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公开(公告)号：CN110061046B
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN201910382491.3
申请日：2019-05-09
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明提供了一种n型硼碳氮薄膜/p型单晶硅异质pn结原型器件及制备方法，属于半导体材料领域。本发明采用磁控溅射方法在p型(100)面单晶硅衬底上制备n型硼碳氮薄膜；然后在n型硼碳氮薄膜一侧和p型单晶硅一侧分别制作银电极，即制得n型硼碳氮薄膜/p型单晶硅异质pn结原型器件。本发明通过控制磁控溅射的生长参数，得到包含柱状氮化硼纳米晶的n型硼碳氮导电层，其纳米晶取向可控；获得了整流特性良好的n型硼碳氮薄膜/p型单晶硅异质pn结原型器件。
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公开(公告)号：CN109750266A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201910147275.0
申请日：2019-02-27
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及薄膜材料领域，提供了一种调控硼碳氮薄膜中氮化硼晶体生长的方法，包括以下步骤：(1)提供分布有金刚石籽晶的基底；(2)在基底的金刚石籽晶表面进行磁控溅射，得到含有氮化硼晶体的硼碳氮薄膜；所述步骤(2)中磁控溅射的靶材为含碳的氮化硼靶。本发明在金刚石籽晶预处理过的基底上生长硼碳氮薄膜，促进了薄膜中氮化硼纳米晶的生长，提高了硼碳氮薄膜的结晶度和薄膜中氮化硼的成分，为硼碳氮薄膜的生长提供了重要的实验依据，为硼碳氮薄膜在工业领域内的应用提供了新的方法。
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公开(公告)号：CN110085679A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201910382492.8
申请日：2019-05-09
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L29/808 , H01L21/337 , H01L29/20 , H01L29/207 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供了一种n型氮化硼薄膜/p型单晶硅异质pn结原型器件及制备方法，属于半导体材料领域。本发明采用磁控溅射方法在p型(100)面单晶硅基底上制备氮化硼薄膜；采用共溅射手段，在位碳掺杂得到n型氮化硼薄膜；然后在n型氮化硼薄膜一侧和p型单晶硅一侧分别制作银电极，即制得n型氮化硼薄膜/p型单晶硅异质pn结原型器件。本发明通过对氮化硼薄膜进行在位碳掺杂，得到电学性能优异的n型电导层，较比于未掺杂、硅掺杂的氮化硼薄膜的电学性能有显著提升；获得了整流特性良好的pn结原型器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110061046A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201910382491.3
申请日：2019-05-09
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明提供了一种n型硼碳氮薄膜/p型单晶硅异质pn结原型器件及制备方法，属于半导体材料领域。本发明采用磁控溅射方法在p型(100)面单晶硅衬底上制备n型硼碳氮薄膜；然后在n型硼碳氮薄膜一侧和p型单晶硅一侧分别制作银电极，即制得n型硼碳氮薄膜/p型单晶硅异质pn结原型器件。本发明通过控制磁控溅射的生长参数，得到包含柱状氮化硼纳米晶的n型硼碳氮导电层，其纳米晶取向可控；获得了整流特性良好的n型硼碳氮薄膜/p型单晶硅异质pn结原型器件。
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公开(公告)号：CN113675261A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110678790.9
申请日：2019-05-09
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L29/20 , H01L29/207 , H01L29/66 , H01L29/808 , H01L21/02 , C23C14/06 , C23C14/35
Abstract: 本发明提供了一种n型氮化硼薄膜/p型单晶硅异质pn结原型器件及制备方法，属于半导体材料领域。本发明采用磁控溅射方法在p型(100)面单晶硅基底上制备氮化硼薄膜；采用共溅射手段，在位碳掺杂得到n型氮化硼薄膜；然后在n型氮化硼薄膜一侧和p型单晶硅一侧分别制作银电极，即制得n型氮化硼薄膜/p型单晶硅异质pn结原型器件。本发明通过对氮化硼薄膜进行在位碳掺杂，得到电学性能优异的n型电导层，较比于未掺杂、硅掺杂的氮化硼薄膜的电学性能有显著提升；获得了整流特性良好的pn结原型器件。
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公开(公告)号：CN109161844B
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201810875535.1
申请日：2018-08-03
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种包络高取向氮化硼纳米晶的硼碳氮薄膜及其制备方法，属于薄膜材料及其制备的技术领域。硼碳氮薄膜为在硅基底上生长的包含氮化硼纳米晶的不定形结构。制备方法是以含碳氮化硼靶材，在射频磁控溅射装置的沉积室内制备；其中基底温度为室温～600℃，工作气体为氩气和氮气，流量分别为50sccm和0～50sccm，工作气压为1～3Pa。调节工艺参数可使薄膜中的氮化硼纳米晶的取向实现有序可控生长，制得的硼碳氮薄膜膜光学带隙约在2.7～4.5eV之间，具有良好可调的光学特性。本发明具有工艺简单安全、技术成熟、溅射速率快、沉积薄膜均匀、尺寸可控等优点，适宜工业大批量生产推广。
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公开(公告)号：CN109750266B
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910147275.0
申请日：2019-02-27
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及薄膜材料领域，提供了一种调控硼碳氮薄膜中氮化硼晶体生长的方法，包括以下步骤：(1)提供分布有金刚石籽晶的基底；(2)在基底的金刚石籽晶表面进行磁控溅射，得到含有氮化硼晶体的硼碳氮薄膜；所述步骤(2)中磁控溅射的靶材为含碳的氮化硼靶。本发明在金刚石籽晶预处理过的基底上生长硼碳氮薄膜，促进了薄膜中氮化硼纳米晶的生长，提高了硼碳氮薄膜的结晶度和薄膜中氮化硼的成分，为硼碳氮薄膜的生长提供了重要的实验依据，为硼碳氮薄膜在工业领域内的应用提供了新的方法。
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公开(公告)号：CN109161844A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201810875535.1
申请日：2018-08-03
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种包络高取向氮化硼纳米晶的硼碳氮薄膜及其制备方法，属于薄膜材料及其制备的技术领域。硼碳氮薄膜为在硅基底上生长的包含氮化硼纳米晶的不定形结构。制备方法是以含碳氮化硼靶材，在射频磁控溅射装置的沉积室内制备；其中基底温度为室温～600℃，工作气体为氩气和氮气，流量分别为50sccm和0～50sccm，工作气压为1～3Pa。调节工艺参数可使薄膜中的氮化硼纳米晶的取向实现有序可控生长，制得的硼碳氮薄膜膜光学带隙约在2.7～4.5eV之间，具有良好可调的光学特性。本发明具有工艺简单安全、技术成熟、溅射速率快、沉积薄膜均匀、尺寸可控等优点，适宜工业大批量生产推广。
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