公开(公告)号：CN115626639B

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN202211360177.3

申请日：2022-11-02

Applicant: 吉林大学

Inventor： 殷红 ,  郭莹莹 ,  冯源方 ,  高伟

IPC: C01B32/194 ,  C01B21/064

Abstract: 本发明属于半导体材料制备技术领域，提供了一种大面积氮化硼/石墨烯垂直异质结薄膜及其制备方法，通过石墨烯界面自组装层作为晶种层，以氧化硼作为前驱体，以氩气和氨气分别作为载气和反应气体，采用化学气相沉积的手段，在介质衬底上直接生长了大面积的氮化硼/石墨烯垂直异质结薄膜，所得氮化硼沿着石墨烯晶核进行大面积原位生长，且均匀覆盖在石墨烯表面形成异质结构。本发明中的氮化硼和石墨烯的厚度可进行独立调控，且在垂直于衬底方向上可做周期性拓展。本发明制备工艺简单，无需任何金属催化剂，绿色环保，为石墨烯和氮化硼这类二维材料在范德华异质结器件中的应用提供了极为便利的工艺途径。

公开(公告)号：CN115626639A

公开(公告)日：2023-01-20

申请号：CN202211360177.3

申请日：2022-11-02

Applicant: 吉林大学

Inventor： 殷红 ,  郭莹莹 ,  冯源方 ,  高伟

IPC: C01B32/194 ,  C01B21/064

Abstract: 本发明属于半导体材料制备技术领域，提供了一种大面积氮化硼/石墨烯垂直异质结薄膜及其制备方法，通过石墨烯界面自组装层作为晶种层，以氧化硼作为前驱体，以氩气和氨气分别作为载气和反应气体，采用化学气相沉积的手段，在介质衬底上直接生长了大面积的氮化硼/石墨烯垂直异质结薄膜，所得氮化硼沿着石墨烯晶核进行大面积原位生长，且均匀覆盖在石墨烯表面形成异质结构。本发明中的氮化硼和石墨烯的厚度可进行独立调控，且在垂直于衬底方向上可做周期性拓展。本发明制备工艺简单，无需任何金属催化剂，绿色环保，为石墨烯和氮化硼这类二维材料在范德华异质结器件中的应用提供了极为便利的工艺途径。