氮掺杂碳包覆镍铁钴基四元中熵合金纳米球可控制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN117718484A

    公开(公告)日:2024-03-19

    申请号:CN202311739051.1

    申请日:2023-12-17

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明提供了氮掺杂碳包覆镍铁钴基四元中熵合金纳米球可控制备方法及其应用。先采用球磨法将等摩尔比的金属单质混合粉末与不锈钢小球放入球磨罐中,在氮气氛围下以600‑900rpm的转速球磨6‑8小时。再采用直流电弧等离子体法将球磨后的合金粉末压块放入反应室内的阳极石墨锅中,在氮气氛围下,以气压为30‑50kPa,电流为100‑140A的条件起弧,反应后经冷却钝化在石墨锅表面收集到的黑色粉末为氮掺杂碳包覆镍铁钴基四元中熵合金纳米球。纳米球直径约为10‑20nm,包覆的氮掺杂碳壳层层数在30kPa,100A的反应条件下为2‑3层,在50kPa,140A的反应条件下为6‑7层。本发明还公开了其在电催化析氢方面的应用,测试结果表明氮掺杂碳包覆镍铁钴基四元中熵合金具有一定的析氢性能。

    一种以高熵合金为触媒合成立方氮化硼的方法

    公开(公告)号:CN117702273A

    公开(公告)日:2024-03-15

    申请号:CN202311739159.0

    申请日:2023-12-17

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明公开一种以高熵合金为触媒合成立方氮化硼的方法。该方法选用粒径适宜的六方氮化硼h‑BN为原料,高熵合金FeCoNiCrCuAl作为触媒,h‑BN和触媒充分混合压片后,在国产六面顶液压机的高温高压条件下,合成立方氮化硼c‑BN,通过酸碱提纯得到c‑BN晶体。本发明中高熵合金触媒适合工业规模化生产,作为新型触媒在合成c‑BN的过程中,具有合成压力低、转化率高、合成温度和压力范围宽、产物杂质含量低等优点,是一种应用前景广阔的新型触媒材料。

    一种深紫外光电探测器及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN114551626B

    公开(公告)日:2024-01-26

    申请号:CN202210166042.7

    申请日:2022-02-22

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明提供了一种深紫外光电探测器及其制备方法和应用,属于光电探测技术领域。本发明提供的深紫外光电探测器,包括介质绝缘衬底、设置在介质绝缘衬底表面的光敏层以及设置在光敏层相对的两端的两个电极;所述光敏层包括六方氮化硼薄膜以及附着在六方氮化硼薄膜部分表面上的表面等离激元结构,所述六方氮化硼薄膜与介质绝缘衬底接触,其中一个电极设置在没有附着表面等离激元结构的六方氮化硼薄膜表面,另一个电极设置在附着有表面等离激元结构的六方氮化硼薄膜表面;所述表面等离激元结构包括金属纳米颗粒或半导体纳米结构。本发明提供的深紫外光电探测器暗电流极低,对深紫外光响应度大。

    一种多孔氮化硼负载原子级分散贵金属催化剂及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN116657176A

    公开(公告)日:2023-08-29

    申请号:CN202310639466.5

    申请日:2023-06-01

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明公开了一种多孔氮化硼负载原子级分散贵金属催化剂及其制备方法和应用,涉及电催化析氢技术领域,具体涉及一种Pt/BN复合催化剂。本发明采用改进的有机前驱体热解技术制备了具有大比表面积的多孔氮化硼,并以氮化硼为载体材料与铂金属盐溶液经过混合、干燥、退火处理,得到氮化硼负载原子级分散铂纳米颗粒的复合材料,作为电解水制氢阴极催化剂。功能化的多孔氮化硼基体材料可有效锚定铂颗粒,并且可有效促进和保持催化剂的催化活性。所得催化剂中铂纳米颗粒具有较高的电化学活性面积。该催化剂所含贵金属较少,催化性能优异、结构稳定、使用寿命久、成本较低。

    一种二氧化碳吸附剂及其制备方法

    公开(公告)号:CN116534809A

    公开(公告)日:2023-08-04

    申请号:CN202310639539.0

    申请日:2023-06-01

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明公开了一种二氧化碳吸附剂及其制备方法,涉及二氧化碳吸附技术领域。本发明解决了现有二氧化碳分离成本高、耗能大、材料热稳定性及化学稳定性差等问题。本发明制备了一种多孔氮化硼纳米纤维材料,该材料具有丰富的孔结构,比表面积大于1000m2/g;由于氮化硼自身独特的物理化学性质,可以将其在高温或强酸强碱极端环境下使用,同时,本发明制备的氮化硼表面修饰有含氧及含氮官能团,可以促进二氧化碳吸附同时削弱对甲烷的吸附性能,利于二者间的选择性吸附。此外,本发明提供的制备方法还具有原料成本低廉,反应温度低、无污染,合成工艺简单,适合批量生产等优点。

    一种硒化铌六方片的制备方法及应用

    公开(公告)号:CN116281887A

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202310125581.0

    申请日:2023-02-16

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明为一种硒化铌六方片的制备方法及应用。将铌粉、硒粉以摩尔比为0.2:1均匀混合后压制成片,放入直流电弧等离子体放电装置内水平放置的阴阳极之间。在水冷系统和氩气氛围的保护下,将气压升至40‑60kPa,反应电流为40‑100A,阴阳两极极间起弧放电,反应完全后冷却钝化至室温。在石墨锅内收集到灰黑色粉末,微观形貌为厚度介于0.2‑0.4μm,直径范围为0.5‑2μm的硒化铌六方片。将硒化铌六方片作为析氢反应催化剂,在5mV·s‑1的扫速下,NbSe2六方片在‑10mA·cm‑2的电流密度下可实现255mV的过电势,表明NbSe2六方片有良好的析氢催化活性。

    一种大面积氮化硼/石墨烯垂直异质结薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN115626639A

    公开(公告)日:2023-01-20

    申请号:CN202211360177.3

    申请日:2022-11-02

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明属于半导体材料制备技术领域,提供了一种大面积氮化硼/石墨烯垂直异质结薄膜及其制备方法,通过石墨烯界面自组装层作为晶种层,以氧化硼作为前驱体,以氩气和氨气分别作为载气和反应气体,采用化学气相沉积的手段,在介质衬底上直接生长了大面积的氮化硼/石墨烯垂直异质结薄膜,所得氮化硼沿着石墨烯晶核进行大面积原位生长,且均匀覆盖在石墨烯表面形成异质结构。本发明中的氮化硼和石墨烯的厚度可进行独立调控,且在垂直于衬底方向上可做周期性拓展。本发明制备工艺简单,无需任何金属催化剂,绿色环保,为石墨烯和氮化硼这类二维材料在范德华异质结器件中的应用提供了极为便利的工艺途径。

    一种石墨烯/氮化硼层状异质结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN110510604B

    公开(公告)日:2022-11-18

    申请号:CN201910857578.1

    申请日:2019-09-09

    Applicant: 吉林大学

    Inventor: 殷红 孙晓燕 高伟

    Abstract: 本发明属于无机纳米材料领域,具体涉及一种石墨烯/氮化硼层状异质结构及其制备方法。该方案提出的复合异质结构,石墨烯表面被氮化硼覆盖,横向长度为30~80μm。所述方法包括:在去离子水中依次加入分散剂和石墨烯经处理形成稳定分散液,再加入氧化硼在一定温度下恒温搅拌至浓稠泥浆状,涂覆于刚玉舟表面,真空干燥后得到前驱体;将其置于真空管式炉中,在氩气气氛中持续加热至一定温度后再通入氨气进行反应得到初步产物,经处理后可得到所述层状异质结构材料。本发明工艺简单,不需任何金属催化剂,材料纯度高、结晶性好,集合了石墨烯与氮化硼二者的优异性能,为二维材料工业化生产提供了技术方案。

    一种仙人掌状碳化铌微晶的制备方法

    公开(公告)号:CN109467087B

    公开(公告)日:2021-11-16

    申请号:CN201811598492.3

    申请日:2018-12-26

    Applicant: 吉林大学

    Inventor: 高伟 张晨 殷红

    Abstract: 此发明涉及一种仙人掌状碳化铌微晶的制备方法,属于无机纳米材料的制备领域。制备方法采用直流电弧等离子体放电法;制备条件是高温低压;制备过程是将摩尔比1:1的高纯碳粉和铌粉均匀混合研磨压片,放入直流电弧反应腔室内,调整好阴阳两极距离,在特定条件(氮气、气压10‑40kPa和电流95‑105A等)下起弧、反应、冷却钝化后,既在阳极石墨锅下沿处获得形似仙人掌状的碳化铌微晶。本发明制备工艺简单、耗材少、重复性高,同时又能保证样品产率与纯净度,具有良好应用前景。

    一种基于六方氮化硼纳米片/氧化铁纳米颗粒复合材料的气敏元件及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN110255514B

    公开(公告)日:2021-09-21

    申请号:CN201910593656.1

    申请日:2019-07-03

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明提供了一种基于六方氮化硼纳米片/氧化铁纳米颗粒复合材料的气敏元件及其制备方法和应用,属于半导体材料技术领域。本发明以六方氮化硼纳米片/氧化铁纳米颗粒复合材料作为气敏材料,利用六方氮化硼纳米片高导热率、低热膨胀系数、低介电常数、高化学稳定性和高比表面积的性质,结合氧化铁纳米颗粒对正丁醇气体的高灵敏度,可以提高气敏元件的气敏性能。实施例结果表明,本发明提供的基于六方氮化硼纳米片/氧化铁纳米颗粒复合材料的气敏元件用于正丁醇气体检测时,响应时间为12.6s,恢复时间为27s,最佳工作温度为375℃。

Patent Agency Ranking