好的响应。所述六方氮化硼厚膜本身具有的固有性能非常卓越,通过离子束溅射沉积方法制备六方氮化硼厚膜纯度非常高,具有良好的稳定性、厚度可控、无毒无污染等优点,通过掺杂目标杂质可以调整带隙宽度,从而提高了深紫外光电探测器的光电导增益和短波段光响应,实现紫外光电探测器对日盲波段的有效探测。

    一种单、双苯硫亚胺钒烯烃聚合催化剂的制备方法和应用

    公开(公告)号:CN114380928A

    公开(公告)日:2022-04-22

    申请号:CN202210002127.1

    申请日:2022-01-04

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明公开了一种单、双苯硫亚胺钒烯烃聚合催化剂的制备方法和应用,该制备方法是通过将亚胺配体与nBuLi、单质S、VCl3(THF)2相互配合反应得到单、双苯硫亚胺钒烯烃聚合催化剂。本发明提供一类含特殊结构苯硫亚胺钒烯烃聚合催化剂的合成方法及应用,这种含特殊结构苯硫亚胺钒烯烃聚合催化剂合成简易,可以高活性催化乙烯均聚得到低到高分子量的聚乙烯以及高活性催化乙烯与丙烯、1‑丁烯、1‑己烯、1‑辛烯、1‑癸烯、降冰片烯等烯烃共聚,生成高共单体含量、聚烯烃弹性体等聚高性能聚烯烃产品。

    一种阵列式Z字型碳化铌微晶的制备方法

    公开(公告)号:CN109368645B

    公开(公告)日:2021-11-23

    申请号:CN201811598488.7

    申请日:2018-12-26

    Applicant: 吉林大学

    Inventor: 高伟 张晨 殷红

    Abstract: 此发明涉及一种阵列式Z字型碳化铌微晶的制备方法,属于无机纳米材料的制备领域。制备方法采用直流电弧等离子体放电法;制备条件是高温低压;制备过程是将摩尔比1:1的高纯碳粉和铌粉均匀混合研磨压片,放入直流电弧反应腔室内,调整好阴阳两极距离,在特定条件(氩气、气压10‑40kPa和电流75‑85A等)下起弧、反应、冷却钝化后,既在阳极石墨锅下沿处获得阵列式Z字型碳化铌微晶。本发明制备工艺简单、耗材少、重复性高,同时又能保证样品产率与纯净度。此方法制备的阵列式Z字型碳化铌微晶尺寸均一、排列整齐,可用作太阳能吸收材料的辅料,具有良好应用前景。

    n型氮化硼薄膜/p型单晶硅异质pn结原型器件及制备方法

    公开(公告)号:CN113675261A

    公开(公告)日:2021-11-19

    申请号:CN202110678790.9

    申请日:2019-05-09

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明提供了一种n型氮化硼薄膜/p型单晶硅异质pn结原型器件及制备方法,属于半导体材料领域。本发明采用磁控溅射方法在p型(100)面单晶硅基底上制备氮化硼薄膜;采用共溅射手段,在位碳掺杂得到n型氮化硼薄膜;然后在n型氮化硼薄膜一侧和p型单晶硅一侧分别制作银电极,即制得n型氮化硼薄膜/p型单晶硅异质pn结原型器件。本发明通过对氮化硼薄膜进行在位碳掺杂,得到电学性能优异的n型电导层,较比于未掺杂、硅掺杂的氮化硼薄膜的电学性能有显著提升;获得了整流特性良好的pn结原型器件。

    一种马鞍状碳化铌微晶的制备方法

    公开(公告)号:CN109502588B

    公开(公告)日:2021-11-16

    申请号:CN201811598055.1

    申请日:2018-12-26

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 此发明涉及一种马鞍状碳化铌微晶的制备方法,属于无机纳米材料的制备领域。制备方法采用直流电弧等离子体放电法;制备条件是高温低压;制备过程是将摩尔比1:1的高纯碳粉和铌粉均匀混合研磨压片,放入直流电弧反应腔室内,调整好阴阳两极距离,在特定条件(氮气、气压10‑40kPa和电流75‑85A等)下起弧、反应、冷却钝化后,既在阳极石墨锅下沿处获得马鞍状碳化铌微晶,其结构单元为片层状碳化铌堆积而成的三棱椎体,形似马鞍状。本发明制备工艺简单、耗材少、重复性高,同时又能保证样品产率与纯净度。此方法制备的马鞍状碳化铌微晶形状规则、尺寸均一,具有良好应用前景。

    一种硒化钛纳米线的制备方法

    公开(公告)号:CN112850661A

    公开(公告)日:2021-05-28

    申请号:CN202110152414.6

    申请日:2021-02-03

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明为一种硒化钛纳米线的制备方法。将钛粉、硒粉以化学计量比均匀混合后压制成片,放入直流电弧等离子体放电装置内水平放置的阴阳极之间。在水冷系统和氩气氛围的保护下,将气压升至15‑25kPa、设置反应电流为90‑100A,阴阳两极起弧反应。在石墨锅下沿处收集到黑色粉末,其微观形貌为长度介于1.5‑3μm、直径为20‑100nm的硒化钛纳米线。测试硒化钛纳米线的荧光特性,荧光光谱(PL)的最大发射峰有蓝移现象。

    一种包络高取向氮化硼纳米晶的硼碳氮薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN109161844B

    公开(公告)日:2020-09-29

    申请号:CN201810875535.1

    申请日:2018-08-03

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明的一种包络高取向氮化硼纳米晶的硼碳氮薄膜及其制备方法,属于薄膜材料及其制备的技术领域。硼碳氮薄膜为在硅基底上生长的包含氮化硼纳米晶的不定形结构。制备方法是以含碳氮化硼靶材,在射频磁控溅射装置的沉积室内制备;其中基底温度为室温~600℃,工作气体为氩气和氮气,流量分别为50sccm和0~50sccm,工作气压为1~3Pa。调节工艺参数可使薄膜中的氮化硼纳米晶的取向实现有序可控生长,制得的硼碳氮薄膜膜光学带隙约在2.7~4.5eV之间,具有良好可调的光学特性。本发明具有工艺简单安全、技术成熟、溅射速率快、沉积薄膜均匀、尺寸可控等优点,适宜工业大批量生产推广。

    基于立方氮化硼厚膜的MSM型深紫外光电探测器及制备方法

    公开(公告)号:CN111710752A

    公开(公告)日:2020-09-25

    申请号:CN202010588559.6

    申请日:2020-06-24

    Applicant: 吉林大学

    Inventor: 殷红 刘彩云 高伟

    Abstract: 一种基于立方氮化硼厚膜的MSM型深紫外光电探测器及制备方法,包括:衬底;氮化硼缓冲层,位于所述衬底之上;立方氮化硼厚膜,位于所述氮化硼缓冲层之上;一对电极,分别叠置于所述立方氮化硼厚膜之上。本发明利用立方氮化硼超宽禁带的电子学特性和极端环境下的稳定性等显著的材料性能优势,将其作为光吸收层,能够直接获得器件在深紫外区的光电响应,暗电流低、灵敏度高、响应速度快;本发明的MSM型深紫外光电探测器可应用于高温高压、高能量辐射和腐蚀性的极端环境中,在航空航天,信息通讯领域有很高的实用价值;本发明可直接制作在硅基衬底上,可与现有硅基工艺兼容,有利于器件集成,工艺简单,易于大规模产业化。

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